MICROCHIP MCP1256, MCP1257, MCP1258, MCP1259 Technical data

MCP1256/7/8/9

低工作电流，具休眠 / 旁路模式的

低纹波 3.3V 稳压电荷泵

功能

• 无电感 1.5x 和 2x 升压 DC/DC 转换器

• 输出电压：3.3V

• 电压输出精度高：

- ±3.0% （V

OUT

固定）

• 输出电流高达 100 mA

•20mV

输出电压纹波

PP

• 过热关断和短路保护

• 使用小型陶瓷电容

• 开关频率频率：650 kHz

• 低功耗休眠 （SLEEP）模式：MCP1256/7

• 旁路 （BYPASS）模式：MCP1258/9

• 低功耗关断模式：0.1 µA （典型值）

• 关断控制输入与 1.8V 逻辑电平兼容
工作范围：1.8V 至 3.6V

•V

IN

• 具备软启动电路，减小冲击电流

• 工作温度范围：-40°C 至 +125°C

• 封装：

-10引脚， 3 mm x 3 mm DFN

-10引脚， MSOP

应用

• 寻呼机

• 便携式测量仪器

• 家庭自动化产品

•PICmicro

®

MCU 偏置电源

概述

MCP1256、 MCP1257、 MCP1258 和 MCP1259 系列
器件是无电感正电压稳压电荷泵 DC/DC 转换器。它可
以将 1.8V 至 3.6V 的输入电压转换成稳定的 3.3V 输出
电压。这种器件是专为由两节碱性、镍镉 （NiCd）、镍
氢（Ni-MH）电池供电或由一节锂锰 （Li-MnO2）或类
似的一次性纽扣电池供电的应用而设计的。

MCP1256、 MCP1257、 MCP1258 和 MCP1259 可以
自动在 1.5x 和 2x 升压模式下切换，从而提供很高的转
换效率。另外，在轻载时， MCP1256 和 MCP1257 可
以设置成休眠 （SLEEP）模式，在维持稳定输出的同
时，进一步降低器件的静态电流。而 MCP1258 和
MCP1259 则提供旁路 （BYPASS）模式，可以将输入
电压直接连接到输出端。因此，在为实时时钟、单片机
或其他系统器件提供偏置电压的同时， MCP1258 或
MPC1259 基本上不消耗电流。

在正常工作下，负载电流达 100 mA 时，输出电压纹波
低于 20 mV
避免与敏感的 IF 频段互相干扰。

MCP1256 和 MCP1258 具有“电源正常 （Power-
Good） ”状态输出，可以用来监测输出电压失调的情

况。MCP1257 和 MCP1259 具有电池低电压检测功能，
指示输入电压跌落到预先设定的门限并报警。器件具有
极低的输入电流，并只需极少的外部元件（4 个电容），
非常适合于采用电池供电的小型应用。该器件还提供了
关断模式，可进一步降低功耗。

器件具有过热保护和短路保护功能，提供10引脚MSOP
和 10 引脚 3mm x 3mm DFN两种封装形式。器件可以
工作在 -40°C 至 +125°C 的结温温度范围内。

。正常工作时的开关频率为 650 kHz，可

PP

典型应用

输入

1.8V至3.6V
C

IN

10 µF

C1
1µF

ON / OFF

具有电源正常（

 2006 Microchip Technology Inc. DS21989A_CN-page 1

MCP1256

7

V

IN

10

SHDN

PGOOD

4

C1+

8

C1-

2

SLEEP

GND

Power-Good

5

V

OUT

1

6

C2+

3

C2-

9

）指示的典型应用

R

C2
1µF

输出

3.3V

C

OUT

1

10 µF

电源正常
指示

MCP1256/7/8/9

封装引脚排列

功能框图

V

IN

PGOOD

SLEEP

C

V

OUT

PGOOD

BYPASS

C2-

C

V

OUT

MCP1256

1

2

3

+

4

1

5

MCP1258

1

2

3

+

4

1

56

10

10

SHDN

GND

9

C

8

V

7

C2+

6

SHDN

GND

9

C1-

8

V

7

C2+

LBO 1

SLEEP

-C2-

1

IN

V

C

C

OUT

-

2

+

1

LBO 1

BYPASS

C2-

C

+

V

1

OUT

IN

C2- C2+C

MCP1257

2

3

4

56

MCP1259

2

3

4

56

10

9

8

7

10

9

8

7

- C1+

1

SHDN

GND

C1-

V

IN

C2+

SHDN

GND

C

-

1

V

IN

C2+

V

650 kHz

OUT

840 kΩ

480 kΩ

1.5x 和 2x 模式

比较器

+

-

振荡器

CE

D

+

-

反馈
放大器

Q

栅级驱动

S5，S7
S6
S4
S1，S3，CE

S1

S2 S3

S4

S5

S6

S7

V

OUT

GND

840 kΩ

带隙
基准

720 kΩ

表 1： 开关逻辑

模式

1.5x 充电 HLHHHLHLH

1.5x 电荷转移 LLLLLHLHL
2x 充电 HHHHHLLHL
2x 电荷转移 LHLLLHLHL

旁路 ———HLHHHLL

图注： L 为逻辑低， H 为逻辑高

阶段 振荡器 QS1S2(CE)S3S4S5S6S7

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MCP1256/7/8/9

1.0 电气特性

† 注意：如果器件运行条件超过上述各项绝对最大额定值，可

绝对最大额定值 †

电源输入电压 VIN.............................................................3.8V

任一引脚的对地电压................................. -0.3V 至 (V

+0.3V)

IN

能对器件造成永久性损坏。上述参数仅是允许条件的极大值，
我们不建议使器件运行在超过或在技术规范以外的条件下运
行。器件长时间工作在绝对最大额定值条件下，其稳定性可能
受到影响。

短路期间输出 ................................................................. 连续

储存温度范围 .............................................. -65°C 至 +150°C

带电时环境温度 ............................................ -55°C 至 +125°C

最大结温...................................................................... +150°C

