
3 通道模拟前端器件
MCP2030
器件特性
• 3 个用于输入模拟信号的输入引脚
• 高输入检测灵敏度 (3mV
• 高调制深度灵敏度 (低至 8%)
• 3 种输出选择:
- 解调数据
- 载波时钟
- RSSI
• 输入载波频率:125 kHz,典型值
• 输入数据速率:10 Kbps,最大值
• 8 个内部配置寄存器
• 双向收发器通信
(LF 对讲)
• 可编程天线调谐电容
(最高为 63 pF, 1 pF/ 步)
• 可编程输出使能滤波器
• 低待机电流:4 µA (使能 3 个通道时),典型值
• 低工作电流:13 µA (使能 3 个通道时),典型值
• 与外部器件连接的串行外设接口 (Serial
Peripheral Interface, SPI)
• 通过外部电路支持电池后备模式和无电池操作
• 工业温度级范围:-40°C 至 +85°C
,典型值)
PP
典型应用
说明
MCP2030 是一款独立模拟前端 (Analog Front-End,
AFE)器件,可用于低频(Low-Frequency, LF)传 感
和双向通信应用。该器件具有 8 个可由外部器件读取的
可读写内部配置寄存器,还有一个只读的 STATUS 寄存
器。
该器件具有 3 路低频输入通道。各输入通道可单独使能
或禁止。该器件可检测幅值低至大约 1 mV
号,并可对调制深度低至8%的调幅输入信号实行解调。
该器件也可以通过控制 LC 天线输入电压是否被钳位来
发送数据。
该器件可以根据寄存器的设置输出解调数据、载波时钟
或 RSSI 电流。由 LFDATA 引脚输出解调数据和载波时
钟,而由 RSSI 引脚输出 RSSI 电流。输出的 RSSI 电流
与输入信号的强度呈线性比率关系。
该器件的每路输入通道都带有可编程的内部调谐电容。
用户最高可将这些电容的容抗设置为 63 pF,每步
1pF。这些内部调谐电容可有效用于外部 LC 谐振电路
的精密调谐。
该器件经过优化,消耗的电流极低,并具有多种节省电
池能量的低功耗模式 (休眠、待机和活动)。通过使用
很少的外部元件,该器件还可以在电池后备模式和无电
池模式下工作。
该器件具有 14 引脚 PDIP、 SOIC 和 TSSOP 三种封装
形式,它还能用作 PIC16F639 中的 AFE。
的输入信
PP
• 汽车工业应用:
- 被动无钥门禁 (Passive Keyless Entry,
PKE)收发器
- 远程车门和车库门锁
- 发动机防盗锁止器
- 胎压监测系统的低频信号发生传感器
• 安防工业应用:
- 远程访问控制收发器
- 停车场门禁收发器
- 免持式住宅钥匙
- 财产控制和管理
2006 Microchip Technology Inc. DS21981A_CN 第 1 页
封装类型
SCLK/ALERT
LFDATA/
CCLK/SDIO
MCP2030
PDIP、SOIC 和 TSSOP
V
SS
CS
RSSI
V
DD
NC
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
V
SS
LCCOM
NC
LCX
LCY
LCZ
9
V
8
DD

MCP2030
注:
DS21981A_CN 第 2 页 2006 Microchip Technology Inc.

