MICROCHIP MCP4021, MCP4022, MCP4023, MCP4024 Technical data

MCP4021/2/3/4

基于 WiperLock™ 技术的低成本非易失性数字电位计

特性

• 非易失性数字电位计，提供 SOT-23、 SOIC、 MSOP 和 DFN 四种封装形式

•64个抽头：在 A 和 B 端间利用抽头形成 63 个分级电阻

• 简单 Up/Down

（U/D）协议

• 上电自动调用保存的电刷设置

• 电阻阻值：2.1 kΩ、 5kΩ、 10 kΩ 或 50 kΩ

• 低温度系数：

- 绝对值（变阻器）：50 ppm （0°C 至 70°C 内的典

型值）

- 比率（电位计）：10 ppm （典型值）

• 低电刷电阻：75Ω （典型值）

• WiperLock™ 技术可保护非易失性存储器

（EEPROM）中的电刷设置

• 可承受高电平数字输入：最高可达 12.5V

• 低功耗运行：静态电流最大值为 1µA

• 宽工作电压范围：2.7V 至 5.5V

• 扩展级温度范围：-40°C 至 +125°C

应用

• 电源的调整和校准

• 可在新设计中取代传统机械电位计

• 仪表、偏置和增益调节

封装形式

MCP4021

SOIC，MSOP，DFN

V

1

DD

V

2

SS

A

3

W

4

MCP4023

SOT-23-6

电位计变阻器

V

U/D

DD

SS

A

1

2

BB

3

原理框图

V

DD

上电和欠压

V

SS

B

W

控制

MCP4022

SOT-23-6

变阻器电位计

U/D

8

7

NC

6

B

CS

5

V

U/D

DD

1

A

2

SS

3

B

A

6

W

5

CS

4

MCP4024

SOT-23-5

A

W

CS

V

U/D

1

DD

SS

W

2

3

6

5

4

W

5

A

CS

4

A

说明

MCP4021/2/3/4 系列器件是 6 位分辨率的非易失性数字电位计，它既可以配置成电位计，也可以配置成变阻器。通过简单的 Up/Down （U/D）串行接口对电刷设置进行控制。

该系列器件采用了 Microchip 的 WiperLock 技术，它允许在 EEPROM 中保存应用特定的校准设置，而不需要使用额外的写保护引脚。

CS

U/D

2 线接口

和控制逻辑

EEPROM 和 WiperLock™

技术

电刷寄存器

W

　（变阻器）

B

器件特点

器件电刷配置

MCP4021 电位计

MCP4022

MCP4023

MCP4024

注 1：如果将 A 或 B 端任意一端悬空，则器件配置为变阻器模式。

.

 2006 Microchip Technology Inc. DS21945C_CN 第 1 页

(1)

变阻器电位计变阻器

存储器

类型

EE 2.1,5.0,10.0,50.0 75 64 2.7V - 5.5V U/D

EE 2.1,5.0,10.0,50.0 75 64 2.7V- 5.5V U/D

EE 2.1,5.0,10.0,50.0 75 64 2.7V - 5.5V U/D

电阻（典型值）

选项（kΩ）电刷（Ω）

调节级数

V

DD

工作范围

控制接口

WiperLock™

技术

是是是是

MCP4021/2/3/4

1.0 电气特性

绝对最大额定值 †

† 注意：如果器件工作条件超过上述 “绝对最大额定值”，可

能会对器件造成永久性损坏。上述值仅为运行条件的极大值，我们不建议器件在该规范规定的范围以外运行。器件长时间工作在绝对最大极限条件下，其稳定性会受到影响。

VDD...................................................................................6.5V

相对于 V 相对于 V

的 CS 和 U/D 引脚 .........................-0.3V 至 12.5V

SS

的 A、 B 和 W 端电压 ........... -0.3V 至 VDD + 0.3V

SS

输入引脚电流...............................................................±10 mA

电源引脚电流...............................................................±10 mA

电位计引脚电流..........................................................±2.5 mA

储存温度....................................................... -65°C 至 +150°C

上电后的环境温度 ........................................ -55°C 至 +125°C

所有引脚的 ESD 保护参数...........≥ 4kV(HBM)， ≥400V(MM)