所有引脚 ESD 保护

人体模型 （1.5 kΩ 串联 100 pF）......................................≥ 2kV

机器模型 （200 pF，无串联电阻）..................................200V

直流特性

电气规范：除另有说明外，所有极限值的规定工作条件为 V

C

1 = C2 =

1µF， I

10 mA， TJ = -40°C 至 +125°C。典型值是 TJ = +25°C 的值。

OUT =

参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件

所有器件

电源电压
输出电压
输出电压精度
输出电流

V

IN

V

OUT

V

OUT

I

OUT(MAX)

1.8 — 3.6 V

—3.3—V

-3.0 ±0.5 +3.0 % I

30 — — mA 1.8V < VIN < 2.0V

70 — — mA 2.0V <

100 — — mA 2.2V <

输出短路电流 I

SC

— 150 — mA

效率 η —84.5—%

—84.5—%

—76.4—%

—80.1—%

—64.0—%

—67.1—%

—67.5—%

—69.7—%

—76.0—%

—76.7—%

—65.0—%

—71.0—%

—71.6—%

关断输入——SHDN
SHDN 输入低电压 V

输入高电压 V

SHDN

输入泄漏电流 I

SHDN

静态电流 I

SHDN

IL(SHDN)

IH(SHDN)

LK(SHDN)

Q

——0.4V

1.4 — — V

— 0.001 0.1 µA

—0.25 2µA

热关断
热关断门限 T
热关断迟滞 T

J(HYS)

J

— 160 — °C
—15—°C

= 1.8V 至 3.6V， SHDN = VIN， C

IN

IN = COUT =

OUT

V

OUT

3.6V

= 1.8V， I

V

IN

V

= 1.8V， I

IN

V

= 2.0V， I

IN

V

= 2.0V， I

IN

V

= 2.4V， I

IN

V

= 2.4V， I

IN

V

= 2.4V， I

IN

V

= 2.8V， I

IN

V

= 2.8V， I

IN

V

= 2.8V， I

IN

V

= 3.0V， I

IN

V

= 3.0V， I

IN

V

= 3.0V， I

IN

V

SHDN

= 10 mA 至 I

10 µF，

OUT(MAX)

VIN < 2.2V

VIN < 3.6V

= 0V， V

IN

OUT

OUT

OUT

OUT

OUT

OUT

OUT

OUT

OUT

OUT

OUT

OUT

OUT

= 1.8V 至

= 10 mA

= 50 mA

= 10 mA

= 50 mA

= 10 mA

= 50 mA

= 100 mA

= 10 mA

= 50 mA

= 100 mA

= 10 mA

= 50 mA

= 100 mA

= 0V， TJ = +25°C

 2006 Microchip Technology Inc. DS21989A_CN 第 3 页

MCP1256/7/8/9

直流特性 （续）

电气规范：除另有说明外，所有极限值的规定工作条件为 V

C

MCP1256 和 MCP1257
休眠模式输入——SLEEP

SLEEP 输入低电压 V

SLEEP

SLEEP

SLEEP

MCP1256 和 MCP1258
电源正常状态输出——PGOOD

PGOOD 门限 V
PGOOD 迟滞 V

PGOOD
PGOOD 输入泄漏电流 I

MCP1257 和 MCP1259
电池电压低指示——LBO

LBO 门限 V

LBO

LBO

LBO

MCP1258 和 MCP1259
旁路模式——BYPASS

BYPASS 输入低电压 V

BYPASS

BYPASS

BYPASS

BYPASS

1 = C2 =

1µF， I

10 mA， TJ = -40°C 至 +125°C。典型值是 TJ = +25°C 的值。

OUT =

参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件

输入高电压 V
输入泄漏电流 I
静态电流 I

输出低电压 V

迟滞 V

输出低电压 V

输入泄漏电流 I

输入高电压 V
输入泄漏电流 I
静态电流 I

输入与输出阻抗 R

IL(SLEEP)

IH(SLEEP)

LK(SLEEP)

Q

TH

HYS

OL

LK(PGOOD)

TH

HYS

OL

LK(LBO)

IL(BYPASS)

IH(BYPASS)

LK(BYPASS)

Q

BYPASS

——0.4V

1.4 — — V

— 0.001 0.1 µA

—1020µA

—93—%V

—110—mVV

— 25 100 mV

—0.02 1µAV

—1.95—V

— 240 — mV

— 25 100 mV

—0.02 1µAV

——0.4V

1.4 — — V

— 0.001 0.1 µA

—0.25 2µA

—1.5—Ω V

= 1.8V 至 3.6V， SHDN = VIN， C

IN

IN = COUT =

V

SLEEP

OUT

OUT

I

SINK

PGOOD

V

下降

IN

V

上升

IN

I

SINK

LBO

V

BYPASS

T

= +25°C

J

= 2.4V

IN

10 µF，

= 0V， I

OUT

下降的百分比
上升

= 0.5 mA， V

= V

IN

= 0.5 mA， V

= V

IN

= 0V，I

IN

IN

OUT

= 0 mA

= 1.8V

= 1.8V

= 0 mA，

DS21989A_CN 第 4 页  2006 Microchip Technology Inc.

MCP1256/7/8/9

交流特性

电气规范：除另有说明外，所有极限值的规定工作条件为 V

C

1 = C2 =

1µF， I

10 mA， TJ = -40°C 至 +125°C。典型值是 TJ = +25°C 的值。

OUT =

参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件

所有器件
内部振荡器
输出电压纹波， V

频率 F

OSC

RIP

正常模式 —20—mVp-p

V

从关断模式唤醒的时间 T

OUT

WKUP

MCP1256 和 MCP1257
输出电压纹波 V

RIP

休眠模式 —60—mVp-p

MCP1258 和 MCP1259

V

从旁路模式唤醒的时间 T

OUT

WKUP

= 1.8V 至 3.6V， SHDN = VIN， C

IN

— 650 — kHz

—5—mVp-p

C

C

—12—mVp-p

—55—mVp-p

— 175 — µs

C

C

V
SHDN
V

90%

—40—mVp-p

C

C

—40—mVp-p

—60—mVp-p

— 150 — µs

C

C

V
SHDN
V

90%

OUT

IH(MIN)

OUT

IH(MIN)

