OMRON EE-SX1137 User Manual
CSM_EE-SX1137_DS_C_1_1
EE-SX1137
■ 外形尺寸
4-C0.3
5±0.1
0.5±0.1
±0.1
8.5
微
型
光
电
传
感
器
E
E
-
S
X
1
1
3
7
ᮁ䴶AA
内部回路
KC
端子记号 名称
A
K
C
E
2-C1
4-0.5±0.1
˄2.5˅
集电极
发射极
±0.3
正极
负极
EA
10±0.2
6.2
7.5±0.2
±0.5
2-φ0.7±0.1
K
A
13.7±0.3
5
˄10.5˅
ˇ0.2
ˉ0.1
2.5±0.2
BA
ܝ䕈
6.5
2-0.7±0.1
BA
4-0.25±0.1
4±0.1
2.35
±0.1
C
4.2±0.1
E
未指定的尺寸公差如下表所示。
尺寸区分 公差
大于 3 小于 6 ± 0.375
大于 6 小于 10 ± 0.45
大于 10 小于 18 ± 0.55
大于 18 小于 30 ± 0.65
±0.1
小于 3 ± 0.3
（单位：mm）
2-C1
±0.3
ᮁ䴶BB
微型光电传感器 ［透过型］
■ 特征
• 凹槽宽度为 5mm 的通用型
• 印刷线路板实装型
• 高分辨率 （狭片宽度 0.5mm）
■ 绝对最大额定值 (Ta = 25°C)
项目 记号 额定值 单位
F 50 mA
发
光
侧
受
光
侧
*1 环境温度超过 25 ℃ 时，请参阅温度额定值图。
*2 脉冲宽度 ≦ 10μs、重复 100Hz
*3 焊接时间请控制在 10 秒以内
正向电流
正向脉冲电流
反向电压
集电极发射极之间的电压
发射极集电极之间的电压
集电极电流
集电极损耗
动作温度
保存温度
焊接温度
I
I
FP 1A
V
R 4V
VCEO 30 V
VECO
I
C 20 mA
P
C 100 mW
Topr
Tst g
Tsol 260
－25～＋
－30～＋
——
*1
*2
*1
85
100
*3
V
℃
℃
℃
■ 电气及光学特性 (Ta = 25°C)
项目 记号
正向电压
发
光
侧
受
光
侧
反向电流
最大发光波长
光电流
暗电流
泄漏电流
集电极发射极之间的
饱和电压
最大光谱灵敏度波长
上升时间
下降时间
I
CE(sat)
V
F
V
I
R
λ
P
I
L 0.5
D
I
LEAK
λ
P
t r
t f
特性值
MIN. TYP. MAX.
——
——
——
——
1.2 1.5 V I
0.01 10 μAV
940
——
——
14 mA
2 200 nA
—— —— ——
——
——
——
——
0.1 0.4 V
850
4
4
——
——
——
单位 条件
F = 30mA
R = 4V
nm I
μA
F = 20mA
F = 20mA，VCE = 10V
I
CE = 10V， 0 lx
V
—————
IF = 20mA，IL = 0.1mA
nm V
μs
μs
CE
=
10V
V
CC = 5V， RL = 100Ω
I
L = 5mA
V
CC = 5V， RL = 100Ω
I
L = 5mA
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EE-SX1137
■ 额定值·特性曲线
图 1. 正向电流·集电极损耗的温度额定值图 图 2. 正向电流—正向电压特性 (TYP.) 图 3. 光电流—正向电流特性 (TYP.)
ℷ⬉⌕
60
IF
PC
mA
F
I
50
嗻
嗼
40
30
20
10
150
100
50
P
mW
ℷ⬉⌕
䲚⬉ᵕᤳ㗫
60
I
F
嗻
50
C
嗻
mA
嗼
嗼
40
30
20
10
Ta = –30°C
Ta = +25°C
Ta = +70°C
mA
ܝ⬉⌕
10
L
I
嗻
8
嗼
6
4
2
Ta = 25°C
V
CE = 10V
ǂ0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
图 5. 相对光电流—环境温度特性 (TYP.) 图 6. 暗电流—环境温度特性 (TYP.)
Ⳍᇍܝ⬉⌕
120
110
I
L
嗻
%
嗼
100
90
80
70
60
-20 0 20 40 60 80 100
-40
Ⳍᇍܝ⬉⌕
120
100
I
L
嗻
%
嗼
80
60
ℷ⬉V
F˄V˅
IF = 20mA
V
CE = 10V
⦃๗⏽ᑺTa˄°C˅
IF = 20mA
V
CE = 10V
Ta = 25°C
˄ܝ䕈Ёᖗ˅
ˉ0ˇ
d
(TYP.)
Ta = 25°C
CE˄V˅
VCC = 5V
Ta = 25°C
0
ǂ0
-20 0 20 40 60 80 100
-40
图
4.
光电流—集电极发射极之间的电压特性
ܝ⬉⌕
10
9
L
I
嗻
8
mA
嗼
7
6
5
4
3
2
1
0
0123 45678 910
图 7. 应答时间—负载电阻特性 (TYP.) 图 8. 检测位置特性 (TYP.) 图 9. 检测位置特性 (TYP.)
ᑨㄨᯊ䯈
10,000
tr
tf
嗻
1,000
μs
嗼
100
䲚⬉ᵕথᇘᵕП䯈ⱘ⬉V
⦃๗⏽ᑺTa˄°C˅
= 50mA
F
I
= 40mA
F
I
= 30mA
F
I
= 20mA
F
I
= 10mA
F
I
tf
0
0
10 20 304050
ᱫ⬉⌕
10,000
VCE = 10V
0 l x
D
I
嗻
1,000
nA
嗼
100
10
1
0.1
0.01
0.001
-30 -20 -10010 20 30405060708090
Ⳍᇍܝ⬉⌕
120
100
I
L
嗻
%
嗼
80
60
ℷ⬉⌕I
⦃๗⏽ᑺTa˄°C˅
IF = 20mA
V
CE
= 10V
Ta = 25°C
d
F˄mA˅
嗻ܝ䕈Ёᖗ嗼
ˉ
0
ˇ
微
型
光
电
传
感
器
E
E
-
S
X
1
1
3
7
10
1
0.01
0.1 10
图 10. 应答时间测定回路
䕧ܹ
0
䕧ߎ
䕧ܹ
0
90%
10%
t
r
f
t
IL
R
L
1
䋳䕑⬉䰏R
V
䕧ߎ
tr
CC
L˄kΩ˅
t
t
40
20
0
-0.5 -0.25 0 0.25 0.5 0.75 1.0
䎱⾏d˄mm˅
40
20
0
-1.5-2.0 -1.0 -0.5 0 0.5 1.0 1.5 2.0
䎱⾏d˄mm˅
89
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