最大结温 T

.................................................................+150°C

J

AC/DC 特性

电气规范：除非另有说明，否则所有参数适用于规定的工作范围。

T

= -40°C 至 +125°C， 2.1kΩ， 5kΩ， 10kΩ 和 50 kΩ 器件。典型值参数条件是在 V

A

参数符号最小值典型值最大值单位条件

工作电压范围

CS

引脚输入电压

供电电流

电阻

V

I

R

（± 20%）

分辨率

步长电阻

注 1：电阻定义为 A 与 B 端间的电阻值。

2：当 V 3：仅 MCP4021/23，测试条件：I

= VDD和 VB = VSS（-202 器件 VA = 4V）时，在 VW处测量 INL 和 DNL。

A

W

4：仅 MCP4022/24，测试条件：

某一电压下的电流值注释

器件电阻

5.5V 2.7V

2.1 kΩ 2.25 mA 1.1 mA MCP4022 包括 V 5kΩ 1.4 mA 450 µA

10 kΩ 450 µA 210 µA 50 kΩ 90 µA 40 µA

DD

CS

DD

AB

N64

R

S

= 1.9 mA， code = 00h。

2.7 — 5.5 V

V

SS

— 12.5 V

—45 — µA

—15 — µA

—0.3 1 µA

—0.6 3 mAT

1.68 2.1 2.52 kΩ

4.0 5 6.0 kΩ

8.0 10 12.0 kΩ

40.0 50 60.0 kΩ

/ 63

R

—

AB

MCP4024 包括 V

WZSE

WFSE

= 5.5V， VSS = 0V， TA = +25°C。

DD

抽头数无丢失代码

— Ω

引脚电压有三个状态（VIL、

CS

或 V

V

IH

5.5V， CS

2.7V， CS

）。（注 6）

IHH

= VSS， f

U/D

串行接口无效

= VIH， U/D = VIH）

（CS

= +25°C

A

-202 器件（注 1）

-502 器件（注 1）

-103 器件（注 1）

-503 器件（注 1）

注 6

= 1 MHz

5：电阻上 A、 W 和 B 端相互之间的极性不作限制。 6：此规范由设计设定。 7：非线性度受电刷电阻（R

）影响，它会随电压和温度的波动而产生较为明显的变化。请参考第 6.0 节 “电阻”以了解

W

更多相关信息。

8：外部连接 MCP4021，以符合 MCP4022 和 MCP4024 的配置，然后进行测试。

DS21945C_CN 第 2 页  2006 Microchip Technology Inc.

