HE382B/HEM382B
集成宽带放大器
典型曲线
1
性能特点
l 频率范围：20～1000MHz
l 良好的50Ω阻抗匹配，易级联使用
l 微波薄膜电路结构, 电性能稳定可靠
l 采用标准全密封管壳封装
l 满足军温工作条件：-55℃～+85℃
电性能表 (50 测试系统，V =+15V，T = )
性能参数 符号 单位 规范值 典型值
频率范围 f ～f
小信号功率增益 Gp dB
增益平坦度 ΔGp dB ≤±0.7 5 ±0.5
射频/微波集成放大器系列
噪声系数 Fn dB
输入驻波比 VSWRi --
输出驻波比 VSWRo --
线性输出功率 P- 1 dB m
工作电流 I CCmA - - 25
注：1)
2) V =12V下Gp下降0.3dB,P-1下降3.2dB,电流为20mA（Typ)。
极限参数
最高电源电压: +18VDC
最大输入功率: +10dBm
最高储存温度: +125℃
使用说明
1. 电路按右图连接，C =3.3～22μF；
C =3300～6800pF；C3=1000pF；
2
2. 可与美国HP公司UTO1043替代使用；
3. 输入、输出端到地直流电阻为零；
4. 可提供盒体结构(SMA输出)SMA-1封装
类型的产品；
5. 外形尺寸和安装使用方法见本册附后
的《封装外形 尺寸及安装使用说明》页。
Ω -55℃～+85℃
f =600MHz 规范值中带 Δ 的参数为常温参数。
*
“ ” ； “ ”
CC
L H
1
CC A
MHz 20～100 0 20～1000
10.0
≥
4.0
Δ
≤
≤ 2.5:1
2.5:1
≤
8.0 *
Δ
≥
1
4
2
3
SMO-8C
TO-8C
11.0
1.8:1
1.8:1
2
3.5
--
1
13
HEM382B
批号
3
+15V
C1
IN
C3
1
2
4
外壳
C3
C2
OUT
增益与频率曲线
800
Ta=+25℃
Ta=+85℃
Ta=- 55℃
1200
12
11
Gain(dB)
10
20
400
Frequency(MHz)
驻波比与频率曲线
VSWRo
2.0
1.5
VSWR
1.0
VSWRi
20
400
Frequency(MHz)
800
1200
噪声与频率曲线
800
Ta=+25℃
Ta=+85℃
Ta=- 55℃
1200
5.0
3.0
Fn(dB)
1.0
20
4
400
Frequency(MHz)
功率与频率曲线
9
8
P-1(dBm)
7
20
400
Frequency(MHz)
800
1200
1-76
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