10 µF，

= 10 mA

OUT

= 100 mA

OUT

= 10 mA

OUT

= 100 mA

OUT

= 10 mA，

，

= 0.1 mA

OUT

= 4 mA

OUT

= 0.1 mA

OUT

= 4 mA

OUT

= 10 mA，

，

IN = COUT =

= 10 µF， I

OUT

= 10 µF， I

OUT

= 2.2 µF， I

OUT

= 2.2 µF， I

OUT

= 3.0V， I

IN

= V

从 0 至稳压后输出电压标称值的

OUT

= 10 µF， I

OUT

= 10 µF， I

OUT

= 2.2 µF， I

OUT

= 2.2 µF， I

OUT

= 3.0V， I

IN

= V

从 0 至稳压后输出电压标称值的

OUT

温度规范

电气规范：除另有说明外，所有极限值的规定工作条件为 V

C

工作温度范围
规定温度范围 T
工作温度范围 T
储存温度范围 T
封装热阻

10 引脚 MSOP 热阻 θ

10 引脚 3mm x 3mm DFN 热阻 θ

1 = C2 =

1µF， I

10 mA， TJ = -40°C 至 +125°C。典型值是 TJ = +25°C 的值。

OUT =

参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件

J

J

A

JA

JA

= 1.8V 至 3.6V， SHDN = VIN， C

IN

IN = COUT =

-40 — +125 °C

-40 — +125 °C

-65 — +150 °C

— 200 — °C/W

4 层 JC51-7 标准板，

自然散热

—57—°C/W

4 层 JC51-7 标准板，

自然散热

10 µF，

 2006 Microchip Technology Inc. DS21989A_CN 第 5 页

MCP1256/7/8/9

2.0 典型工作特性曲线

注： 以下图表为基于有限数量样本所作的统计，仅供参考。所列特性未经测试，我公司不作任何担保。在一些

图表中，所列数据可能超出规定的工作范围 （如：超出规定的电源电压范围），因而不在担保范围内。

注：除另有说明外， C

IN = COUT =

10 µF， C

1 = C2 =

1 µF， I

10 mA， TA= +25°C。

OUT =

100

90
80
70
60
50
40
30

Efficiency (%)

20
10

0

图

2-1

： 效率 （η）—输出电流 （

90

80

70

60

50

40

30

Efficiency (%)

20

10

0

10 30 50 70 90 110 130

VIN = 1.8V

10 30 50 70 90 110 130

Output Current (mA)

Output Current (mA)

VIN = 2.1V

VIN = 2.4V

VIN = 2.7V

I

OUT

VIN = 2.7V

VIN = 3.0V

VIN = 3.3V

）

100

90
80
70
60
50
40
30

Efficiency (%)

20
10

0

1.8 2.1 2.4 2.7 3.0 3.3

Input Voltage (V)

2-4

： 效率 （η）—电源电压 （

图

100

90
80
70
60
50
40
30

Efficiency (%)

20
10

0

1.8 2.1 2.4 2.7 3.0 3.3

Input Voltage (V)

Mode Transition

Mode Transition

I

OUT

V

IN

I

OUT

= 25 mA

）

= 50 mA

2-2

： 效率 （η）—输出电流 （

图

100

90
80
70
60
50
40
30

Efficiency (%)

20
10

0

1.8 2.1 2.4 2.7 3.0 3.3

Input Voltage (V)

2-3

： 效率 （η）—电源电压 （

图

Mode Transition

I

OUT

I

OUT

V

）

= 10 mA

）

IN

2-5

： 效率 （η）—电源电压 （

图

100

90
80
70
60
50
40
30

Efficiency (%)

20
10

0

1.8 2.1 2.4 2.7 3.0 3.3

Input Voltage (V)

2-6

： 效率 （η）—电源电压 （

图

Mode Transition

V

I

= 100 mA

OUT

V

）

IN

）

IN

DS21989A_CN 第 6 页  2006 Microchip Technology Inc.

典型工作特性曲线 （续）

注：除另有说明外， C

IN = COUT =

10 µF， C

1 = C2 =

1 µF， I

10 mA， TA= +25°C。

OUT =

MCP1256/7/8/9

3.5

3.4

3.3

3.2

3.1

Output Voltage (V)

3.0

2.9
10 30 50 70 90 110 130

图

2-7

： 输出电压 （

（

I

）

OUT

3.5

3.4

3.3

3.2

3.1

Output Voltage (V)

3.0

2.9

1.8 2.1 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6

I

OUT

Output Current (mA)

= 10 mA

I

= 50 mA

OUT

I

= 100 mA

OUT

Input Voltage (V)

VIN = 1.8V

V

OUT

VIN = 3.6V

VIN = 2.1V

）—输出电流

2.4

2.2

2.0

1.8

(mA)

1.6

1.4

Quiescent Supply Current

1.2
0 102030405060708090100

图

2-10

： 静态电流 （

（

I

）

OUT

140

120

100

80

(µA)

60

40

20

Quiescent Supply Current

0

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2

Output Current (mA)

I

）—正常模式输出电流

Q

Output Current (mA)

VIN = 2.4V

VIN = 2.4V

VIN = 3.0V

2-8

： 输出电压 （

图

（

V

）

IN

1.8

1.7

1.6

1.5

(mA)

1.4

1.3

Quiescent Supply Current

1.2
012345678910

2-9

： 静态电流 （

图

（

I

）

OUT

V

）—输入电压

OUT

Output Current (mA)

I

）—正常模式输出电流

Q

VIN = 2.4V

2-11

图

： 静态电流 （

模式输出电流 （

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

(mA)

0.3

0.2

0.1

Quiescent Supply Current

0

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

2-12

图

： 静态电流 （

模式输出电流 （

I

）—休眠 （

I

OUT

I

OUT

Q

）

Output Current (mA)

I

）—休眠 （

Q

）

SLEEP

VIN = 2.4V

VIN = 3.0V

SLEEP

）

）

 2006 Microchip Technology Inc. DS21989A_CN 第 7 页

MCP1256/7/8/9

V

V

典型工作特性曲线 （续）

注：除另有说明外， C

IN = COUT =

10 µF， C

1 = C2 =

1 µF， I

10 mA， TA= +25°C。

OUT =

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

BYPASS Impedance (Ω)

1.0

1.8 2.1 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6

图

2-13

： 旁路 （

（

R

BYPASS

Output Voltage Ripple (V)