AC/DC 特性（续）

电气规范：除非另有说明，否则所有参数适用于规定的工作范围。

T

= -40°C 至 +125°C， 2.1kΩ， 5kΩ， 10kΩ 和 50 kΩ 器件。典型值参数条件是在 V

A

参数符号最小值典型值最大值单位条件

电刷电阻（注 3，注 4）

标称的电阻温度系数

比率温度系数

满量程误差

零刻度误差

电位计积分非线性

电位计微分非线性

变阻器积分非线性

R

DR/DT — 50 — ppm/°C

DV

WA

V

WFSE

V

WZSE

INL -0.5 ±0.25 +0.5 LSb

DNL -0.5 ±0.25 +0.5 LSb

R-INL

MCP4021 （注 4，注 8） MCP4022 和 MCP4024 （注 4）

变阻器微分非线性

R-DNL

MCP4021 （注 4，注 8） MCP4022 和 MCP4024 （注 4）

注 1：电阻定义为 A 与 B 端间的电阻值。

2：当 V 3：仅 MCP4021/23，测试条件：I

= VDD和 VB = VSS（-202 器件 VA = 4V）时，在 VW处测量 INL 和 DNL。

A

= 1.9 mA， code = 00h。

W

4：仅 MCP4022/24，测试条件：

某一电压下的电流值注释

器件电阻

5.5V 2.7V

2.1 kΩ 2.25 mA 1.1 mA MCP4022 包括 V 5kΩ 1.4 mA 450 µA

10 kΩ 450 µA 210 µA 50 kΩ 90 µA 40 µA

W

/DT — 10 — ppm/°C

— 70 125 Ω 5.5V — 70 325 Ω 2.7V

— 100 — ppm/°C

— 150 — ppm/°C

-0.5 -0.1 +0.5 LSb

-0.5 +0.1 +0.5 LSb

-0.5 ±0.25 +0.5 LSb 2.1 kΩ 5.5V

-8.5 +4.5 +8.5 LSb

-0.5 ±0.25 +0.5 LSb 5 kΩ 5.5V

-5.5 +2.5 +5.5 LSb

-0.5 ±0.25 +0.5 LSb 10 kΩ 5.5V

-3 +1 +3 LSb

-0.5 ±0.25 +0.5 LSb 50 kΩ 5.5V

-1 +0.25 +1 LSb

-0.5 ±0.25 +0.5 LSb 2.1 kΩ 5.5V

-1 +0.5 +2 LSb

-0.5 ±0.25 +0.5 LSb 5 kΩ 5.5V

-1 +0.25 +1.25 LSb

-0.5 ±0.25 +0.5 LSb 10 kΩ 5.5V

-0.5 0 +0.5 LSb

-0.5 ±0.25 +0.5 LSb 50 kΩ 5.5V

-0.5 0 +0.5 LSb

MCP4024 包括 V

WZSE

WFSE

MCP4021/2/3/4

= 5.5V， VSS = 0V， TA = +25°C。

DD

= -20°C 至 +70°C

T

A

= -40°C 至 +85°C

T

A

= -40°C 至 +125°C

T

A

仅 MCP4021 和 MCP4023，

code = 1Fh

Code 3Fh （仅 MCP4021/23）

Code 00h （仅 MCP4021/23）

仅 MCP4021/23 （注 2）

2.7V （注 7）

5：电阻上 A、 W 和 B 端相互之间的极性不作限制。 6：此规范由设计设定。 7：非线性度受电刷电阻（R

）影响，它会随电压和温度的波动而产生较为明显的变化。请参考第 6.0 节 “电阻”以了解

W

更多相关信息。

8：外部连接 MCP4021，以符合 MCP4022 和 MCP4024 的配置，然后进行测试。

 2006 Microchip Technology Inc. DS21945C_CN 第 3 页

MCP4021/2/3/4

AC/DC 特性（续）

电气规范：除非另有说明，否则所有参数适用于规定的工作范围。

T

= -40°C 至 +125°C， 2.1kΩ， 5kΩ， 10kΩ 和 50 kΩ 器件。典型值参数条件是在 V

A

参数符号最小值典型值最大值单位条件

电阻端接输入电压范围

V

A，VW，

（A、 B 和 W 端）

流经 A、 W 或 B 端的最大电流

注入 A、 W 或 B 端的泄漏电流

电容（PA）

电容（P

）

w

）

B

带宽 -3 dB

数字输入 / 输出（CS

， U/D）

输入高电平

输入低电平

高电平输入下限

高电平输入上限

CS

上拉 / 下拉电阻

弱上拉 / 下拉电流

CS

I

C

BW — 1 — MHz

V

R

I

输入泄漏电流

CS 和 U/D 引脚电容

C

IN, COUT

RAM （电刷）值

值域

EEPROM

耐久性

E

ndurance

EEPROM 范围

初始出厂设置

电源要求

输入电源敏感度

PSS — 0.0015 0.0035 %/%

（仅 MCP4021 和 MCP4023）

注 1：电阻定义为 A 与 B 端间的电阻值。

2：当 V 3：仅 MCP4021/23，测试条件：I

= VDD和 VB = VSS（-202 器件 VA = 4V）时，在 VW处测量 INL 和 DNL。

A

W

4：仅 MCP4022/24，测试条件：

某一电压下的电流值注释

器件电阻

5.5V 2.7V