1.0 电气规范
MCP2030
绝对最大值
(†)
偏置电压下的环境温度 ................................. -40°C 至 +125°C
储存温度....................................................... -65°C 至 +150°C
V
相对于 VSS的电压 ....................................-0.3V 到 +6.5V
DD
所有其他引脚相对于 V
V
引脚的最大输出电流.............................................300 mA
SS
V
引脚的最大输入电流 ............................................250 mA
DD
的电压 ..........-0.3V 至 (VDD + 0.3V)
SS
最大 LC 输入电压
(LCX、 LCY 和 LCZ)带有负载 (带有天线设备)..10.0 V
最大 LC 输入电压
(LCX、 LCY 和 LCZ)空载 (不带天线设备)....... 700.0 V
流入器件每个 LC 通道的最大输入电流 (rms)............10 mA
人体 ESD 额定值........................................... 2000 V (最小)
机器模型 ESD 额定值...................................... 200 V (最小)
直流特性
电气规范:标准工作条件 (除非另外指明)
工作温度 -40°C ≤ T
LC 信号输入 正弦信号 (幅值为 300 mV
载波频率 125 kHz
LCCOM 连接到 V
供电电压
确保能够产生内部上电复位信号的
V
起始电压
DD
调制晶体管导通电阻
有效电流 (检测信号)
1 路 LC 输入通道接收信号
3 路 LC 输入通道接收信号
待机电流 (等待检测信号)
使能 1 路 LC 输入通道
使能 2 路 LC 输入通道
使能 3 路 LC 输入通道
休眠电流
模拟输入泄漏电流
数字输入低电压
数字输入高电压
数字输入泄漏电流 (注 1)
SDI
SCLK 和 CS
数字输出低电压
ALERT
和 LFDATA/SDIO
数字输出高电压
ALERT
和 LFDATA/SDIO
数字输入上拉电阻
CS
和 SCLK
注 1: 负电流定义为自引脚流出的电流。
SS
参数 符号 最小值 典型值 † 最大值 单位 条件
LCX、 LCY 和 LCZ
* 这些参数仅为特征值,未经测试。
† 除非另外指明,否则 “典型值”栏中的数据均在 3.0V 且 +25°C 条件下测得。这些参数仅供设计参考,未经测试。
≤ +85°C
A
LCCOM
V
DD
V
POR
R
I
ACT
I
STDBY
I
SLEEP
I
AIL
V
V
I
IL
V
OL
V
OH
R
PU
)
PP
2.0 3.0 3.6 V
--
M
IL
IH
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
SS
0.8 V
DD
-
-
--
VDD - 0.5
50 200 350 kΩ V
† 注意:如果器件工作条件超过上述 “绝对最大值”,可能会
对器件造成永久性损坏。上述值仅为运行条件极大值,我们不
建议器件在该规范规定的范围以外运行。器件长时间工作在最
大值条件下,其稳定性会受到影响。
PP
PP
1.8 V
50 100 Ω V
10
13
2
3
4
0.2 1
-
-
-
-
-
-
--
-
18
5
6
7
± 1
± 1
0.3 V
DD
V
DD
± 1
± 1
+ 0.4 V
V
SS
= 3.0V
DD
= V
CS
µA
µA
µA
µA
DD
输入 = 连续波 (CW);
振幅 = 300 mV
使能所有通道。
CS
= VDD; ALERT = V
。
PP
DD
µA
µA
CS
= VDD; ALERT = V
µA
相对于地来说,V
µA
内部调谐电容关闭,在休眠模式下进行测试。
V
SCLK、 SDI 和 CS
V
SCLK、 SDI 和 CS
= 3.6V
V
DD
µA
µA
V
≤ V
V
V
模拟前端部分
I
OL
I
OH
≤ V
SS
PIN
≤ V
PIN
DD
= 1.0 mA 且 VDD = 2.0V
= -400 µA 且 V
= 3.6V
DD
DD
= 3.6V,VSS ≤ VIN ≤ 1V。
DD
DD
= 2.0V
DD
2006 Microchip Technology Inc. DS21981A_CN 第 3 页

