MOTOROLA MC74HCU04ADTEL, MC74HCU04ADTR2, MC74HCU04AF, MC74HCU04AFEL, MC74HCU04AD Datasheet

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2000

March, 2000 – Rev. 2

1 Publication Order Number:

MC74HCU04A/D

MC74HCU04A

Hex Unbuffered Inverter

High–Performance Silicon–Gate CMOS

The MC74HCU04A is identical in pinout to the LS04 and the MC14069UB. The device inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup resistors, they are compatible with LSTTL outputs.

This device consists of six single–stage inverters. These inverters are well suited for use as oscillators, pulse shapers, and in many other applications requiring a high–input impedance amplifier. For digital applications, the HC04A is recommended.

• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads

• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL

• Operating Voltage Range: 2 to 6 V; 2.5 to 6 V in Oscillator

Configurations

• Low Input Current: 1 µA

• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices

• In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard

No. 7A

• Chip Complexity: 12 FETs or 3 Equivalent Gates

LOGIC DIAGRAM

Y1A1

A2

A3

A4

A5

A6

Y2

Y3

Y4

Y5

Y6

1

3

5

9

11

13

2

4

6

8

10

12

Y = A

PIN 14 = V

CC

PIN 7 = GND

FUNCTION TABLE

Inputs

A

L H

Outputs

Y

H L

Device Package Shipping

ORDERING INFORMATION

MC74HCU04AN PDIP–14 2000 / Box MC74HCU04AD SOIC–14

http://onsemi.com

55 / Rail

MC74HCU04ADR2 SOIC–14 2500 / Reel

MARKING

DIAGRAMS

A = Assembly Location WL or L = Wafer Lot YY or Y = Year WW or W = Work Week

MC74HCU04ADT TSSOP–14 96 / Rail MC74HCU04ADTR2 TSSOP–14

2500 / Reel

TSSOP–14 DT SUFFIX

CASE 948G

HCU

04A

ALYW

1

14

1

14

PDIP–14

N SUFFIX

CASE 646

MC74HCU04AN

AWLYYWW

SOIC–14

D SUFFIX

CASE 751A

1

14

HCU04A

AWLYWW

PIN ASSIGNMENT

11

12

13

14

8

9

105

4

3

2

1

7

6

Y5

A5

Y6

A6

V

CC

Y4

A4

Y2

A2

Y1

A1

GND

Y3

A3

MC74HCU04A

http://onsemi.com

2

MAXIMUM RATINGS*

Symbol

Parameter

Value

Unit

V

CC

DC Supply Voltage (Referenced to GND)

– 0.5 to + 7.0

V

in

DC Input Voltage (Referenced to GND)

– 0.5 to VCC + 0.5

V

out

DC Output Voltage (Referenced to GND)

– 0.5 to VCC + 0.5

V

I

in

DC Input Current, per Pin

± 20

mA

I

out

DC Output Current, per Pin

± 25

mA

I

CC

DC Supply Current, VCC and GND Pins

± 50

mA

ÎÎ

Î

P

D

ОООООООООООО

Î

Power Dissipation in Still Air Plastic DIP†

SOIC Package†

TSSOP Package†

ÎÎÎ

Î

750 500 450

Î

mW

T

stg

Storage Temperature

– 65 to + 150

_

C

ÎÎ

Î

T

L

ОООООООООООО

Î

Lead Temperature, 1 mm from case for 10 Seconds

Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package

ÎÎÎ

Î

260

Î

_

C

*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.

Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.

†Derating — Plastic DIP: –10mW/_C from 65_ to 125_C

SOIC Package: –7mW/_C from 65_ to 125_C TSSOP Package: – 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C

For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

Symbol

Parameter

Min

ÎÎ

Max

Unit

V

CC

DC Supply Voltage (Referenced to GND)

2.0

ÎÎ

6.0

V

Vin, V

out

DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)

0

ÎÎ

V

CC

V

T

A

Operating Temperature, All Package T ypes

– 55

ÎÎ

+ 125

_

C

tr, t

f

Input Rise and Fall Time (Figure 1)

—

ÎÎ

No

Limit

ns

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)