2.1 kΩ 2.25 mA 1.1 mA MCP4022 包括 V 5kΩ 1.4 mA 450 µA

10 kΩ 450 µA 210 µA 50 kΩ 90 µA 40 µA

V

B

I

W

WL

AW

W

BW

IH

IL

IHH

CS

PU

I

IL

N 0h — 3Fh hex

N 1Fh hex

= 1.9 mA， code = 00h。

Vss — V

—— 2.5 mA

—100 — nAMCP4021 A = W = B = V

—100 — nAMCP4022/23 A = W = V

—100 — nAMCP4024 W = V

—75 — pF

—120 — pF

—75 — pF

0.7 V

—— V

DD

——0.3VDDV

8.5 — 12.5

——VDD+0.8 —16 — kΩ

—170 — µA

-1 — 1 µA VIN = V

—10 — pFf

—1M —

— 0.0015 0.0035 %/%

MCP4024 包括 V

WZSE

WFSE

DD

= 5.5V， VSS = 0V， TA = +25°C。

DD

V

注 5，注 6

注 6

SS

f =1 MHz， code = 1Fh

Code = 1F，输出负载 = 30 pF

(6)

V

(6)

WiperLock™ 技术的阈值电压

V

= 5.5V， VCS = 3V

V

DD

= 5.5V， VCS = 3V

V

DD

= 1 MHz

C

周期数

WiperLock 技术 = 关

= 4.5V 至 5.5V， VA = 4.5V，

V

DD

Code = 1Fh

= 2.7V 至 4.5V， VA = 2.7V，

V

DD

Code = 1Fh

5：电阻上 A、 W 和 B 端相互之间的极性不作限制。 6：此规范由设计设定。 7：非线性度受电刷电阻（R

更多相关信息。

）影响，它会随电压和温度的波动而产生较为明显的变化。请参考第 6.0 节 “电阻”以了解

W

8：外部连接 MCP4021，以符合 MCP4022 和 MCP4024 的配置，然后进行测试。

DS21945C_CN 第 4 页  2006 Microchip Technology Inc.

MCP4021/2/3/4

t

CSLO

CS

t

LUC

U/D

W

图

1-1

：递增时序波形

t

LCUF

t

LCUR

t

LO

t

HI

t

S

串行时序特性

电气规范：除非另有说明，否则所有参数适用于规定的工作范围。扩展级温度范围（E）：V

参数符号最小值典型值最大值单位条件

CS 低电平时间 t

CS 高电平时间 t

U/D 至 CS 的保持时间 t

CS 至 U/D 低电平的建立时间 t

CS 至 U/D 高电平的建立时间 t

U/D 高电平时间 t

U/D 低电平时间 t

Up/Down 翻转频率 f

电刷稳定时间

上电时电刷响应时间

内部 EEPROM 写时间 t

= +2.7V 至 5.5V， TA = -40°C 至 +125°C。

DD

CSLO

CSHI

LUC

LCUF

LCUR

HI

LO

UD

t

S

5——µs

500 — — ns

3——µs

500 — — ns

—— 1MHz

0.5 — — µs 2.1 kΩ， C 1——µs5kΩ， C 2——µs10kΩ， C

10 5 — µs 50 kΩ， C

t

PU

WC

—200— ns

—— 5ms

1/f

UD

t

LUC

t

CSHI

t

LCUF

t

S

= 100 pF

L

= 100 pF

L

= 100 pF

L

= 100 pF

L

 2006 Microchip Technology Inc. DS21945C_CN 第 5 页

MCP4021/2/3/4

t

CSLO

CS

1/f

t

LUC

U/D

W

图

1-2

：递减时序波形

t

LCUR

t

HI

t

S

UD

t

LO

串行时序特性

电气规范：除非另有说明，否则所有参数适用于规定的工作范围。扩展级温度范围（E）：V

参数符号最小值典型值最大值单位条件

CS 低电平时间 t

CS 高电平时间 t

U/D 至 CS 的保持时间 t

CS 至 U/D 低电平的建立时间 t

CS 至 U/D 高电平的建立时间 t

U/D 高电平时间 t

U/D 低电平时间 t

Up/Down 翻转频率 f

电刷稳定时间

上电时电刷响应时间

内部 EEPROM 写时间 t

= +2.7V 至 5.5V， TA =-40°C 至 +125°C。

DD

CSLO

CSHI

LUC

LCUF

LCUR

HI

LO

UD

t

S

5——µs

500 — — ns

3——µs

500 — — ns

—— 1MHz

0.5 — — µs 2.1 kΩ， C 1——µs5kΩ， C 2——µs10kΩ， C

10 5 — µs 50 kΩ， C

t

PU

WC

—200— ns

—— 5ms

t

CSHI

t

LUC

t

S

t

LCUF

L

= 100 pF

L

= 100 pF

L

= 100 pF

L

DS21945C_CN 第 6 页  2006 Microchip Technology Inc.