MCP2030
交流特性
电气规范:标准工作条件 (除非另外指明)
供电电压 2.0V ≤ V
工作温度 -40°C ≤ T
LCCOM 连接到 V
LC 信号输入 正弦信号 (幅值为 300 mVPP)
载波频率 125 kHz
LCCOM 连接到 V
SS
SS
参数 符号 最小值 典型值 † 最大值 单位 条件
输入灵敏度
线圈的 de-Q'ing 电压——RF 限幅器
)必须激活
(R
FLM
RF 限幅器导通电阻 (LCX、 LCY 和
LCZ)
灵敏度衰减
最大调制深度
60% 设置
33% 设置
14% 设置
8%
载波频率
输入调制频率
LCX 调谐电容
LCY 调谐电容
LCZ 调谐电容
内部调谐电容的 Q 值
解调器的电容充电时间
(解调输出出现上升沿的延迟时间)
* 这些参数仅为特征值,未经测试。
† 除非另外指明,否则 “典型值”栏中的数据均在 3.0V 且 +25°C 条件下测得。这些参数仅供设计参考,未经测试。
注 1: 所需的输出使能滤波器高电平时间必须计入输入路径模拟延时 (= T
2: 所需的输出使能滤波器低电平时间必须计入输入路径模拟延时 (= T
≤ 3.6V
DD
≤ +85°C
A
V
SENSE
V
DE_Q
R
FLM
S
ADJ
V
IN_MOD
F
CARRIER
F
MOD
C
TUNX
C
TUNY
C
TUNZ
Q_C 50 *
T
DR
13.06mV
3
-
-
-
-
-
-
-
--
-
44
-
44
-
44
-
-
300
-30
60
33
14
125
0
8
5V
700 Ω
-
-
84
49
26
-
10 kHz
0
59
0
59
0
59
-
82
-
82
-
82
--
50
OEH
OEL
-
- TDR + TDF)。
+ TDR - TDF)。
VDD = 3.0V
禁止输出使能滤波器
PP
AGCSIG = 0 ; MODMIN = 00
(调制深度设置为 33%)
输入 = 连续波 (CW)
输出 = 在 CW 输入出现有效电平时,输
出的逻辑电平发生由低至高的跳变。
V
= 3.0V,强制 I
DD
形)
= 2.0V, VIN = 8 V
V
DD
V
= 3.0V
DD
dB
不选择灵敏度衰减
dB
选择最大衰减
通过设计使衰减值从设置 0000 至 1111
单调递增
= 3.0V
V
DD
%
见第 5.21 节 “输入信号的最小调制深度
%
要求”。
%
见图 5-5 中的调制深度定义。
%
= 5 µA (最坏情
IN
DC
kHz
输入数据采用 NRZ 格式。
= 3.0V
V
DD
最小调制深度设置 = 33%
输入条件:
振幅 = 300 mV
调制深度 =100%
= 3.0V。
V
DD
pF
配置寄存器 1, bit<6:1> 设置为 000000
PP
63 pF ±30%
pF
配置寄存器 1, bit<6:1> 设置为 111111
63 步,每步约为 1pF
通过设计使电容值从设置 000000 至
111111 单调递增
V
= 3.0V。
DD
pF
配置寄存器 2, bit<6:1> 设置为 000000
pF
63 pF ±30%
配置寄存器 2, bit<6:1> 设置为 111111
63 步,每步约为 1pF
通过设计使电容值从设置 000000 至
111111 单调递增
= 3.0V。
V
DD
pF
配置寄存器 3, bit<6:1> 设置为 000000
pF
63 pF ±30%
配置寄存器 3, bit<6:1> 设置为 111111
63 步,每步约为 1pF
通过设计使电容值从设置 000000 至
111111 单调递增
µsV
= 3.0V
DD
最小调制深度设置 =33%
输入条件:
振幅 = 300 mV
调制深度 =100%
PP
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MCP2030
交流特性 (续)
电气规范:标准工作条件 (除非另外指明)
供电电压 2.0V ≤ V
工作温度 -40°C ≤ T
LCCOM 连接到 V
LC 信号输入 正弦信号 (幅值为 300 mVPP)
载波频率 125 kHz
LCCOM 连接到 V
SS
SS
参数 符号 最小值 典型值 † 最大值 单位 条件
解调器电容放电时间 (解调输出出现下降
沿的延迟时间)
LFDATA 的上升时间
LFDATA 的下降时间
AGC 稳定时间 (T
AGC
+ T
PAG C
)
AGC 初始化时间
AGC 初始化时间后的高电平时间
AGC 稳定时间后的空隙时间
脉冲的时间要素
从退出休眠或 POR 到做好接收信号准备的
时间
接收到 AGC 保存命令后必须保持 AGC 电
平的最短时间
内部 RC 振荡器频率
非活动定时器超时
警报定时器超时
LCX、 LCY 和 LCZ 引脚的 LC 引脚输入电
阻
LCX、 LCY 和 LCZ 引脚的 LC 引脚输入寄
生电容
最小输出使能滤波器高电平时间
OEH (Config0<8:7>)
01 = 1ms
10 = 2ms
11 = 4ms
00 = 禁止滤波器
最小输出使能滤波器低电平时间
OEL (Config0<6:5>)
00 = 1ms
01 = 1ms
10 = 2ms
11 = 4ms
最大输出使能滤波器周期
OEL T
OEH
01 00 =1ms 1ms(滤波器1)
01 01 =1ms 1ms(滤波器1)
01 10 =1ms 2ms(滤波器2)
01 11 =1ms 4ms(滤波器3)
10 00 = 2 ms 1 ms (滤波器4)
10 01 =2ms 1ms(滤波器4)
10 10 =2ms 2ms(滤波器5)
10 11 = 2 ms 4 ms (滤波器6)
11 00 = 4 ms 1 ms (滤波器7)
11 01 =4 ms 1ms(滤波器7)
11 10 =4ms 2ms(滤波器8)
11 11 =4ms 4ms(滤波器9)
OEHTOEL
00 XX = 禁止滤波器 - - - 只要输入信号的电平大于 V
* 这些参数仅为特征值,未经测试。
† 除非另外指明,否则 “典型值”栏中的数据均在 3.0V 且 +25°C 条件下测得。这些参数仅供设计参考,未经测试。
注 1: 所需的输出使能滤波器高电平时间必须计入输入路径模拟延时 (= T
2: 所需的输出使能滤波器低电平时间必须计入输入路径模拟延时 (= T
≤ 3.6V
DD
≤ +85°C
A
TR
TF
T
T
T
T
T
DF
LFDATA
LFDATA
T
STAB
T
AGC
PAG C
T
GAP
T
E
T
RDY
PRES
F
OSC
INACT
ALARM
R
IN
C
IN
T
OEH
T
OEL
T
OET
-
-
-
4
-
-
200
100
--
5*
50
0.5
0.5
-
-
-
--
3.5
62.5
-
-
--
--µs最小脉冲宽度
50* ms
--ms在 T
27 32 35.5 kHz
13.5 16 17.75 ms
27 32 35.5 ms
-
-
32 (~1 ms)
64 (~2 ms)
128 (~4 ms)
-
32 (~1 ms)
32 (~1 ms)
64 (~2 ms)
128 (~4 ms)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
800*
24*
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
OEH
OEL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
96 (~3 ms)
96 (~3 ms)
128 (~4 ms)
192 (~6 ms)
128 (~4 ms)
128 (~4 ms)
160 (~5 ms)
250 (~8 ms)
192 (~6 ms)
192 (~6 ms)
256 (~8 ms)
320 (~10 ms)
- TDR + TDF)。
+ TDR - TDF)。
µsV
µs
µs
= 3.0V
DD
调制深度设置 =33%
输入条件:
振幅 = 300 mV
调制深度 =100%
V
= 3.0V。时间在振幅为幅值的 10%
DD
至幅值的 90% 之间测量
V
= 3.0V。时间在振幅为幅值的 10%
DD
至幅值的 90% 之间测量
PP
ms
ms
µs
µs
时间内 AGC 电平的变化范围
PRES
不得超过 10%。
测试期间内部时钟被调整为 32 kHz。
RC 振荡器频率为 F
512 个周期
RC 振荡器频率为 F
1024 个周期
LCCOM 接地, VDD = 3V,
kΩ
F
= 125 kHz。
CARRIER
LCCOM 接地, VDD = 3V,
pF
F
= 125 kHz。
CARRIER
RC 振荡器 = F
F
OSC
通过引脚输入观察:
时钟
(注 1)
计数
RC 振荡器 = F
通过引脚输入观察:
时钟
(注 2)
计数
RC 振荡器 = F
时钟
计数
规范)。
OSC
OSC
OSC
LFDATA 就有输出。
OSC
OSC
(请参见每个器件的
时输出信号的
时输出信号的
,
SENSE
2006 Microchip Technology Inc. DS21981A_CN 第 5 页

