NEC MC-458CB64ESB-A10B Datasheet

DATA SHEET

★

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-458CB64ESB, 458CB64PSB

8M-WORD BY 64-BIT

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)

Description

The MC-458CB64ESB and MC-458CB64PSB are 8,388,608 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module

µ

(Small Outline DIMM) on which 4 pieces of 128M SDRAM:
These modules provide high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface­mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 8,388,608 words by 64 bits organization

• Clock frequency and access time from CLK

Part number /CAS Latency Clock frequency

MC-458CB64ESB-A10B CL = 3 100 MHz 7 ns

CL = 2 67 MHz 8 ns

MC-458CB64PSB-A10B CL = 3 100 MHz 7 ns

CL = 2 67 MHz 8 ns

PD45128163 are assembled.

Access time from CLK

(MAX.) (MIN.)

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)

/

• Programmable wrap sequence (Sequential

• Programmable /CAS latency (2, 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• Single +3.3

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 144-pin small outline dual in-line memory module (Pin pitch = 0.8

• Unbuffered type

• Serial PD

V ± 0.3 V power supply

ms

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availability and additional information.

Interleave)

mm)

Document No. M12263EJAV0DS00 (10th edition)
Date Published February 2000 NS CP(K)
Printed in Japan

The mark

••••

shows major revised points.

©

1996

Ordering Information

MC-458CB64ESB, 458CB64PSB

Part number Clock frequency

MHz (MAX.)

MC-458CB64ESB-A10B 100 MHz 144-pin Small Outline DIMM

(Socket Type)
Edge connector: Gold plated

★

MC-458CB64PSB-A10B 100 MHz 25.4 mm height 4 pieces of µPD45128163G5 (Rev. P)

Package Mounted devices

4 pieces of
(10.16mm (400) TSOP (II ))

(10.16mm (400) TSOP (II ))

PD45128163G5 (Rev. E)

µ

2

Data Sheet M12263EJAV0DS00

MC-458CB64ESB, 458CB64PSB

Pin Configuration

144-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)

10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60

62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96

98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144

2
4
6
8

Vss
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
Vcc
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
Vss
DQMB4
DQMB5
Vcc
A3
A4
A5
Vss
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
Vcc
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
Vss
NC
NC

CKE0
Vcc
/CAS
NC
NC
NC
CLK1
Vss
NC
NC
Vcc
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
Vss
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
Vcc
A7
BA0 (A13)
Vss
BA1 (A12)
A11
Vcc
DQMB6
DQMB7
Vss
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
Vcc
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
Vss
SCL
Vcc

Vss
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

V
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7

Vss

DQMB0
DQMB1

V

A0
A1
A2

Vss
DQ 8
DQ 9

DQ 10
DQ 11

V

DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15

Vss

NC
NC

CLK0

Vcc
/RAS

/WE

/CS0

NC
NC

Vss

NC
NC

V

DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19

Vss

DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23

Vcc

A6
A8

Vss

A9

A10

Vcc

DQMB2
DQMB3

Vss

DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27

V

DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31

Vss

SDA

V

1
3
5
7
9

CC

CC

CC

CC

CC

CC

11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59

61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143

/xxx indicates active low signal.

A0 - A11 : Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A8]
BA0(A13), BA1(A12): SDRAM Bank Select
DQ0 - DQ63 : Data Inputs/Outputs
CLK0, CLK1 : Clock Input
CKE0 : Clock Enable Input
/CS0 : Chip Select Input
/RAS : Row Address Strobe
/CAS : Column Address Strobe
/WE : Write Enable
DQMB0 - DQMB7 : DQ Mask Enable
SDA : Serial Data I/O for PD
SCL : Clock Input for PD

CC

V

SS

V

: Power Supply
: Ground

NC : No Connection

Data Sheet M12263EJAV0DS00

3

Block Diagram

★

/WE

/CS0

MC-458CB64ESB, 458CB64PSB

DQMB0

DQMB1

DQMB2

DQMB3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7

DQ 8

DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15

DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23

DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31

LDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
UDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8

LDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

UDQM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15

/CS

/WE

D0

/CS /WE

D1

DQMB4

DQMB5

DQMB6

DQMB7

DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39

DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47

DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55

DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63

LDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7

UDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8

LDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

UDQM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15

/CS

/CS

/WE

D2

/WE

D3

Remark
4

SERIAL PD

SCL

A0 - A11 A0 - A11 : D0 - D3

BA0 A13 : D0 - D3
BA1 A12 : D0 - D3

V

CC

V

SS

D0 - D3:

µ

PD45128163 (2M words × 16 bits × 4 banks)

A0 A1 A2

C

SDA

D0 - D3
D0 - D3

Data Sheet M12263EJAV0DS00

10 Ω

CLK0

CLK1

/RAS /RAS : D0 - D3
/CAS /CAS : D0 - D3

CKE0 CKE : D0 - D3

CLK : D0, D2
CLK : D1, D3

10pF

MC-458CB64ESB, 458CB64PSB

Electrical Specifications

•All voltages are referenced to VSS (GND).

•After power up, wait more than 100 µs and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper

device operation is achieved.

Absolute Maximum Ratings

Parameter Symbol Condition Rating Unit
Voltage on power supply pin relative to GND V
Voltage on input pin relative to GND V
Short circuit output c urrent I
Power dissipation P
Operating ambient tem perature T
Storage temperature T

Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause

permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.

CC

T

O

D

A

stg

–0.5 to +4.6 V
–0.5 to +4.6 V

50 mA

4W

0 to +70

–55 to +125

C

°

C

°

Recommended Operating Conditions

Parameter Symbol Condition MIN. TYP. MAX. Unit
Supply voltage V
High level input voltage V
Low level input voltage V
Operating ambient tem perature T

Capacitance (TA = 25

Input capacitance C

Data input/output capaci t ance C

C, f = 1 MHz)

°°°°

Parameter Symbol Test condition MI N. TYP. MAX. Unit

CC

IH

IL

A

I1

A0 - A11, BA0 (A13), BA1 (A12),

3.0 3.3 3.6 V

2.0 V

–0.3 + 0.8 V

070

/RAS, /CAS, /WE

I2

C

CLK0 30

I3

C

CKE0 30

I4

C

/CS0 30

I5

C

DQMB0 -DQMB7 10

I/O

DQ0 - DQ63 10 pF

CC +

0.3 V

30 pF

C

°

Data Sheet M12263EJAV0DS00

5