MCP4021/2/3/4

t

CSLO

12V

CS

5V

t

HUC

U/D

W

图

1-3

：高电平递增时序波形

t

HCUF

t

HCUR

t

LO

t

HI

t

S

串行时序特性

电气规范：除非另有说明，否则所有参数适用于规定的工作范围。扩展级温度范围（E）：V

参数符号最小值典型值最大值单位条件

CS 低电平时间 t

CS 高电平时间 t

U/D 高电平时间 t

U/D 低电平时间 t

Up/Down 翻转频率 f

HV U/D 至 CS 的保持时间 t

HV CS 至 U/D 低电平的建立时间t

= +2.7V 至 5.5V， TA = -40°C 至 +125°C。

DD

CSLO

CSHI

HI

LO

UD

HUC

HCUF

5——µs

500 — — ns

—— 1MHz

1.5 — — µs

8——µs

1/f

UD

t

HUC

t

CSHI

t

HCUF

t

S

至 U/D 高电平的建立时间t

HV CS

电刷稳定时间

上电时电刷响应时间

内部 EEPROM 写时间 t

 2006 Microchip Technology Inc. DS21945C_CN 第 7 页

HCUR

t

S

t

PU

WC

4.5 — — µs

0.5 — — µs 2.1 kΩ， C 1——µs5kΩ， C

L

2——µs10kΩ， C

10 5 — µs 50 kΩ， C

—200— ns

—— 5ms

= 100 pF

L

= 100 pF

L

= 100 pF

L

MCP4021/2/3/4

t

CSLO

12V

CS

5V

t

HUC

U/D

t

HCUR

W

图

1-4

：高电平递减时序波形

t

HI

t

S

1/f

UD

t

LO

串行时序特性

电气规范：除非另有说明，否则所有参数适用于规定的工作范围。扩展级温度范围（E）：V

参数符号最小值典型值最大值单位条件

CS 低电平时间 t

CS 高电平时间 t

U/D 高电平时间 t

U/D 低电平时间 t

Up/Down 翻转频率 f

HV U/D 至 CS 的保持时间 t

HV CS 至 U/D 低电平的建立时间t

= +2.7V 至 5.5V， TA = -40°C 至 +125°C。

DD

CSLO

CSHI

HI

LO

UD

HUC

HCUF

5——µs

500 — — ns

—— 1MHz

1.5 — — µs

8——µs

t

S

HUC

t

HCUF

t

CSHI

至 U/D 高电平的建立时间t

HV CS

电刷稳定时间

上电时电刷响应时间

内部 EEPROM 写时间 t

DS21945C_CN 第 8 页  2006 Microchip Technology Inc.

