MMC HE311, HEM311 Technical data

HE311/HEM311

集成宽带放大器

典型曲线

1

性能特点

l

频率范围：1～100MHz

l 输出功率大：18dBm(典型值）
l IP3(out):30dBm(典型值）
l 良好的50Ω阻抗匹配，易级联使用
l 微波薄膜电路结构, 电性能稳定可靠
l 采用标准全密封管壳封装
l 满足军温工作条件：-55℃～+85℃

电性能表 (50Ω测试系统，V =+12V，T =-55℃～+85℃)

性能参数 符号 单位
频率范围 f ～f
小信号功率增益

射频/微波集成放大器系列

增益平坦度 △Gp
噪声系数 Fn d B ≤4. 5Δ 4.0
输入驻波比 VSWRi - - ≤2.0: 1 1.7:1
输出驻波比 VSWRo - - 2.0: 1 ≤1.7:1
线性输出功率
工作电流 I

注:

*

f =50MHz

“

”

极限参数

最高电源电压: +14VDC
最大输入功率: +10dBm
最高储存温度: +125℃

使用说明

1. 电路按右图连接， C =3.3～22μF；
C =1000～3300pF；C3=0.1μF ；

2

2. 电感最好选用射频扼流圈，L=130μH

左右；

3. 可提供盒体结构(SMA输出)SMA-1封装

类型的产品；

4. 外形尺寸和安装使用方法见本册附后

的《封装外形 尺寸及安装使用说明》页。

CC A

L H

MHz 1～10 0 - -

Gp dB

dB

m

dB

P

-1

CC

规范值中带

；

1

mA

- - 58

Δ

“

”

典型值

规范 值

≥17.0

18.0

≤ 1.0

≥17.0

*Δ

18.0

的参数为常温参数。

1

4

2

3

TO-8C

SMO-8C

2

HEM311

+12V

C1

L

IN

C3

1

2

外壳

0.6

1

13

批号

3

增益与频率曲线

20

18

Gain(dB)

16

1

40

20

60

Frequency(MHz)

Ta=+25℃
Ta=+85℃
Ta=- 55℃

80

100

120

1.9

1.7

VSWR

1.5

4.5

4.0

Fn(dB)

3.5

4

19

驻波比与频率曲线

VSWRi

1

40

20

Frequency(MHz)

噪声与频率曲线

40

1

1

40

20

Frequency(MHz)

功率与频率曲线

VSWRo

60

80

100

120

Ta=+25℃
Ta=+85℃
Ta=- 55℃

60

60

80

80

100

100

120

17

P-1(dBm)

C2

OUT

4

C3

15

80

40

1

1

40

20

20

Frequency(MHz)

80

60

100

100

120

1-14

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