MCP2030
交流特性 (续)
电气规范:标准工作条件 (除非另外指明)
供电电压 2.0V ≤ V
工作温度 -40°C ≤ T
LCCOM 连接到 V
LC 信号输入 正弦信号 (幅值为 300 mVPP)
载波频率 125 kHz
LCCOM 连接到 V
SS
SS
参数 符号 最小值 典型值 † 最大值 单位 条件
RSSI 电流输出
RSSI 电流线性
* 这些参数仅为特征值,未经测试。
† 除非另外指明,否则 “典型值”栏中的数据均在 3.0V 且 +25°C 条件下测得。这些参数仅供设计参考,未经测试。
注 1: 所需的输出使能滤波器高电平时间必须计入输入路径模拟延时 (= T
2: 所需的输出使能滤波器低电平时间必须计入输入路径模拟延时 (= T
SPI 时序
电气规范:标准工作条件 (除非另外指明)
供电电压 2.0V ≤ V
工作温度 -40°C ≤ T
LC 信号输入 正弦 300 mV
载波频率 125 kHz
LCCOM 连接到 V
SCLK 频率
下降沿到第一个 SCLK 边沿的建立时间
CS
SDI 建立时间
SDI 保持时间
SCLK 高电平时间
SCLK 低电平时间
SDO 建立时间
SCLK 最后一个边沿到 CS
间
高电平时间
CS
上升沿到 SCLK 边沿的建立时间
CS
SCLK 边沿到 CS
SPI 数据的上升时间
(SPI 读命令)
SPI 数据的下降时间
(SPI 读命令)
SS
参数 符号 最小值 典型值 † 最大值 单位 条件
上升沿的建立时
下降沿的建立时间
† 除非另外指明,否则 “典型值”栏中的数据均为 3.0V、 25°C 条件下的值。这些参数仅供设计参考,未经测试。
≤ 3.6V
DD
≤ +85°C
A
ILR
≤ 3.6V
DD
≤ +85°C
A
I
PP
F
T
T
T
T
T
T
T
TR
TF
RSSI
RSSI
SCLK
CSSC
T
SU
HD
T
HI
T
LO
DO
SCCS
CSH
CS1
CS0
SPI
SPI
-
6
-
-15
--
100
30
50
150
150
--
--
--
--
--
--
100
500
50
50
-
-
--
--
--
--
10
10
0.65
12
100
-
- TDR + TDF)。
OEH
+ TDR - TDF)。
OEL
3MHz
150 ns
-
-
2
20.3
-
15 %
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µA
µA
µA
CS
V
DD
的 90% 之间测量
V
DD
的 90% 之间测量
= 37 mV
V
IN
VIN = 370 mV
VDD = 3.0V, VIN = 0 至 4 V
随输入信号的振幅线性递增
测试条件:V
和 370 mVPP,温度为 +25ºC。
仅在室温下测试 (测试方法见公式 5-1
和图 5-7)。
PP
PP
= 37 mVPP、 100 mV
IN
为高电平时的 SCLK 边沿
= 3.0V。时间在振幅为幅值的 10% 至幅值
= 3.0V。时间在振幅为幅值的 10% 至幅值
PP
PP
DS21981A_CN第 6 页 2006 Microchip Technology Inc.