HCUR

t

S

t

PU

WC

4.5 — — µs

0.5 — — µs 2.1 kΩ， C 1——µs5kΩ， C 2——µs10kΩ， C

10 5 — µs 50 kΩ， C

—200— ns

—— 5ms

= 100 pF

L

= 100 pF

L

= 100 pF

L

= 100 pF

L

温度特性

电气规范：除非另有说明，否则 VDD=+2.7V至 +5.5V， VSS=GND。

参数符号最小值典型值最大值单位条件

温度范围规定温度范围工作温度范围储存温度范围封装热阻

热阻， 5L-SOT-23 θ 热阻， 6L-SOT-23 θ 热阻， 8L-DFN （2x3） θ 热阻， 8L-MSOP θ 热阻， 8L-SOIC θ

T

A

T

A

T

A

JA

-40 — +125 °C

-65 — +150 °C

—70—°C/W

—120—°C/W

—85—°C/W

—206—°C/W

—163—°C/W

MCP4021/2/3/4

 2006 Microchip Technology Inc. DS21945C_CN 第 9 页

MCP4021/2/3/4

2.0 典型特性曲线

注：以下图表来自有限数量样本的统计结果，仅供参考。所列出的性能特性未经测试，不做任何保证。一些图

表中列出的数据可能超出规定的工作范围（如：超出了规定的电源范围），因此不在担保范围内。

注：除非另有说明，否则 TA = +25°C， VDD = 5V， VSS = 0V。

图

2-1

：器件电流（

率（

f

）和环境温度曲线（

U/D

5.5V

）

V

I

DD

）—

= 2.7V

U/D

和

频

2-4

：

图和电流（

（

V

= 5.5V

DD

CS

上拉/下拉电阻（

I

）—CS输入电压（

CS

）

V

CS

R

）曲线

CS

）

2-2

：写电流（

图度和

V

曲线

DD

2-3

：器件电流（

图温度和

DS21945C_CN 第 10 页  2006 Microchip Technology Inc.

V

DD

曲线（

CS = V

DD

I

WRITE

）

）—环境温

I

）—环境

SHDN

2-5

：

图值电压—环境温度和

CS

高电平输入下限/上限阈

V

曲线

DD

注：除非另有说明，否则 TA = +25°C， VDD = 5V， VSS = 0V。

MCP4021/2/3/4

140

-40C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw

-40C INL 25C INL 85C INL 125C INL

120

-40C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL

INL

DNL

0

0 8 16 24 32 40 48 56

Wiper Setting (decimal)

INL（LSb

Wiper Resistance

图

2-6

（Ω）、

100

(Rw)(ohms)

：

80

60

40

20

和环境温度曲线（

400

300

200

(Rw)(ohms)

100

Wiper Resistance

-40C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw

-40C INL 25C INL 85C IN L 125C INL

-40C DNL 25C DNL 85C DNL 125C D NL

INL

0

0 8 16 24 32 40 48 56

RW

2.1 k

Ω 电位计模式

）和

DNL（LSb

VDD = 5.5V

DNL

Wiper Setting (decimal)

）

RW

0.075

0.05

0.025

0

-0.025 Error (LSb)

-0.05

-0.075

-0.1

– R

W

）—电刷设置

0.1

0.05

0

Error (LSb)

-0.05

-0.1

Wiper Resistance

图

2-8

（Ω）、

120

100

(Rw)(ohms)

：

-40C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw

-40C INL 25C INL 85C INL 125C INL

-40C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL

80

60

40

20

0

0 8 16 24 32 40 48 56

INL（LSb

和环境温度曲线（

500

-40C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw

-40C INL 25 C INL 85C INL 125C INL

-40C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL

400

300

200

(Rw)(ohms)

Wiper Resistance

100

0

0 8 16 24 32 40 48 56

INL

RW

Wiper Setting (decimal)

2.1 k

Ω 变阻器模式

）和

DNL（LSb

VDD = 5.5V

INL

RW

Wiper Setting (decimal)

）

DNL

0.8

0.6

0.4

0.2

– R

0

-0.2

-0.4

W

DNL

）—电刷设置

10

8

6

4

2

0

-2

Error (LSb)

2-7

：

图

（Ω）、

INL（LSb

和环境温度曲线（

2.1 k

Ω 电位计模式

）和

DNL（LSb

VDD = 2.7V

）—电刷设置

）

– R

2-9

：

W

图

（Ω）、

INL（LSb

和环境温度曲线（

2.1 k

Ω 变阻器模式

）和

DNL（LSb

VDD = 2.7V

）—电刷设置

）

– R

W

 2006 Microchip Technology Inc. DS21945C_CN 第 11 页

MCP4021/2/3/4

注：除非另有说明，否则 TA = +25°C， VDD = 5V， VSS = 0V。

图

2-10

：

环境温度和

V

DD

曲线

2.1 kΩ –

标称电阻（Ω）—

2-11

图

：

设置和环境温度曲线

2.1 kΩ – R

（Ω）—电刷

WB

DS21945C_CN 第 12 页  2006 Microchip Technology Inc.

