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MICROCHIP
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TC6501
Technical data
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MICROCHIP TC6501, TC6502, TC6503, TC6504 Technical data

TC6501/2/3/4
带引脚可选择迟滞功能的超小型温度开关
特性
•5引脚 SOT-23A 封装
• 出厂前以 10°C 为增量预设 -45°C 至 +125°C 范围内
的温度门限
• 引脚可选择 +2°C 或 +10°C 温度迟滞
• 在整个温度范围内具有 ±0.5°C （典型值）的门限
• 无需外接元器件
•17µA电源电流 （典型值）
应用
• 个人电脑和服务器中的热管理
• 过温故障保护电路
• 简单风扇控制器
• 温度报警
• 投影仪 / 打印机
• 笔记本电脑
• 网络设备
封装类型
TC6501
T
GND
GND
HYST
1
2
3
TC6501 TC6502
5
OVER
T
TC6502
OVER
4
V
CC
概述
TC6501/2/3/4 为 SOT-23 封装的温度开关，无需外部元 件，并提供出厂前预设的温度门限。另外，还提供出厂 前微调的温度触发点选择。通过引脚可选择 +2°C 或 +10°C 迟滞，这为应用设计带来更大的灵活性。这类器 件仅消耗 17 µA （典型值）的电源电流，可以工作在
-55°C 至 +135°C 的整个温度范围，并提供±0.5°C（典型 值）的精度。
TC6501和TC6503具有开漏低电平有效输出，其目标应 用为单片机的复位控制。 TC6502 和 TC6504 为高电平 有效 CMOS 输出，设计为驱动逻辑电平 MOSFET，用 以启动风扇或加热装置。
TC6501/TC6502 设计用于高温监测 （+35°C 至 +125°C）。这类器件在温度超过门限温度值时输出一个 逻辑信号。 TC6503/TC6504 为低温监测 （-45°C 至 +15°C）而优化设计，当温度低于门限温度值时器件输
出一个逻辑信号。
TC6501/2/3/4 提供 5 个标准温度门限选择，采用 5 引脚 SOT-23A 封装，是需要高集成度、小尺寸、低功耗和低
安装成本的应用的理想选择。
典型应用
+2.7V 至 +5.5V
100 pF
V
CC
TC6502
T
OVER
GND GNDHYST
PICmicro
单片机
INT
GND
V
CC
®
UNDER
UNDER
CC
TC6503
TC6504
T
1
GND
2
3
TC6503 TC6504
GND
HYST
注 ：5 引脚 SOT-23A 等同于 EIAJ SC-74A
2006 Microchip Technology Inc. DS21451D_CN 第 1 页
5
T
4
V
TC6501/2/3/4

1.0 电气特性

绝对最大额定值 *
电源电压 （VCC）.................................... -0.3V 至 +7V
* 注意：如果器件运行条件超过上述各项绝对最大额定值，可
能对器件造成永久性损坏。上述参数仅是允许条件的极大值， 我们不建议使器件运行在超过或在技术规范以外的条件下运 行。器件长时间工作在绝对最大额定值条件下，其稳定性可能 受到影响。
输入电流 （所有引脚 ）......................................20 mA
输出电流 （所有引脚）.......................................20 mA
工作温度范围..................................... -55°C 至 +135°C
储存温度范围..................................... -65°C 至 +165°C
（TC6501）...................................-0.3V 至 +7V
T
OVER
（TC6502）.....................-0.3V 至 (VCC + 0.3V)
T
OVER
T
T
其他引脚.....................................-0.3V 至 (V
最大结温， T
功耗 （T
（TC6503）...................................-0.3V 至 7V
UNDER
（TC6504）...................-0.3V 至 (VCC + 0.3V)
UNDER
..................................................... 150°C
J
= +70°C）：
A
+ 0.3V)
CC
（高于 +70°C 时降幅为 7.1 mW/°C）............570 mW

电气参数

电气规范：除非另有说明，否则 VCC = +2.7V 至 +5.5V， R 100 pF 的去耦电容且 T
电源电压范围 V 电源电流 I
HYST 输入门限 V HYST 输入门限 V
温度门限精度 （注 1） ∆T
温度门限迟滞 T
输出电压高电平 V
输出电压低电平 V
开漏输出泄漏电流 —10 —nAV
注 1： TC6501/2/3/4 提供以 +10°C 为增量，从 -45°C 至 +125°C 的出厂前预设内部触发温度门限值。
= -55°C 至 +135°C。典型值为 TA = +25°C 时测得的。
AMB
参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件
CC
CC
0.8 x V
IH
IL
TH
HYST
0.8 x V
OH
V
CC
OL
= 100 kΩ （仅 TC6501/TC6503）， V
PULL-UP
2.7 — 5.5 V
—17 40µA
——V
CC
— — 0.2 x V
-6 ±0.5 6 °C -45°C 至 -25°C
-4 ±0.5 4 °C -15°C 至 +15°C
-4 ±0.5 4 °C +35°C 至 +65°C
-6 ±0.5 6 °C +75°C 至 +125°C
— 2.0 — °C HYST = GND
— 10 — °C HYST = V
——VI
CC
– 1.5 — — V I
——0.3VI
——0.4VI
CC
V
CC
SOURCE
（仅 TC6502/TC6504）
SOURCE
（仅 TC6502/TC6504）
= 1.2 mA， VCC > 2.7V
SINK
= 3.2 mA， VCC > 4.5V
SINK
= 2.7V， T
CC
（TC6503）；
T
OVER
与 GND 之间连接
CC
= 500 µA， VCC> 2.7V
= 800 µA， VCC> 4.5V
= 5.5V
UNDER
= 5.5V （TC6501）
DS21451D_CN 第 2 页  2006 Microchip Technology Inc.
TC6501/2/3/4
0
0
5