MCP2030
2.0 典型性能曲线
注: 以下图表来自有限数量样本的统计结果,仅供参考。所列出的性能特性未经测试,不做任何保证。一些图
表中列出的数据可能超出规定的工作范围 (如超出了规定电源电压范围),因此不在担保范围内。
Standby Current (1 Channel Enabled)
2.5
A)
2
µ
1.5
1
0.5
Current Draw (
0
2 V 3 V 3.6 V
VDD (V)
Standby Current (2 Channels Enabled)
4
3.5
A)
µ
3
2.5
2
1.5
1
Current Draw (
0.5
0
2 V 3 V 3.6 V
VDD (V)
+85°C
+25°C
-40°C
+85°C
+25°C
-40°C
Active Current (1 Channel Enabled)
9
8
A)
7
µ
6
5
4
3
2
Current Draw (
1
0
2 V 3 V 3.6 V
V
Active Current (2 Channels Enabled)
12
10
A)
µ
8
6
4
2
Current Draw (
0
2 V 3 V 3.6 V
V
+85°C
+25°C
-40°C
(V)
DD
+85°C
+25°C
-40°C
(V)
DD
Standby Current (3 Channels Enabled)
6
5
A)
µ
4
3
2
1
Current Draw (
0
2 V 3 V 3.6 V
图
2-1
: 典型待机电流曲线
Active Current (3 Channels Enabled)
16
+85°C
+25°C
-40°C
(V)
V
DD
14
A)
µ
12
10
8
6
4
Current Draw (
2
0
2 V 3 V 3.6 V
图
2-2
: 典型工作电流曲线
(V)
V
DD
+85°C
+25°C
-40°C
2006 Microchip Technology Inc. DS21981A_CN 第 7 页

