MICROCHIP TC6501, TC6502, TC6503, TC6504 Technical data

TC6501/2/3/4
带引脚可选择迟滞功能的超小型温度开关
特性
•5引脚 SOT-23A 封装
出厂前以 10°C 为增量预设 -45°C +125°C 范围内
的温度门限
引脚可选择 +2°C +10°C 温度迟滞
在整个温度范围内具有 ±0.5°C (典型值)的门限
无需外接元器件
•17µA电源电流 (典型值)
应用
个人电脑和服务器中的热管理
过温故障保护电路
简单风扇控制器
温度报警
投影仪 / 打印机
笔记本电脑
网络设备
封装类型
TC6501
T
GND
GND
HYST
1
2
3
TC6501 TC6502
5
OVER
T
TC6502
OVER
4
V
CC
概述
TC6501/2/3/4 SOT-23 封装的温度开关,无需外部元 件,并提供出厂前预设的温度门限。另外,还提供出厂 前微调的温度触发点选择。通过引脚可选择 +2°C +10°C 迟滞,这为应用设计带来更大的灵活性。这类器 件仅消耗 17 µA (典型值)的电源电流,可以工作在
-55°C +135°C 的整个温度范围,并提供±0.5°C(典型 值)的精度。
TC6501TC6503具有开漏低电平有效输出,其目标应 用为单片机的复位控制。 TC6502 TC6504 为高电平 有效 CMOS 输出,设计为驱动逻辑电平 MOSFET,用 以启动风扇或加热装置。
TC6501/TC6502 设计用于高温监测 (+35°C +125°C)。这类器件在温度超过门限温度值时输出一个 逻辑信号。 TC6503/TC6504 为低温监测 (-45°C +15°C)而优化设计,当温度低于门限温度值时器件输
出一个逻辑信号。
TC6501/2/3/4 提供 5 个标准温度门限选择,采用 5 引脚 SOT-23A 封装,是需要高集成度、小尺寸、低功耗和低
安装成本的应用的理想选择。
典型应用
+2.7V +5.5V
100 pF
V
CC
TC6502
T
OVER
GND GNDHYST
PICmicro
单片机
INT
GND
V
CC
®
UNDER
UNDER
CC
TC6503
TC6504
T
1
GND
2
3
TC6503 TC6504
GND
HYST
:5 引脚 SOT-23A 等同于 EIAJ SC-74A
2006 Microchip Technology Inc. DS21451D_CN 第 1
5
T
4
V
TC6501/2/3/4

1.0 电气特性

绝对最大额定值 *
电源电压 (VCC).................................... -0.3V 至 +7V
* 注意:如果器件运行条件超过上述各项绝对最大额定值,可
能对器件造成永久性损坏。上述参数仅是允许条件的极大值, 我们不建议使器件运行在超过或在技术规范以外的条件下运 行。器件长时间工作在绝对最大额定值条件下,其稳定性可能 受到影响。
输入电流 (所有引脚 )......................................20 mA
输出电流 (所有引脚).......................................20 mA
工作温度范围..................................... -55°C +135°C
储存温度范围..................................... -65°C +165°C
TC6501...................................-0.3V 至 +7V
T
OVER
TC6502.....................-0.3V (VCC + 0.3V)
T
OVER
T
T
其他引脚.....................................-0.3V 至 (V
最大结温, T
功耗 (T
TC6503...................................-0.3V 至 7V
UNDER
TC6504...................-0.3V (VCC + 0.3V)
UNDER
..................................................... 150°C
J
= +70°C):
A
+ 0.3V)
CC
(高于 +70°C 时降幅为 7.1 mW/°C............570 mW

电气参数

电气规范:除非另有说明,否则 VCC = +2.7V 至 +5.5VR 100 pF 的去耦电容且 T
电源电压范围 V 电源电流 I
HYST 输入门限 V HYST 输入门限 V
温度门限精度 (注 1 T
温度门限迟滞 T
输出电压高电平 V
输出电压低电平 V
开漏输出泄漏电流 —10 —nAV
1TC6501/2/3/4 提供以 +10°C 为增量,从 -45°C +125°C 的出厂前预设内部触发温度门限值。
= -55°C 至 +135°C。典型值为 TA = +25°C 时测得的。
AMB
参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件
CC
CC
0.8 x V
IH
IL
TH
HYST
0.8 x V
OH
V
CC
OL
= 100 k(仅 TC6501/TC6503), V
PULL-UP
2.7 5.5 V
—17 4A
——V
CC
0.2 x V
-6 ±0.5 6 °C -45°C -25°C
-4 ±0.5 4 °C -15°C +15°C
-4 ±0.5 4 °C +35°C +65°C
-6 ±0.5 6 °C +75°C +125°C
2.0 °C HYST = GND
10 °C HYST = V
——VI
CC
– 1.5 V I
——0.3VI
——0.4VI
CC
V
CC
SOURCE
(仅 TC6502/TC6504
SOURCE
(仅 TC6502/TC6504
= 1.2 mA, VCC > 2.7V
SINK
= 3.2 mA, VCC > 4.5V
SINK
= 2.7V, T
CC
TC6503);
T
OVER
GND 之间连接
CC
= 500 µA, VCC> 2.7V
= 800 µA, VCC> 4.5V
= 5.5V
UNDER
= 5.5V TC6501
DS21451D_CN 2  2006 Microchip Technology Inc.
TC6501/2/3/4
0
0
5