）—电源电压 （

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

-0.01

-0.02

-0.03

-0.04
012345678910

Input Voltage (V)

BYPASS

）模式阻抗

V

IN

Time (µs)

）

VIN = 2.4V

I

= 10 mA

OUT

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

-0.01

-0.02

-0.03

Output Voltage Ripple (V)

-0.04
012345678910

图

2-16

： 输出电压纹波—正常2x模式时间

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

-0.01

-0.02

-0.03

Output Voltage Ripple (V)

-0.04
012345678910

Time (µs)

Time (µs)

I

OUT

I

OUT

VIN = 2.4V

= 100 mA

VIN = 3.0V

= 10 mA

2-14

图

图

： 输出电压纹波—正常2x模式时间

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

-0.01

-0.02

-0.03

Output Voltage Ripple (V)

-0.04
012345678910

2-15

： 输出电压纹波—正常2x模式时间

Time (µs)

I

OUT

VIN = 2.4

= 50 mA

图

2-17

： 输出电压纹波—正常

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

-0.01

-0.02

-0.03

Output Voltage Ripple (V)

-0.04
012345678910

2-18

图

： 输出电压纹波—正常

Time (µs)

1.5x

1.5x

模式时间

VIN = 3.0

I

= 50 mA

OUT

模式时间

DS21989A_CN 第 8 页  2006 Microchip Technology Inc.

典型工作特性曲线 （续）

V

A

V

注：除另有说明外， C

IN = COUT =

10 µF， C

1 = C2 =

1 µF， I

10 mA， TA= +25°C。

OUT =

MCP1256/7/8/9

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

-0.01

-0.02

-0.03

Output Voltage Ripple (V)

-0.04
012345678910

图

2-19

： 输出电压纹波—正常

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

-0.05

-0.10

-0.15

Output Voltage Ripple (V)

-0.20

Time (µs)

1.5x

VIN= 3.0

I

= 100 m

OUT

模式时间

VIN = 2.4V

= 1 mA

I

OUT

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

-0.05

-0.10

-0.15

Output Voltage Ripple (V)

-0.20

图

2-22

： 输出电压纹波—休眠 （

式时间

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

-0.05

-0.10

-0.15

Output Voltage Ripple (V)

-0.20

Time (µs)

VIN = 3.0V

= 1 mA

I

OUT

SLEEP

VIN = 3.0V

= 10 mA

I

OUT

）模

图

2-20

： 输出电压纹波—休眠 （

式时间

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

-0.05

-0.10

-0.15

Output Voltage Ripple (V)

-0.20

2-21

图

： 输出电压纹波—休眠 （

式时间

Time (µs)

Time (µs)

SLEEP

VIN= 2.4

I

= 10 mA

OUT

SLEEP

）模

）模

2-23

图

： 输出电压纹波—休眠 （

式时间

8

7

6

5

4

3

2

1

SLEEP Input Voltage (V)

0

2-24

图
（
（

： 输出电压纹波—模式转换时间：休眠

SLEEP
SLEEP

）模式至正常2x模式至休眠
）模式

Time (µs)

Time (µs)

VIN = 2.4V

= 10 mA

I

OUT

SLEEP

）模

0.20

0.10

0.00

-0.10

-0.20

-0.30

-0.40

-0.50

-0.60

Output Voltage Ripple (V)

 2006 Microchip Technology Inc. DS21989A_CN 第 9 页

MCP1256/7/8/9

A

典型工作特性曲线 （续）

注：除另有说明外， C

IN = COUT =

10 µF， C

1 = C2 =

1 µF， I

10 mA， TA= +25°C。

OUT =

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

Output Current (A)

0.05

0.00

图

2-25

： 负载瞬态响应—正常2x模式

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

Output Current (A)

0.05

0.00

0.20

V

OUT

VIN = 2.4V

I

OUT

Time (µs)

V

OUT

VIN = 3.0V

I

OUT

0.10

0.00

-0.10

-0.20

-0.30

-0.40

-0.50

-0.60

0.20

0.10

0.00

-0.10

-0.20

-0.30

-0.40

-0.50

-0.60

(V)

Output Voltage Ripple

(V)

Output Voltage Ripple

8

7

6

5

4

3

2

Input Voltage (V)

1

0

图

2-27

： 线路瞬态响应

8

7

6

5

4

3

2

Input Voltage (V)

1

0

V

OUT

I

= 10 mA

OUT

V

IN

Time (µs)

V

OUT

I

= 100 m

OUT

V

IN

0.20

0.10

0.00

-0.10

-0.20

-0.30

-0.40

-0.50

-0.60

0.20

0.10

0.00

-0.10

-0.20

-0.30

-0.40

-0.50

-0.60

(V)

Output Voltage Ripple

(V)

Output Voltage Ripple

图

Time (µs)

2-26

： 负载瞬态响应—正常

1.5x

模式

图

2-28

： 线路瞬态响应

Time (µs)

DS21989A_CN 第 10 页  2006 Microchip Technology Inc.

3.0 引脚功能描述

表 3-1 对器件引脚作了说明。

表 3-1： 引脚功能表

引脚编号

DFN MSOP

1 1 PGOOD

2 2 SLEEP

33 C2-

44 C1+

55 V

66 C2+

77 V

88 C1-

99 GND

10 10 SHDN

符号 功能

LBO

BYPASS

OUT

MCP1256/7/8/9

漏极开路电源正常状态输出：MCP1256 和 MCP1258
漏极开路电池低电压输出：MCP1257 和 MCP1259
输入低电平有效， SLEEP 模式控制引脚：MCP1256 和 MCP1257
输入低电平有效， BYPASS 模式控制引脚：MCP1258 和 MCP1259
电荷泵电容器负极
电荷泵电容器正极
稳压 3.3V 输出引脚
电荷泵电容器正极

IN

电源输入电压引脚
电荷泵电容器负极
接地引脚
输入低电平有效，关断模式控制引脚

3.1 状态指示输出 （PGOOD， LBO）

3.1.1 电源正常状态输出 （PGOOD）

MCP1256/8：当输出电压处于稳压状态时，PGOOD 为
高阻抗。当输出电压跌落标称值的 7% （典型值）时，
该引脚输出低电平。 PGOOD 输出将保持低电平状态，
直至 V
在启动过程中，该引脚指示输出电压何时达到稳定值。
当 SHDN 引脚为低电平或 BYPASS 引脚为低电平