MCP2030
35
34
33
32
31
30
29
Oscillator Frequency (kHz.)
图
2-3
:
温度曲线
50.0%
45.0%
40.0%
35.0%
30.0%
25.0%
20.0%
15.0%
10.0%
5.0%
Percentage of Occurences (%)
0.0%
Osc. Freq. @ VDD = 3.6V
Osc. Freq. @ VDD = 2.0V
-50 -25 0 25 50 75 100 125
Temperature (°C)
VDD = 3.6V和2.0V
VDD = 2.0V
-40C
25C
85C
27
28
29
30
Oscillator Frequency (kHz.)
时振蒎器频率—
31
32
33
34
35
图
2-6
曲线
12
10
8
)
6
PP
(V
4
2
0
De-Q'ed (Loaded) Coil Voltage
0 200 400 600 800
: 经过
80
70
60
50
40
Ohms
30
20
10
0
0246
Unloaded Coil Voltage (V
De-Q
的电压—空载时线圈电压
(V)
V
DD
)
PP
Ch. X
Ch. Y
Ch. Z
图
图
图
图
2-4
Percentage of Occurences (%)
2-5
:
50.0%
45.0%
40.0%
35.0%
30.0%
25.0%
20.0%
15.0%
10.0%
5.0%
0.0%
:
VDD = 2V
V
= 3.6V
DD
-40C
25C
85C
27
VDD = 3V
时振蒎器频率—温度柱状
28
29
30
Oscillator Frequency (kHz.)
时振蒎器频率—温度柱状
2-7
: 调制晶体管导通电阻曲线 (
图
25
20
15
10
5
0
0 200 400 600
31
32
33
34
35
2-8
: 通道灵敏度—带宽曲线
图
Frequency (kHz)
+25°C
)
DS21981A_CN 第 8 页 2006 Microchip Technology Inc.