注：除非另有说明，否则 TA = +25°C， VDD = 5V， VSS = 0V。

MCP4021/2/3/4

图

2-12

时间（

2-13

图时间（

：

VDD = 2.7V

：

V

= 5.5V

DD

WIPER

U/D

2.1 kΩ –

）

WIPER

U/D

2.1 kΩ –

）

低电平递减电刷设置

图

2-15

：

置时间（

2-16

图

：

置时间（

V

DD

= 2.7V

= 5.5V

WIPER

U/D

2.1 kΩ –

）

WIPER

U/D

2.1 kΩ –

）

低电平递增电刷设

WIPER

V

DD

2-14

图

 2006 Microchip Technology Inc. DS21945C_CN 第 13 页

：

2.1 kΩ –

上电时电刷响应时间

MCP4021/2/3/4

注：除非另有说明，否则 TA = +25°C， VDD = 5V， VSS = 0V。

140

-40C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw

-40C INL 25C INL 85C INL 125C INL

120

-40C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL

100

80

60

(Rw)(ohms)

40

Wiper Resistance

20

0

0 8 16 24 32 40 48 56

Wiper Setting (decimal)

图

2-17

：

（Ω）、

INL（LSb

和环境温度曲线（

450

-40C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw

-40C INL 25 C INL 85C INL 125C INL

400

-40C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL

350

300

250

DNL

200

150

(Rw)(ohms)

Wiper Resistance

100

50

0

0 8 16 24 32 40 48 56

Wiper Setting (decimal)

INL

DNL

RW

5k

Ω 电位计模式

）和

DNL（LSb

VDD = 5.5V

INL

RW

）—电刷设置

）

– R

0.075

0.05

0.025

0

-0.025

-0.05

-0.075

-0.1

W

0.1

0.075

0.05

0.025

0

-0.025

-0.05

-0.075

-0.1

-0.125

120

-40C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw

-40C INL 25C INL 85 C INL 125 C INL

-40C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL

100

80

60

DNL

Error (LSb)

图

（Ω）、

和环境温度曲线（

Error (LSb)

40

(Rw)(ohms)

Wiper Resistance

20

0

0 8 16 24 32 40 48 56

Wiper Setting (decimal)

2-19

：

INL（LSb

）和

VDD = 5.5V

Wiper Resistance

600

500

400

300

200

(Rw)(ohms)

100

-40C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw

-40C INL 25C INL 85C INL 125C INL

-40C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL

0

0 8 16 24 32 40 48 56

Wiper Setting (decimal)

INL

RW

5k

Ω 变阻器模式

DNL（LSb

INL

RW

）—电刷设置

）

DNL

– R

0.6

0.4

0.2

0

-0.2

Error (LSb)

-0.4

-0.6

W

5

4

3

2

1

Error (LSb)

0

-1

2-18

图

（Ω）、

：

INL（LSb

和环境温度曲线（

5k

Ω 电位计模式

）和

DNL（LSb

VDD = 2.7V

）—电刷设置

）

– R

2-20

W

图

（Ω）、

：

INL（LSb

和环境温度曲线（

5k

Ω 变阻器模式

）和

DNL（LSb

VDD = 2.7V

）—电刷设置

）

– R

W

DS21945C_CN 第 14 页  2006 Microchip Technology Inc.

注：除非另有说明，否则 TA = +25°C， VDD = 5V， VSS = 0V。

图

2-21

境温度和

：

V

DD

曲线

5kΩ –

标称电阻（Ω）—环

MCP4021/2/3/4

2-22

图置和环境温度曲线

：

5kΩ – R

（Ω）—电刷设

WB

 2006 Microchip Technology Inc. DS21945C_CN 第 15 页

MCP4021/2/3/4

注：除非另有说明，否则 TA = +25°C， VDD = 5V， VSS = 0V。

图

2-23

时间（

2-24

图时间（

：

VDD = 2.7V

：

VDD = 5.5V

WIPER

5kΩ –

）

WIPER

5kΩ –

）

U/D

低电平递减电刷设置

U/D

低电平递减电刷设置

2-25

图时间（

2-26

图时间（

：

VDD = 2.7V

：

VDD = 5.5V

WIPER

5kΩ –

）

WIPER

5kΩ –

）

U/D

低电平递增电刷设置

U/D

低电平递增电刷设置

DS21945C_CN 第 16 页  2006 Microchip Technology Inc.