Guaranteed Limit

ÎÎ

Î

Symbol

ООООООО

Î

Parameter

ООООООО

Î

Test Conditions

ÎÎ

Î

V

CC V

ÎÎ

Î

– 55 to

25_C

ÎÎÎ

Î

v

85_C

ÎÎ

Î

v

125_C

Î

Unit

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

V

IH

ООООООО

Î

ООООООО

Î

Minimum High–Level Input Voltage

ООООООО

Î

ООООООО

Î

V

out

= 0.5 V*

|I

out

| v 20 µA

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

1.7

2.5

3.6

4.8

ÎÎÎ

Î

1.7

2.5

3.6

4.8

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

l.7

2.5

3.6

4.8

Î

V

ÎÎ

Î

V

IL

ООООООО

Î

Maximum Low–Level Input Voltage

ООООООО

Î

V

out

= VCC – 0.5 V*

|I

out

| v 20 µA

ÎÎ

Î

2.0

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

0.3

0.5

0.8

1.1

ÎÎÎ

Î

0.3

0.5

0.8

1.1

ÎÎ

Î

0.3

0.5

0.8

1.1

Î

V

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

V

OH

ООООООО

Î

ООООООО

Î

Minimum High–Level Output Voltage

ООООООО

Î

ООООООО

Î

Vin = GND |I

out

| v 20 µA

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

1.8

4.0

5.5

ÎÎÎ

Î

1.8

4.0

5.5

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

1.8

4.0

5.5

Î

V

ÎÎÎОООООООÎООООООО

Î

Vin = GND |I

out

| v 2.4 mA

|I

out

| v 4.0 mA

|I

out

| v 5.2 mA

ÎÎ

Î

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

2.36

3.86

5.36

ÎÎÎ

Î

2.26

3.76

5.26

ÎÎ

Î

2.20

3.70

5.20

Î

ÎÎ

Î

V

OL

ООООООО

Î

Maximum Low–Level Output Voltage

ООООООО

Î

Vin = V

CC

|I

out

| v 20 µA

ÎÎ

Î

2.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

0.2

0.5

ÎÎÎ

Î

0.2

0.5

ÎÎ

Î

0.2

0.5

Î

V

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ООООООО

Î

ООООООО

Î

ООООООО

Î

ООООООО

Î

Vin = V

CC

|I

out

| v 2.4 mA

|I

out

| v 4.0 mA

|I

out

| v 5.2 mA

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

0.32

ÎÎÎ

Î

0.32

0.37

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

0.32

0.40

Î

This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high–impedance circuit. For proper operation, Vin and V

out

should be constrained to the

range GND v (Vin or V

out

) v VCC.

Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or VCC). Unused outputs must be left open.

MC74HCU04A

http://onsemi.com

3

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)

Guaranteed Limit

Unit

v

125_C

ÎÎÎ

v

85_C

– 55 to

25_C

V

CC

V

Test Conditions

Parameter

Symbol

ÎÎ

Î

I

in

ООООООО

Î

Maximum Input Leakage Current

ООООООО

Î

Vin = VCC or GND

ÎÎ

Î

6.0

ÎÎ

Î

± 0.1

ÎÎÎ

Î

± 1.0

ÎÎ

Î

± 1.0

Î

µA

ÎÎ

Î

I

CC

ООООООО

Î

Maximum Quiescent Supply Current (per Package)

ООООООО

Î

Vin = VCC or GND I

out

= 0 µA

ÎÎ

Î

6.0

ÎÎ

Î

1

ÎÎÎ

Î

10

ÎÎ

Î

40

Î

µA

NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D). *For VCC = 2.0 V, V

out

= 0.2 V or VCC – 0.2 V.

AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C

L

= 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)

Guaranteed Limit

ÎÎÎ

Î

Symbol

ОООООООООООООО

Î

Parameter

ÎÎ

Î

V

CC V

ÎÎ

Î

– 55 to

25_C

ÎÎÎ

Î

v

85_C

ÎÎ

Î

v

125_C

Î

Unit

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

t

PLH

,

t

PHL

ОООООООООООООО

Î

ОООООООООООООО

Î

Maximum Propagation Delay, Input A to Output Y

(Figures 1 and 2)

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

70 40 14 12

ÎÎÎ

Î

90 45 18 15

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

105

50 21 18

Î

ns

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

t

TLH

,

t

THL

ОООООООООООООО

Î

ОООООООООООООО

Î

Maximum Output Transition Time, Any Output

(Figures 1 and 2)

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

75 27 15 13

ÎÎÎ

Î

95 32 19 16

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

110

36 22 19

Î

ns

C

in

Maximum Input Capacitance

—

10

ÎÎÎ

10

pF

NOTES:

1. For propagation delays with loads other than 50 pF , see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).

2. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).

Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V

C

PD

Power Dissipation Capacitance (Per Inverter)*

15

pF

*Used to determine the no–load dynamic power consumption: PD = CPD V

CC

2

f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the

ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).