MCP2030
图
2-9
曲线
120
100
80
60
40
RSSI (µA)
20
0
0
0.511.522.533.544.555.5
: 典型
70
60
50
40
30
20
Capacitance (pF)
10
0
0 20406080
+85°C
Input Voltage (V)
RSSI
输出电流—输入信号强度
Bit Setting (Steps)
-40°C
+25°
6
Ch. X
Ch. Y
Ch. Z
70
60
50
40
30
20
Capacitance (pF)
10
0
0 20406080
2-11
图
: 典型调谐电容值—配置寄存器中位设
置曲线 (
70
60
50
40
30
20
Capacitance (pF)
10
0
Ch. X
Ch. Y
Ch. Z
Bit Setting (steps)
VDD= 3V
0 20406080
且温度
Bit Setting (Steps)
= -40°C
)
Ch. X
Ch. Y
Ch. Z
2-10
图
: 典型调谐电容值—配置寄存器中位设
置曲线 (
VDD= 3V
且温度
= +25°C
)
2-12
图
: 典型调谐电容值—配置寄存器中位设
置曲线 (
VDD= 3V
且温度
= +85°C
)
2006 Microchip Technology Inc. DS21981A_CN 第 9 页

MCP2030
80
70
A)
60
µ
50
40
30
20
RSSI Current (
10
0
02468
Input Voltage (V)
器件(a)
80
70
A)
60
µ
50
40
30
20
RSSI Current (
10
0
02468
Input Voltage (V)
器件(b)
Ch-X
Ch-Y
Ch-Z
Ch-X
Ch-Y
Ch-Z
100
90
80
70
60
(µs)
50
DR
40
T
30
20
10
0
85C 25C -20C -40C
图
2-14
: 典型
T
输入信号条件:振幅
调制深度
(µs)
DF
T
= 100%
60
50
40
30
20
10
0
85C 25C -20C -40C
Temperature (°C)
随温度的变化示例
DR
= 300 mV
Temperature (°C)
PP
8%
14%
33%
60%
,
60%
33%
14%
8%
80
70
60
A)
50
µ
40
30
Current (
20
10
0
02468
Input Voltage (V)
器件(c)
注: 对每个通道施加的信号的振幅相同。
图
2-13
: 室温下通道与通道间及器件与器件间
RSSI
输出电流的变化示例
Ch-X
Ch-Y
Ch-Z
图
2-15
: 典型
T
输入信号条件:振幅
调制深度
= 100%
随温度的变化示例
DF
= 300 mV
PP
,
DS21981A_CN 第 10 页 2006 Microchip Technology Inc.

2.1 性能图
MCP2030
(a)灵 敏 度 = 1.06 mV
解调输出
输入信号
PP
图
2-16
: 输入灵敏度示例
(b)灵 敏 度 =3 mV
解调输出
输入信号
PP
2006 Microchip Technology Inc. DS21981A_CN 第 11 页

MCP2030
图
注: Ch2 显示输入信号, Ch1 显示输出信号 (解调数据在 AGC 初始化时间 (T
能滤波器。
2-17
: 室温下的典型
AGC
初始化时间 (
VDD = 3V
)
)后出现)。禁止输出使
AGC
DS21981A_CN 第 12 页 2006 Microchip Technology Inc.

MCP2030
图
注: Ch3 是具有正确的输出使能滤波器时序的输入。
2-18
:
Ch1 是解调后的 LFDATA 输出。
Ch2 是 ALERT
持逻辑高电平。
ALERT
输出示例:没有奇偶校验错误和
引脚的输出。它表示如果输入信号满足已编程的滤波器时序要求,ALERT 输出引脚就会维
32 ms
警报定时器延时
2006 Microchip Technology Inc. DS21981A_CN 第 13 页

MCP2030
注: 只有在使能输出使能滤波器的情况下才能使能 32 ms 警报定时器。
Ch3 是具有不正确的输出使能滤波器时序的输入。
Ch1 是解调后的 LFDATA 输出。由于不符合输入滤波器的过滤条件,因此没有输出。
图
2-19
:
Ch2 是 ALERT
输出显示如果输入信号不满足已编程的滤波器时序要求,逻辑电平将会在 AGC 初始化时间 (T
的 32 ms 后改变。
ALERT
的输出。
输出示例:
32 ms
报警定时器延时
AGC
)结束后
DS21981A_CN 第 14 页 2006 Microchip Technology Inc.