（MCP1258）时， PGOOD 处于高阻抗状态。

恢复到与标称值相差 3% （典型值）以内。

OUT

3.1.2 电池低电压输出 （LBO）

MCP1257/9：当输入电压高于低电池检测门限电压时，

为高阻抗。当输入电压跌落到低于低电池检测门限

LBO

电压时，该引脚输出低电平。LBO
态，直至 VIN恢复到高于低电池检测门限电压和迟滞电
压之和。当 SHDN 引脚为低电平或 BYPASS 引脚为低
电平 （MCP1259）时， LBO

输出将保持低电平状

处于高阻抗状态。

3.2 模式选择 （SLEEP， BYPASS）

3.2.1 低电平有效，休眠模式控制
（SLEEP

MCP1256/7：在该引脚施加一个逻辑低电平信号可使器
件工作在休眠（SLEEP）模式。在这种模式下，器件仍
提供稳定的输出。 SLEEP 模式采用脉冲忽略的工作方
式，这可以减小器件输入电流，但是会增加输出电压纹
波。

）

3.2.2 低电平有效，旁路模式控制
（BYPASS

MCP1258/9：在该引脚施加一个逻辑低电平信号可使器
件工作在旁路 （BYPASS）模式。在这种模式，输入电
源电压直接连接到输出端。

）

3.3 电荷泵电容器负极 （C2-）

建议接一个 1 µF 陶瓷电容。

3.4 电荷泵电容器正极 （C1+）

建议接一个 1 µF 陶瓷电容。

3.5 稳压输出引脚 （V

3.3V稳压输出。用一个最小2.2 µF的电容对GND 旁路。

OUT

）

3.6 电荷泵电容器正极 （C2+）

建议接一个 1 µF 陶瓷电容。

3.7 电源输入电压引脚 （VIN）

建议电源电压为 1.8V 至 3.6V。用一个最小 1 µF 的电容
对 GND 旁路。

3.8 电荷泵电容器负极 （C1-）

建议接一个 1 µF 陶瓷电容。

3.9 接地引脚 （GND）

连接到输入电源的负极。

3.10 器件关断输入引脚 （SHDN）

在该引脚施加一个逻辑低电平信号可关断器件。在该引
脚施加一个逻辑高电平信号使器件处于正常工作状态。

 2006 Microchip Technology Inc. DS21989A_CN 第 11 页

MCP1256/7/8/9

4.0 器件概述

MCP1256/7/8/9 是正电压稳压电荷泵，可以将 +1.8V 至
+3.6V 的输入电压转换成稳定的 +3.3V 输出电压。
MCP1256/7/8/9为升压 DC/DC转换提供了一种低成本、

紧凑而简单的解决方案，尤其适合于基于 EMI 噪声和电
感尺寸的考虑而不采用开关稳压方案的电池供电应用。

MCP1256/7/8/9 设计为在正常工作条件下，即

=2.4V或 2.8V， V

V

IN

能提供最高的转换效率。 650 kHz （典型值）的固定开
关频率也易于实现外部滤波。

MCP1256/7 提供独特的休眠（SLEEP）模式。SLEEP
模式减小了来自输入电源的输入电流，同时能为外设提
供稳定的偏置电压。在便携式应用中，SLEEP 模式可以
显著延长电池的使用时间。

MCP1258/9 提供独特的旁路 （BYPASS）模式，使器
件几乎不从输入电源输入任何电流，而为外设提供不稳
定的偏置电压。在 BYPASS 模式下，器件直接将输入电
压连接到输出，器件的其他功能都关断。在便携式应用
中， BYPASS 模式可以显著延长电池的使用时间。

这些器件在输入电压 V
达100 mA的输出电流。这些器件工作结温范围为 -40°C
至+125°C，提供节省空间的10引脚MSOP或DFN封装。

4.1 工作原理

MCP1256/7/8/9系列器件通过一个基于开关电容的电荷
泵，将输入电压 VIN升压并转换成稳定的 3.3V 输出电
压。器件的电压转换和调整过程可分为两个阶段：充电
和电荷转移。请参见功能框图，当器件不处于关断、休
眠（SLEEP）或旁路 （BYPASS）模式时，器件 将连
续执行这两个阶段。

在充电阶段，电荷从输入电源转移到电荷泵电容器

（Flying Capacitor）C

+、C1- 和 C2+、C2- 引脚上。在此期间，开关 S4

在 C

1

和 S6 闭合，开关 S2 控制着转移到电荷泵电容器上的电
荷数量。充电电荷的数量由内部采样和保持误差放大器
根据来自于充电阶段开始时输出电压的反馈决定。

一旦第一阶段 （充电）结束，就开始电荷转移阶段。第
二阶段将电荷泵电容器上的能量转移到输出。
MCP1256/7/8/9 系列器件可以自动在 1.5x 和 2x 模式下
切换。这种模式切换决定了在将能量转换到输出时，电
荷泵电容器是处于并联方式 （1.5x 模式），还是处于串
联方式（2x 模式）。这种转换模式也决定了在电荷转移
阶段哪些开关处于闭合状态。

=3.3V， I

OUT

大于等于 2.2V 时可以提供高

IN

和 C2上，而 C1和 C2分别连接

1

=100mA时

OUT

充电和电荷转移两个阶段发生在内部振荡器的一个时钟
周期内。当第二个阶段（电荷转移）结束后，将重新开
始新的充电阶段，周而复始。

4.2 电能效率

电能效率 η 的大小由器件的 1.5x 或 2x 工作模式决定。
公式 4-1 和公式 4-2 可以用来近似计算输出电流较大时
的器件效率。在轻载时，还需在计算中考虑器件的静态
电流。