注：除非另有说明，否则 TA = +25°C， VDD = 5V， VSS = 0V。

MCP4021/2/3/4

120

-40C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw

-40C INL 25C INL 85C INL 125C INL

-40C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL

100

80

INL

60

40

(Rw)(ohms)

Wiper Resistance

20

0

0 8 16 24 32 40 48 56

Wiper Setting (decimal)

图

2-27

：

（Ω）、

INL（LSb

和环境温度曲线（

450

-40C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw

-40C INL 25C INL 85 C INL 125C INL

400

-40C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL

350

300

250

200

150

(Rw)(ohms)

Wiper Resistance

100

50

0

0 8 16 24 32 40 48 56

Wiper Setting (decimal)

RW

10 k

Ω 电位计模式

）和

DNL（LSb

VDD = 5.5V

INL

RW

DNL

）—电刷设置

）

DNL

0.05

0.025

0

-0.025

-0.05

-0.075

-0.1

– R

0.05

0.025

0

-0.025

-0.05

-0.075

-0.1

-0.125

120

-40C Rw 25C Rw 85C Rw 125C R w

-40C INL 25C INL 85C INL 125C INL

-40C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL

100

80

60

Error (LSb)

W

图

（Ω）、

40

(Rw)(ohms)

Wiper Resistance

20

0

0 8 16 24 32 40 48 56

2-29

：

INL（LSb

和环境温度曲线（

500

-40C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw

-40C INL 25C INL 85C IN L 125C I NL

-40C DNL 25C DNL 85C DNL 125C D NL

400

300

200

Error (LSb)

(Rw)(ohms)

Wiper Resistance

100

0

0 8 16 24 32 40 48 56

INL

DNL

RW

Wiper Setting (decimal)

10 k

Ω 变阻器模式

）和

DNL（LSb

VDD = 5.5V

INL

DNL

Wiper Setting (decimal)

）

RW

0.15

0.1

0.05

0

-0.05

Error (LSb)

-0.1

-0.15

– R

W

）—电刷设置

2.5

1.5

0.5

-0.5 Error (LSb)

-1.5

-2.5

2-28

图

（Ω）、

：

INL（LSb

和环境温度曲线（

10 k

Ω 电位计模式

）和

DNL（LSb

VDD = 2.7V

）—电刷设置

）

– R

2-30

W

图

（Ω）、

：

INL（LSb

和环境温度曲线（

10 k

Ω 变阻器模式

）和

DNL（LSb

VDD = 2.7V

）—电刷设置

）

– R

W

 2006 Microchip Technology Inc. DS21945C_CN 第 17 页

MCP4021/2/3/4

注：除非另有说明，否则 TA = +25°C， VDD = 5V， VSS = 0V。

图

2-31

：

环境温度和

V

DD

曲线

10 kΩ –

标称电阻（Ω）—

2-32

图

：

设置和环境温度曲线

10 kΩ – R

（Ω）—电刷

WB

DS21945C_CN 第 18 页  2006 Microchip Technology Inc.

注：除非另有说明，否则 TA = +25°C， VDD = 5V， VSS = 0V。

WIPER

MCP4021/2/3/4

WIPER

图

2-33

：

置时间（

2-34

图

：

置时间（

VDD = 2.7V

VDD = 5.5V

U/D

10 kΩ –

）

WIPER

U/D

10 kΩ –

）

低电平递减电刷设

2-35

图

：

置时间（

2-36

图

：

置时间（

VDD = 2.7V

VDD = 5.5V

U/D

10 kΩ –

）

WIPER

U/D

10 kΩ –

）

低电平递增电刷设

 2006 Microchip Technology Inc. DS21945C_CN 第 19 页

MICROCHIP MCP4021, MCP4022, MCP4023, MCP4024 Technical data

Specifications and Main Features

Frequently Asked Questions

User Manual

1.0 电气特性

2.0 典型特性曲线