MMC HE387D, HEM387D Technical data
HE387D/HEM387D
集成宽带放大器
典型曲线
性能特点
频率范围：100～700MHz
l
高效率，大动态：55mA输出21dBm(典型值）
l
l
采用有源偏置设计提供温度补偿
l
良好的50Ω阻抗匹配，易于级联使用
l
微波薄膜电路结构，电性能稳定可靠
l
采用标准全密封金属管壳封装
l
满足军温工作条件：-55℃～+85℃
电性能表 (50 测试系统，V =+15V， )
性能参数 符号 单位 规范值 典型值
频率范围 f ～f
小信号功率增益 Gp dB
增益平坦度 ΔGp dB
噪声系数 Fn dB
输入驻波比 VSWRi --
输出驻波比 VSWRo --
线性输出功率 P-1 dBm
工作电流 I CCmA - - 55
注：1)“*”f =200MH z ；规范 值中带“Δ”的参数为常温参数。
2) Vcc＝12V下Gp下降0.2dB,P-1下降2.5dB,电流为45mA(Typ)
如产品使用于12V情况下,请订货时标明,以便测试提供。
极限参数
最高电源电压: +18VDC
最大输入功率: +7dBm
最高储存温度: +125℃
使用说明
1. 电路按右图连接，内部集成有耦合电容，
C =3.3～22μF；C =3300～6800pF；
1 2
2. 可与美国W-J公司A89替换使用；
3. 可提供盒体结构(SMA输出)SMA-1封装
类型的产品；
4. 外形尺寸和安装使用方法见本册附后
的《封装外形 尺寸及安装使用说明》页。
Ω T =-55℃～+85℃
L H
CC
A
MHz 100～700 --
21.0 Δ
≥
1.0 Δ
≤
4. 5
Δ
≤
2.0:1 Δ
≤
2.0:1 Δ
≤
20.0 *
≥
4
TO-8C
Δ
1
2
3
SMO-8C
2
+15V
C1
IN
1
2
22.0
0.6
3.8
1.5:1
1.5:1
21.0
1
13
HEM387D
批号
3
4
外壳
。
4
C2
OUT
增益与频率曲线
23
22
Gain(dB)
21
100
Frequency(MHz)
驻波比与频率曲线
2.0
VSWR
1.5
100
4.0
Fn(dB)
3.5
100
输出功率和OIP3与频率曲线
22
20
P-1(dBm)
18
100
VSWRo
VSWRi
Frequency(MHz)
噪声与频率曲线
Ta=+25℃
Ta=+25℃
Ta=+85℃
Ta=+85℃
Ta=- 55℃
Ta=- 55℃
Frequency(MHz)
P-1
OIP3
Frequency(MHz)
400
400
400
400
Ta=+25℃
Ta=+25℃
Ta=+85℃
Ta=+85℃
Ta=- 55℃
Ta=- 55℃
1
700
700
射频/微波集成放大器系列
700
37
33
OIP3(dBm)
29
700
石家庄市179信箱76分箱(050002) ☆ 电话:0311-83933285,3281,3427 ☆ 传真:0311-83933424 ☆ http://www.hbmmc.com
1-85
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