公式 4-1：

P

η

1.5x

OUT

------------­P

IN

V

×

OUTIOUT

---------------------------------------- ­VIN1.5×I

×

OUT

V

OUT

----------------------== =
VIN1.5

×

公式 4-2：

P

η

OUT

-------------

2x

P

IN

V

×

OUTIOUT

-----------------------------------­VIN2×I

×

OUT

V

OUT

----------------- -== =
VIN2

×

4.3 关断模式 （SHDN）

驱动 SHDN 引脚为低电平可将 MCP1256/7/8/9 置于低
功耗关断模式。这样做关闭了电荷泵的开关、振荡器和
控制逻辑电路，可将静态电流降为 0.25 µA（典型值）。
在关断模式下，PGOOD 和 LBO

输出引脚处于高阻抗状

态。

4.4 休眠模式 （SLEEP）

MCP1256/7 提供独特的休眠（SLEEP）模式。SLEEP
模式减小了从输入电源吸收的电流，同时能为外设提供
稳定的偏置电压。在便携式应用中，SLEEP 模式可以显
著延长电池的使用时间。

由于器件输出稳压围绕着一个固定的电压基准进行滞后
调整，因此称为滞后稳压控制方式，也称作 Bang-bang
控制。滞后调整的结果是，在不受负载电流影响的输出
端可以观察到一定幅度的峰峰值电压纹波。但负载电流
和输出容抗会严重影响输出纹波的频率。

4.5 旁路模式 （BYPASS）

MCP1258/9 提供独特的旁路 （BYPASS）模式，使器
件几乎不从输入电压输入任何电流，而为外设提供不稳
定的偏置电压。在 BYPASS 模式，器件直接将输入电压
连接到输出，器件的其他功能都关断。在便携式应用
中， BYPASS 模式可以显著延长电池的使用时间。

DS21989A_CN 第 12 页  2006 Microchip Technology Inc.

MCP1256/7/8/9

4.6 电源正常状态输出 （PGOOD）

对于 MCP1256/8 器件， PGOOD 输出是一个漏极开路
输出，在稳压器输出电压降到 0.93V
下时进入灌电流状态。若稳压器输出电压瞬间跌落到

0.93V

常，器件内部的抗毛刺电路将会阻止 PGOOD 输出引脚
变为低电平。在 PGOOD 引脚和 V
10 kΩ 至 1MΩ 的上拉电阻可以输出逻辑电平。在不使
用 PGOOD 时，可将该引脚接地或断开。

当输出电压处于稳压状态时，PGOOD 为高阻抗。当输
出电压跌落标称值的 7% （典型值）时，该引脚输出低
电平， PGOOD 输出将保持低电平状态，直至 V
复到与标称值相差 3%（典型值）以内。在启动过程中，
该引脚指示输出电压何时达到稳定值。当 SHDN
低电平或 BYPASS
PGOOD 处于高阻抗状态。

（典型值）以下的时间短于 200 µs 后恢复正

OUT

引脚为低电平 （MCP1258）时，

（典型值）以

OUT

之间接入一个

OUT

OUT

引脚为

4.7 电池低电压输出 （LBO）

对于MCP1257/9器件，LBO输出是一个漏极开路输出，
在稳压器输入电压降到一个预置的门限电压时进入灌电
流状态。若输入电压瞬间跌落到的预置门限电压以下的
时间短于 200 µs 后恢复正常，器件内部的抗毛刺电路
将会阻止 LBO

V

之间接入一个 10 kΩ 至 1MΩ 的上拉电阻可以输

OUT

出逻辑电平。在不使用 LBO 时，可将该引脚接地或断
开。

当输入电压高于低电池检测门限电压时， LBO
抗。当输入电压跌落到低于低电池检测门限电压时，该
引脚输出低电平。 LBO 输出将保持低电平状态，直至

VIN恢复到高于低电池检测门限电压与迟滞电压之和。

当 SHDN

（MCP1259）时， LBO 处于高阻抗状态。

输出引脚变为低电平。在 LBO 引脚和

为高阻

引脚为低电平或 BYPASS 引脚为低电平

4.8 软启动和短路保护功能

恢

4.9 过热关断

MCP1256/7/8/9 具有温度迟滞控制的过热关断功能。当
管芯温度超过 160°C 时，器件关断。当管芯温度回落
15°C 时， MCP1256/7/8/9 自动接通。如果管芯温度过
高是由输出过载造成的，而且过载并未消除，器件将交
替接通和关断，从而形成脉冲输出。

5.0 应用

5.1 电容的选择

MCP1256/7/8/9系列器件外围电容的种类和数值是影响
输出电压纹波和电荷泵容量等重要参数的决定因素。为
了减小输出电压的噪声和纹波，在选择 C
建议采用低 ESR （0.1Ω）电容。选用的电容应为陶瓷
电容，容值应大于等于 10 µF，以达到最佳性能。

如果输入到V
可以不需要 CIN。也可采用容量较小的电容代替建议的
10 µF 电容，但这样会降低输入 V
制效果。

的值决定了 V

C

OUT

C

可以减小输出电压纹波的幅值，但其代价是关断

OUT

后接通时间延长，以及冲击电流升高。

电荷泵电容器 （C
达到最大额定输出电流（100 mA），电荷泵电容器的容
值至少须达到 1 µF。电荷泵电容器越小，每一时钟周期
内传递的电荷量越少，导致输出电流变小。

的源阻抗非常低，而频率高达几兆赫兹，

IN

IN

上的输出电压纹波幅值。增大

OUT

和 C2）决定了电荷泵的容量。为了

1

和 C

IN

引脚的电压纹波抑

5.2 PCB 布局建议

由于MCP1256/7/8/9器件以很高的开关频率进行电荷转
移，会产生高速、幅值很高的瞬时尖峰电流。因此，元
件布局造成的杂散电感会在系统中产生噪声干扰。为了
保证最佳性能，需要采用正确的电路板布局技巧。

OUT

时，

MCP1256/7/8/9 具有返送短路保护电路。器件启动时，
该电路通过限制冲击电流提供内部软启动功能，并在输
出端短路接地时将输出电流限制在 150 mA（典型值）。
无论是初始上电启动还是从关断模式恢复，或从旁路
BYPASS 模式恢复，内部软启动电路均需要约 175 µs

