NTE NTE308P Datasheet
NTE308
Integrated Thyristor/Rectifier (ITR)
TV Horizontal Deflection & Commutating Switch
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Forward Off–State and Reverse Voltage, V
RMS On–State Current, I
TRMSM
Mean On–State Current (T
, I
FRMSM
= +80°C), I
C
TAVM
, I
FAVM
Thyristor 3.4A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diode 3.45A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak On–State Current, I
Surge Current (t = 10ms, t
= +100°C), I
vi
TRM
, I
TSM
FRM
, I
FSM
Thyristor 80A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diode 60A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Non–Repetitive Rate of Rise of On–State Current, di/dt
Repetitive Rate of Rise of On–State Current (I
= 20A, tvi = +100°C, VDM = 640V), di/dt
TM
crit
(Pulse Generator Data: vL = 8V, iK = 0.25A, diG/dt ≥ 0.25A/µs)
= 50Hz 300A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
f
o
f
= 16kHz 100A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
o
Rate of Rise of Off–State Voltage (t
= +100°C, VD = 536V), dv/dt
vi
Rate of Rise of Voltage Subsequent to Prior On–State Current, dv/dt
tvi = +100°C, VD = 536V 1000V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Power Losses (t
Total Mean Gate Power Loss for One Cycle, P
Operating Temperature Range, T
Storage Temperature Range, T
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
≤ 10µs), P
g
opr
stg
GM
G
thJC
thJA
Without Heatsink 35°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
On Vertical Cooling Fin 60mm x 60mm x 1.5mm, Al or Cu, Roughened Surface 10°C/W. .
DRM
, V
RRM
crit
800V. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
500A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
crit
400V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . .
crit
10W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–40° to +100°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–40° to +130°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
Maximum On–State Voltage (tvi = +25°C, iT = iF = 10A), VT, V
Thyristor 2.16V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diode 2.2V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Threshold Voltage, V
(TO)
Thyristor 1.6V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diode 1.4V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Forward Slope Resistance, r
, r
T
F
Thyristor 53Ω. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diode 70Ω. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
F
Electrical Characteristics (Cont’d):
Maximum Gate Trigger Voltage (tvi = +25°C, VD = 6V, RA = 20Ω), V
Minimum Gate Trigger Voltage (t
Maximum Gate Trigger Current (t
Maximum Holding Current (t
Maximum Latching Current (t
(Pulse Generator Data: i
Typical Capacitance, Anode–Cathode at Zero Voltage (t
Maximum Lag Charge (t
= +100°C, iFM = 10A, –diF/dt = 10A/µs), Q
vi
Maximum Forward Off–State and Reverse Current (t
Maximum Gate Controlled Delay Time (t
(Pulse Generator Data: i
Maximum Pulse Turn–Off Time (t
Typical Pulse Turn–Off Time (t
Maximum Reverse Recovery Time (t
= +100°C, VD = 6V, RA = 20Ω), V
vi
= +25°C, VD = 6V, RA = 20Ω), I
vi
= +25°C, VD = 6V, RA = 20Ω), I
vi
= +25°C, VD = 6V, RGK ≥ 20Ω), I
vi
= 0.25A, diG/dt = 0.25A/µs, tg = 4µs)
G
= +25°C, fo = 16kHz), C
vi
= +100°C, vD = 800V), iD, i
vi
= +25°C, VD = 536V, iTM = 5A), t
vi
= 0.25A, diG/dt = 0.5A/µs)
G
= +100°C), t
vi
= +80°C, fo = 16kHz), t
vi
= +25°C, iFM = 10A, –diF/dt = 10A/µs), t
vi
qp
qp
H
L
GT
GT
GT
S
gd
2.0V. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.1V. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
100mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
210mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
zero
250pF. . . . .
0.96µAs. . . . . . . . . . . . . . . . .
R
1.5mA. . . . . . .
0.8µs. . . . . . . . . . . .
5.1µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.8µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
rr
0.7µs. . . . . . . . . .
.062 (1.57)
.485 (12.3)
.031 (0.78) Dia
.960 (24.3) Gate
.580 (14.7)
.295 (7.5)
Dia
.360
(9.14)
Min
.147 (3.75) Dia
(2 Places)
.145 (3.7) R Max
.200
(5.08)
CathodeAnode/Case
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