2.0 典型工作特性曲线

注: 以下图表为基于有限数量样本所作的统计,仅供参考。所列特性未经测试,我公司不作任何担保。在一些图
表中,所列数据可能超出规定的工作范围 (如:超出规定的电源电压范围),因而不在担保范围内。
注: 除非另有说明,否则 VCC = 5.0V,R
.
的去耦电容且 T
60
50
40
30
Frequency
20
10
0
-5 -3-4 -1-2 103254
2-1
触发温度门限精度
80
V
70
CC
60 50 40 30 20
Output Resistance ()
10
0
01020304050
= 4.0V
Temperature (˚C)
= +25°C
AMB
Accuracy (˚C)
VCC = 2.7V
VCC = 5.0V
60 70 80 90 10
PULL-UP
= 100 k(仅 TC6501/TC6503),V
40 35 30 25 20 15 10
Supply Current (µA)
5 0
-60 -40 -20 0 20 40
2-4
电源电流—温度曲线
12
10
8
6
4
Hysteresis (˚C)
2
0
-45
Temperature (˚C)
HYST = V
TC6503/04
HYS = GND
TC6503/04
-25
-5
Trip Temperature (˚C)
GND 之间连接 100 pF
CC
60 80100 120 14
CC
TC6501/02
TC6501/02
55 75
15
35
95 11
2-2
输出灌电流电阻—温度曲线
+100˚C
+15˚C/div
Mounted On 0.75 in
of 2 oz. Copper
5sec/div
2-3
氟化物液体中的温度阶跃响应
SOT-23
2006 Microchip Technology Inc. DS21451D_CN 3 页
封装)
2
+25˚C
2-5
温度迟滞—触发温度曲线
+12.5 C/div
Mounted On 0.75 in
20sec/div
2-6
静止空气中的温度阶跃响应
SOT-23
封装)
of 2 oz. Copper
+100˚C
2
+25˚C
TC6501/2/3/4
0
注: 除非另有说明,否则 VCC = 5.0V,R
的去耦电容且 T
180 160
140 120 100
80 60
180
40
Output Source Resistance ()
20
0 20 40 60 80 100
2-7
输出源电阻—温度曲线 (
Temperature (˚C)
= +25°C
AMB
VCC = 2.7V
VCC = 4.0V
VCC = 5.0V
120
PULL-UP
14
TC6502
= 100 kΩ(仅 TC6501/TC6503),V
GND 之间接有 100 pF
CC
DS21451D_CN 4  2006 Microchip Technology Inc.
TC6501/2/3/4

3.0 引脚功能描述

引脚说明如表 3-1 所示。

3-1 引脚功能表

TC6501 TC6502 TC6503 TC6504 符号 说明
1
2121212GND接地引脚
3 3 3 3 HYST 迟滞选择输入
44 4 4V
5———T
—5 ——T
—— 5 —T
—— — 5T
CC
OVER
OVER
UNDER
UNDER
电源电压输入 (+2.7V +5.5V) 低电平有效开漏输出 高电平有效推挽输出 低电平有效开漏输出 高电平有效推挽输出

3.1 接地引脚

将器件的接地引脚直接连接到 PCB 的地,并使连接线 的长度尽可能短。引脚 2 到芯片管芯的热阻最低。

3.2 迟滞选择输入 (HYST

通过将HYST引脚接GNDVCC,可以选择2°C(GND10°C V
)的迟滞。
CC

3.3 电源电压输入 (VCC)

建议在 VCC和 GND 之间连接一个容 100 pF 或容量更 高的去耦电容。
3.4 低电平有效开漏输出 (TC6501) (T
当温度传感器检测到的温度超过出厂前预设的温度门限 值时, T
T
使用 100 k的上拉电阻)。这个引脚上的电压可以超过
V
OVER
引脚为开漏输出,因此需要外部上拉电阻(建议
OVER
,但是不能超过绝对最大输入电压值 7.0V
CC
OVER
引脚的电压等于逻辑低电平电压。由于
3.5 高电平有效推挽输出 (TC6502) (T
当温度传感器检测到的温度超过出厂前预设的温度门限 值时, T
OVER
OVER
引脚的电压等于逻辑高电平电压。
3.6 低电平有效开漏输出 (TC6503) (T
UNDER
当温度传感器检测到的温度低于出厂前预设的温度门限 值时, T
T
使用 100 k的上拉电阻)。这个引脚上的电压可以超过
V
UNDER
引脚为开漏输出,因此需要外部上拉电阻(建议
OVER
,但是不能超过绝对最大输入电压值 7.0V
CC
引脚的电压等于逻辑低电平电压。由于
3.7 高电平有效推挽输出 (TC6504) (T
UNDER
当温度传感器检测到的温度低于出厂前预设的温度门限 值时, T
UNDER
引脚的电压等于逻辑高电平电压。
2006 Microchip Technology Inc. DS21451D_CN 5 页
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