（典型值）来使输出电压达到稳定值。

 2006 Microchip Technology Inc. DS21989A_CN 第 13 页

MCP1256/7/8/9

6.0 典型应用电路

MCP1256/7/8/9为无电感、正电压输出开关电容 DC/DC
转换器。其典型应用电路如图 6-1 所示。

输入

1.8V 至 3.6V

输入

1.8V 至 3.6V

C

IN

10 µF

ON / OFF

C

IN

10 µF

MCP1256

V

OUT

C2+

C2-

5

R

1

1

6

C

3

2

1µF

C

1

1µF

10

7

4

8

2

V

IN

SHDN

C1+

C1-

SLEEP

PGOOD

GND

9

具有电源正常（Power-Good）指示的典型应用电路

MCP1259

V

OUT

LBO

C2+

C2-

5

R

1

1

6

3

C

2

1µF

C

1

1µF

10

7

4

8

V

IN

SHDN

C1+

C1-

输出

3.3V

C

OUT

10 µF

电源正常指示

输出

3.3V

C

OUT

10 µF

电池电压低指示

2

BYPASS

ON / OFF

GND

9

具有电池电压低（Low-Battery）指示的典型应用电路

图

6-1

： 典型应用电路

DS21989A_CN 第 14 页  2006 Microchip Technology Inc.

7.0 封装信息

7.1 封装标识

MCP1256/7/8/9

10 引脚 DFN

1

XXXX

2

XYWW

3

NNN

4

56

10

9

8

7

10 引脚 MSOP

XXXXX

YWWNNN

示例 ：

1

1256

2

E607

3

256

4

56

10

9

8

7

示例 ：

1259E

607256

图注： XX...X 用户特定信息

Y 年份代码 （日历年的末位数字）
YY 年份代码 （日历年的后两位数字）
WW 星期代码 （一月一日的星期代码为 “01”）
NNN 以字母数字排序的追踪代码

3

e

雾锡 （Matte Tin， Sn）的 JEDEC 无铅标识
* 本封装是无铅的。 JEDEC 无铅标识 （ ）标示于此种封装的外包

3

e

装上。

注： Microchip 元器件编号如果无法在同一行内完整标注，将换行标出，因此会限制

客户指定信息的可用字符数。

 2006 Microchip Technology Inc. DS21989A_CN 第 15 页

MCP1256/7/8/9

10 引脚塑料双列扁平无引线封装 （MF） 3x3x0.9 mm 主体 （DFN）——切割分离

E

引脚

1

ID

定位区

（注1）

A3

引脚数
引脚间距
总高度
悬空间隙
触点厚度
总长度
外露焊盘长度
总宽度
外露焊盘宽度
触点宽度
触点长度
触点到外露焊盘间距

*

§

注：

1.引脚1

2.

3.

BSC

REF

等同于
图号：：

§

控制参数

重要特性

的可见定位区可能会有所不同，但必须位于阴影区域。
外露金属焊盘尺寸随管芯踏板大小而变化。
此封装两侧可能有一个或多个外露系杆。

：基本尺寸。理论上显示的是没有公差的精确值。

请参见

：参考尺寸。通常无公差，仅供参考。

请参见

JEDEC

C04-063

俯视图

单位

尺寸范围

（注3）

（注3

§ K .008 — — 0.20 — —

ASME Y14.5M

ASME Y14.5M

号：未登记

n

e

A

A1

A3

E

E2

D

）

D2

b

L

A1

最小

D

.031

.000

.112

.082

.112

.051

.008

.012

外露金属焊盘

A

英寸

正常

.020 BSC

.008 REF.

K

2

）

（注

外露系杆

（注3）

最大

10

.035

.001

.118

.094

.118

.065

.010

.016

.039

.002

.124

.096

.124

.067

.015

.020

E2

仰视图

毫米

最小

0.50 BSC

0.80

0.00

0.20 REF.

2.85

2.08

2.85

1.30

0.18

0.30

修订于

pb

21

*

正常

10

0.90

0.02

3.00

2.39

3.00

1.65

0.25

0.40

09-12-05

n

L

D2

最大

1.00

0.05

3.15

2.45

3.15

1.70

0.30

0.50

DS21989A_CN 第 16 页  2006 Microchip Technology Inc.

10 引脚塑料微型小外型封装 （UN）（ MSOP）

E

E1

p

n

B

MCP1256/7/8/9

D

2

1

α

c

L

β

单位

尺寸范围
引脚数
引脚间距
总高度
塑模封装厚度
悬空间隙
总宽度
塑模封装宽度
总长度
底脚长度
底脚占位
底脚倾斜角
引脚厚度
引脚宽度
塑模顶部锥度
塑模底部锥度

* 控制参数

注：
尺寸D和E1不包含塑模的毛边或突起。塑模每侧的毛边或突起不得超过 0.010 英寸（0.254 毫米）。

BSC： 基本尺寸。理论上显示的是没有公差的精确值。

REF

：参考尺寸。通常无公差，仅供参考。

等同于
图号

ASME Y14.5M

请参见

请参见

ASME Y14.5M

JEDEC 号： MO-187 BA

C04-021

n
p

A

A2

A1

E

E1

D

L

φ

c

B

α
β

（F）

最小

.030

.000

.016 .024

0° – 8°

.003

.006

5° –

5° –

英寸

正常

.020 BSC

.193 BSC

.118 BSC

.118 BSC

.037 REFF

φ

10

.033

.009

A

A1

最小最大 正常

.043

.037

.006

.031

–

.009

.012

15°

15°

0.75

0.00

0.40

0.08

0.15

A2

毫米

*

最大

10

0.50 BSC

–

4.90 BSC

3.00 BSC

3.00 BSC

0.95 REF

5° 15°

5° 15°

修订于

–

0.85

0.60

–

–

0.23

–

–

09-16-05

1.10

0.95

0.15

0.80

0.23

0.30

8°0°

 2006 Microchip Technology Inc. DS21989A_CN 第 17 页

MCP1256/7/8/9

注：

DS21989A_CN 第 18 页  2006 Microchip Technology Inc.