2.0 典型工作特性曲线

注： 以下图表为基于有限数量样本所作的统计，仅供参考。所列特性未经测试，我公司不作任何担保。在一些图
表中，所列数据可能超出规定的工作范围 （如：超出规定的电源电压范围），因而不在担保范围内。
注： 除非另有说明，否则 VCC = 5.0V，R
.
的去耦电容且 T
60
50
40
30
Frequency
20
10
0
-5 -3-4 -1-2 103254
图
2-1
： 触发温度门限精度
80
V
70
CC
60 50 40 30 20
Output Resistance (Ω)
10
0
01020304050
= 4.0V
Temperature (˚C)
= +25°C。
AMB
Accuracy (˚C)
VCC = 2.7V
VCC = 5.0V
60 70 80 90 10
PULL-UP
= 100 kΩ（仅 TC6501/TC6503），V
40 35 30 25 20 15 10
Supply Current (µA)
5 0
-60 -40 -20 0 20 40
图
2-4
： 电源电流—温度曲线
12
10
8
6
4
Hysteresis (˚C)
2
0
-45
Temperature (˚C)
HYST = V
TC6503/04
HYS = GND
TC6503/04
-25
-5
Trip Temperature (˚C)
与 GND 之间连接 100 pF
CC
60 80100 120 14
CC
TC6501/02
TC6501/02
55 75
15
35
95 11
2-2
： 输出灌电流电阻—温度曲线
图
+100˚C
+15˚C/div
Mounted On 0.75 in
of 2 oz. Copper
5sec/div
2-3
： 氟化物液体中的温度阶跃响应
图
（
SOT-23
2006 Microchip Technology Inc. DS21451D_CN 第 3 页
封装）
2
+25˚C
2-5
： 温度迟滞—触发温度曲线
图
+12.5 C/div
Mounted On 0.75 in
20sec/div
2-6
： 静止空气中的温度阶跃响应
图
（
SOT-23
封装）
of 2 oz. Copper
+100˚C
2
+25˚C
TC6501/2/3/4
0
注： 除非另有说明，否则 VCC = 5.0V，R
的去耦电容且 T
180 160
140 120 100
80 60
180
40
Output Source Resistance (Ω)
20
0 20 40 60 80 100
图
2-7
： 输出源电阻—温度曲线 （
Temperature (˚C)
= +25°C。
AMB
VCC = 2.7V
VCC = 4.0V
VCC = 5.0V
120
PULL-UP
14
TC6502
= 100 kΩ（仅 TC6501/TC6503），V
）
与 GND 之间接有 100 pF
CC
DS21451D_CN 第 4 页  2006 Microchip Technology Inc.
TC6501/2/3/4

3.0 引脚功能描述

引脚说明如表 3-1 所示。

表 3-1： 引脚功能表

TC6501 TC6502 TC6503 TC6504 符号 说明
1
， 21， 21， 21， 2GND接地引脚
3 3 3 3 HYST 迟滞选择输入
44 4 4V
5———T
—5 ——T
—— 5 —T
—— — 5T
CC
OVER
OVER
UNDER
UNDER
电源电压输入 （+2.7V 至 +5.5V） 低电平有效开漏输出 高电平有效推挽输出 低电平有效开漏输出 高电平有效推挽输出

3.1 接地引脚

将器件的接地引脚直接连接到 PCB 的地，并使连接线 的长度尽可能短。引脚 2 到芯片管芯的热阻最低。

3.2 迟滞选择输入 （HYST）

通过将HYST引脚接GND或VCC，可以选择2°C（GND） 或 10°C （V
）的迟滞。
CC

3.3 电源电压输入 （VCC）

建议在 VCC和 GND 之间连接一个容 100 pF 或容量更 高的去耦电容。
3.4 低电平有效开漏输出 （TC6501） （T
当温度传感器检测到的温度超过出厂前预设的温度门限 值时， T
T
使用 100 kΩ的上拉电阻）。这个引脚上的电压可以超过
V
OVER
引脚为开漏输出，因此需要外部上拉电阻（建议
OVER
，但是不能超过绝对最大输入电压值 7.0V。
CC
）
OVER
引脚的电压等于逻辑低电平电压。由于
3.5 高电平有效推挽输出 （TC6502） （T
当温度传感器检测到的温度超过出厂前预设的温度门限 值时， T
OVER
）
OVER
引脚的电压等于逻辑高电平电压。
3.6 低电平有效开漏输出 （TC6503） （T
UNDER
当温度传感器检测到的温度低于出厂前预设的温度门限 值时， T
T
使用 100 kΩ的上拉电阻）。这个引脚上的电压可以超过
V
UNDER
引脚为开漏输出，因此需要外部上拉电阻（建议
OVER
，但是不能超过绝对最大输入电压值 7.0V。
CC
）
引脚的电压等于逻辑低电平电压。由于
3.7 高电平有效推挽输出 （TC6504） （T
UNDER
当温度传感器检测到的温度低于出厂前预设的温度门限 值时， T
UNDER
）
引脚的电压等于逻辑高电平电压。
2006 Microchip Technology Inc. DS21451D_CN 第 5 页
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