MCP2030
(a)输 出( Ch1):
当 16 ms 无活动定时
器超时后器件将重复
软件复位。
(b)输 出( Ch2):
输入无调制
注: Ch2 是无调制时的输入 (即噪声)
图
2-20
Ch1 是由于 16 ms 软件无活动定时器超时后 LFDATA 引脚的输出。注意软件复位后 3.5 ms 的 AGC 初始化时间。
当禁止输出滤波器时,可出现以上情形。
: 软件无活动定时器超时示例:只有禁止输出使能滤波器才能产生该输出
2006 Microchip Technology Inc. DS21981A_CN 第 15 页

MCP2030
线圈电压
LCX
时钟脉冲
SCLK
钳通命令
线圈电压
钳断命令
SDI
LCX
时钟脉冲
SCLK
SDI
图
2-21
: 钳通和钳断命令以及线圈电压变化的示例
DS21981A_CN 第 16 页 2006 Microchip Technology Inc.

MCP2030
解调输出
77% 调制深度下
的输入信号
图
2-22
: 最小调制深度设置示例:输入信号的调制深度
= 77%
,最小调制深度 (
MODMIN
解调输出
56% 调制深度下
的输入信号
)设置
= 60%
注: 因为输入信号的调制深度低于最小调制深度设置,所有没有解调输出。如果最小调制深度选项被设置为 8%、
图
2-23
2006 Microchip Technology Inc. DS21981A_CN 第 17 页
14% 或 33%,器件将有解调输出。
: 最小调制深度设置示例:输入信号的调制深度
= 56%
,最小调制深度 (
MODMIN
)设置
= 60%

MCP2030
解调输出
42% 调制深度下
的输入信号
图
2-24
: 最小调制深度设置示例:输入信号的调制深度
= 42%
,最小调制深度 (
MODMIN
解调输出
14% 调制深度下
的输入信号
)设置
= 33%
图
2-25
: 最小调制深度设置示例:输入信号的调制深度
DS21981A_CN 第 18 页 2006 Microchip Technology Inc.
= 14%
,最小调制深度 (
MODMIN
)设置
= 14%

MCP2030
输入信号的输出
使能滤波器时序
T
= 1 ms
OEH
T
= 1 ms
OEL
T
= 3 ms
OET
滤波器 1
配置位设置
OEH OEL
01
或
01
00
01
滤波器 2
输入信号的输出
使能滤波器时序
T
= 1 ms
OEH
T
= 2 ms
OEL
T
= 4 ms
OET
输入信号的输出
使能滤波器时序
T
= 1 ms
OEH
T
= 4 ms
OEL
T
= 6 ms
OET
配置位设置
OEH OEL
01 10
滤波器 3
配置位设置
OEH OEL
01 11
图
2-26
: 输出使能滤波器1至3(唤醒滤波器)和解调输出示例
2006 Microchip Technology Inc. DS21981A_CN 第 19 页

MCP2030
滤波器 4
输入信号的输出
使能滤波器时序
T
= 2 ms
OEH
T
= 1 ms
OEL
T
= 4 ms
OET
配置位设置
OEH OEL
10
或
10
00
01
滤波器 5
输入信号的输出
使能滤波器时序
T
= 2 ms
OEH
T
= 2 ms
OEL
T
= 5 ms
OET
滤波器 6
输入信号的输出
使能滤波器时序
T
= 2 ms
OEH
T
= 4 ms
OEL
T
= 8 ms
OET
配置位设置
OEH OEL
10 10
配置位设置
OEH OEL
10 11
图
2-27
: 输出使能滤波器4至6(唤醒滤波器)和解调输出示例
DS21981A_CN 第 20 页 2006 Microchip Technology Inc.