附录 A： 版本历史

版本 A （2006 年 3 月）

• 本文档的初始版本。

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MCP1256/7/8/9

注：

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产品标识体系

欲订货，或获取价格、交货等信息，请与我公司生产厂或各销售办事处联系。

MCP1256/7/8/9

器件编号

器件

器件

温度范围 E= -40°C 至 +125°C

封装

X /XX

封装 温度范围

MCP1256： 正稳压电荷泵带休眠 （SLEEP）模式和电源

MCP1256T： 正稳压电荷泵带休眠模式和电源正常指示，

MCP1257： 正稳压电荷泵带休眠模式和电池低电压

MCP1257T： 正稳压电荷泵带休眠模式和电池低电压指示，

MCP1258： 正稳压电荷泵带旁路 （BYPASS）模式和电源

MCP1258T： 正稳压电荷泵带旁路模式和电源正常指示，卷

MCP1259： 正稳压电荷泵带旁路模式和电池低电压指示
MCP1259T： 正稳压电荷泵带旁路模式和电池低电压指示，

MF = 双列扁平无引线 （3 x 3 mm 主体）， 10 引脚
UN = 塑料微型小外型 （MSOP）， 10 引脚

正常 （Power-Good）指示

卷带式

（Low-Battery）指示

卷带式

正常指示

带式

卷带式

示例：

a) MCP1256-EMF： 工业温度级， DFN 封装
b) MCP1256T-EMF： 卷带式，工业温度级，

c) MCP1256-EUN： 工业温度级， MSOP 封装
d) MCP1256T-EUN： 卷带式，工业温度级，

a) MCP1257-EMF： 工业温度级， DFN 封装
b) MCP1257T-EMF： 卷带式，工业温度级，

c) MCP1257-EUN： 工业温度级， MSOP 封装
d) MCP1257T-EUN： 卷带式，工业温度级，

a) MCP1258-EMF： 工业温度级， DFN 封装
b) MCP1258T-EMF： 卷带式，工业温度级，

c) MCP1258-EUN： 工业温度级， MSOP 封装
d) MCP1258T-EUN： 卷带式，工业温度级，

a) MCP1259-EMF： 工业温度级， DFN 封装
b) MCP1259T-EMF： 卷带式，工业温度级，

c) MCP1259-EUN： 工业温度级， MSOP 封装
d) MCP1259T-EUN： 卷带式，工业温度级，

DFN 封装

MSOP 封装

DFN 封装

MSOP 封装

DFN 封装

MSOP 封装

DFN 封装

MSOP 封装

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MCP1256/7/8/9

注：

DS21989A_CN 第 22 页  2006 Microchip Technology Inc.

请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点：

•Microchip的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标。

•Microchip确信：在正常使用的情况下， Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一。

• 目前，仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。就我们所知，所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操
作规范来使用 Microchip 产品的。这样做的人极可能侵犯了知识产权。

•Microchip愿与那些注重代码完整性的客户合作。

•Microchip或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品是 “牢不可破”的。

代码保护功能处于持续发展中。 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视
为违反了《数字器件千年版权法案 （Digital Millennium Copyright Act）》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下，能访问您的软

件或其他受版权保护的成果，您有权依据该法案提起诉讼，从而制止这种行为。

提供本文档的中文版本仅为了便于理解。请勿忽视文档中包含
的英文部分，因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用

情况的有用信息。Microchip Technology Inc. 及其分公司和相
关公司、各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的

任何差错不承担任何责任。建议参考 Microchip Technology
Inc. 的英文原版文档。

本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便
利，它们可能由更新之信息所替代。确保应用符合技术规范，

是您自身应负的责任。Microchip 对这些信息不作任何明示或
暗示、书面或口头、法定或其他形式的声明或担保，包括但不

限于针对其使用情况、质量、性能、适销性或特定用途的适用
性的声明或担保。 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而

引起的后果不承担任何责任。如果将 Microchip 器件用于生命
维持和 / 或生命安全应用，一切风险由买方自负。买方同意在
由此引发任何一切伤害、索赔、诉讼或费用时，会维护和保障

Microchip 免于承担法律责任，并加以赔偿。在 Microchip 知识
产权保护下，不得暗中或以其他方式转让任何许可证。

商标

Microchip 的名称和徽标组合、 Microchip 徽标、 Accuron、
dsPIC、 K

EELOQ、 microID、 MPLAB、 PIC、 PICmicro、

PICSTART、 PRO MATE、 PowerSmart、 rfPIC 和
SmartShunt 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国

家或地区的注册商标。

AmpLab、 FilterLab、 Migratable Memory、 MXDEV、
MXLAB、SEEVAL、SmartSensor 和 The Embedded Control
Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc.在美国的

注册商标。

Analog-for-the-Digital Age、 Application Maestro、
CodeGuard、 dsPICDEM、 dsPICDEM.net、 dsPICworks、

ECAN、 ECONOMONITOR、 FanSense、 FlexROM、
fuzzyLAB、In-Circuit Serial Programming、ICSP、ICEPIC、

Linear Active Thermistor、 Mindi、 MiWi、 MPASM、
MPLIB、 MPLINK、 PICkit、 PICDEM、 PICDEM.net、

PICLAB、 PICtail、 PowerCal、 PowerInfo、 PowerMate、
PowerTool、REAL ICE、 rfLAB、 rfPICDEM、 Select Mode、

Smart Serial、 SmartTel、 Total Endurance、 UNI/O、
WiperLock和ZENA均为Microchip Technology Inc.在美国和其

他国家或地区的商标。
SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记。

在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。
© 2006, Microchip Technology Inc. 版权所有。

Microchip
Gresham

晶圆生产厂均于通过了
位单片机、
性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合
此外，

ISO 9001:2000

位于美国亚利桑那州

及位于加利福尼亚州

®

KEELOQ

跳码器件、串行

Microchip

在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了

认证。

Chandler和Tem pe

Mountain View

ISO/TS-16949:2002

EEPROM

、位于俄勒冈州

的全球总部、设计中心和

认证。公司在

、单片机外设、非易失

ISO/TS-16949:2002

PICmicro

®

 2006 Microchip Technology Inc. DS21989A_CN 第 23 页

8

。

深圳市粤原点科技有限公司（丽智电子:www.LZmcu.com）
(Microchip Authorized Design Partner)指定授权
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Add：Room 1103,Block C,World Trade Plaza,
Fuhong Road,Futian District Shen Zhen City 
电话(tel) ：86-755-83666320,83685176,83666321,83666325
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