1
性能特点
l 频率范围：1～100MHz
l 增益：28dB（典型值）
l IP3（out)：30dBm（典型值）
l 大动态：1dB压缩输出17dBm（典型值）
l 薄膜电路结构，电性能稳定可靠
l 采用标准全密封TO-8F金属管壳封装
电性能表 (50 测试系统，V =+15V， )
性能参数 符号 单位 规范值 典型值
频率范围 f ～f MHz 1～100 --
小信号功率增益 Gp dB
射频/微波集成放大器系列
增益平坦度 ΔGp dB ≤1. 0 0.4
噪声系数 Fn dB
输入驻波比 VSWRi -- ≤2.0:1 1.5:1
输出驻波比 VSWRo -- ≤2.0:1 1.5:1
线性输出功率 P- 1 dBm
工作电流 I mA - - 32
注:1)
“*”
2) Vcc＝12V下Gp下降0.4dB,P-1下降2.8dB,电流为26mA(Typ)。
极限参数
最高电源电压: +17VDC
最大输入功率: +7dBm
最高储存温度: +125℃
使用说明
1.电路按右图连接，内部集成耦合电容；
C =3.3～22μF；C =1000～3300pF；
1 2
2.可提供盒体结构(SMA输出)SMA-2封
装类型的产品；
3.外形尺寸和安装使用方法见本册附后
的《封装外形 尺寸及安装使用说明》页。
Ω T =-55℃～+85℃
L H
f
规范值中带“Δ”的参数为常温参数。=50MHz
；
CC
CC
A
≥
27. 0
Δ 2.2
≤2. 5
Δ 17.0
16.0*
≥
IN
28.0
1
4
2
3
TO-8F
+15V
C1
1
2
4
外壳
典型曲线
C2
OUT
30
28
Gain(dB)
26
1
1.6
1.4
VSWR
1.2
1
3.5
2.5
Fn(dB)
1.5
1
18
16
P-1(dBm)
14
1
HE313
集成宽带放大器
增益与频率曲线
40
20
驻波比与频率曲线
20
噪声与频率曲线
20
功率与频率曲线
20
60
Frequency(MHz)
40
60
Frequency(MHz)
40
60
Frequency(MHz)
40
60
Frequency(MHz)
80
VSWRi
VSWRo
80
80
80
Ta=+25℃
Ta=+25℃
Ta=+85℃
Ta=+85℃
Ta=- 55℃
Ta=- 55℃
100
100
Ta=+25℃
Ta=+25℃
Ta=+85℃
Ta=+85℃
Ta=- 55℃
Ta=- 55℃
100
100
1-16
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