MAIN
IN
GND
SDIG
RS
ENC2
LXL
LFB
3.3V, 500mA
SD CARD SLOT
TO IN
ENL
LCD
15V
LCD
TO MAIN
SW
ENSD
ON
OFF
ON
OFF
ON
OFF
ON
OFF
ON
OFF
3.3V, 500mA
MAIN
V
IN
REF
COR1
1V OR 1.3V
250mA
COR1
LXC
PGND
CV
1.3V
1V
ENC1
1.8V, 50mA
COR2
COR2
TO MAIN
LBO
LBI
DBO
TO MAIN
DBI
PV
ENM
SDIG
COR2
COR1
MAIN
MAX8594
19-3349; Rev 1; 11/04
__________________________________
MAX8594
电池或3节
它包含了小型便携设备所需的全部调节器、输出和电压
监视器，只需要少量外部元件。芯片内部包括三路线性
稳压器、用于
电源的高效
出和低电池电压关断功能。本器件采用高度为
型
QFN
COR1
1.3V、250mA
管，用于高效、低压差工作。主
输出。安全数字
COR2 LDO
的关断逻辑控制。如需其它输出电压组合，请与
联系。
用于
关断时具有
输入电源与电感完全断开，因此输出降至0V，而不是保
持在比输入电压低一个二极管压降。
复位输出在
µP
状态，以确保顺序启动。此外，
出稳定前不会启动。本器件还包括一个1%精度的基准和
低电池电压监视器。热关断保护用于防止芯片过热。
的电源电流。它采用微型、24引脚、
QFN
MAX8594
+85°C
__________________________________
______________________________
MAX8594ETG -40°C to +85°C
True Shutdown是Maxim Integrated Products, Inc.
本文是
翻译错误，如需确认任何词语的准确性，请参考
索取免费样品和最新版的数据资料，请访问
是完整的电源管理芯片，用于1节锂离子
电池供电的低成本个人数字助理
NiMH
LCD
4MHz
偏置的升压型
降压型
DC-DC
DC-DC
转换器、微处理器复位输
转换器、用于核
封装。
降压型
DC-DC
转换器提供可由引脚选择的1V或
输出。所有的线性稳压器都具有
提供
LDO
卡槽电源提供
(SD)
提供
偏置的升压型
LCD
True Shutdown
COR1
采用
3.1V至5.5V
封装，可耗散
的温度范围。
PDA
数字助理
蜂窝与无绳电话
MP3
播放器
1.8V、50mA
DC-DC
TM
功能，这意味着在关断期间，
输出稳定
电源供电，空载时消耗
功率。该器件工作在
1.67W
3.3V、500mA
输出。每个输出都有自己
转换器内置
典型值)后清除复位
20ms (
稳压器在
COR1
4mm x 4mm
手持设备
PART TEMP RANGE PIN-PACKAGE
________________________________________________________________ Maxim Integrated Products 1
正式英文资料的译文，
Maxim
24 Thin QFN
4mm x 4mm
(T2444-4)
的商标。
不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。请注意译文中可能存在文字组织或
Maxim
路输出
5
概述
(Li+)
(PDA)
的薄
0.8mm
调整
PMOS
3.3V、500mA
输出，
Maxim
3.3V
，在
主输
MOSFET
46µA
薄型
至
-40°C
应用
定购信息
提供的英文版资料。
Maxim
的主页：
Maxim
PMIC
，提供
DC-DC
用于低成本
__________________________________
极少的外部元件
♦
。
高效降压型
♦
♦ 1V/1.3V
♦主LDO
卡输出
♦ SD
副核
♦
♦
♦
♦ 46µA
LDO
高效率的
关断时，
的静态电流
DC-DC为CPU
可选择的核电压，
输出
3.3V、500mA
3.3V、500mA
输出
1.8V、50mA
升压转换器
LCD
电源输出为0V，
LCD
核供电
250mA
__________________________
引脚配置位于资料末尾。
www.maxim-ic.com.cn
。
True Shutdown
核电源，
PDA
MAX8594
特性
典型工作电路
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
PDA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
IN, PV, ENSD, ENC1, ENC2, ENL, RS, SDIG,
LBI, DBI to GND ...................................................-0.3V to +6V
LXL to GND ............................................................-0.3V to +30V
MAIN, COR1, COR2, REF, LFB, CV, ENM, LBO, DBO,
LXC, SW to GND......................................-0.3V to (V
PV to IN..................................................................-0.3V to +0.3V
PGND to GND .......................................................-0.3V to +0.3V
MAX8594
Current into LXL..........................................................300mA
Current out of SW .......................................................300mA
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional
operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
+ 0.3V)
IN
RMS
RMS
Current into LXC .........................................................400mA
Output Short-Circuit Duration.....................................Continuous
Continuous Power Dissipation (T
24-Pin Thin QFN Package
(derate 20.8mW/°C above +70°C).................................1.67W
Operating Temperature Range ...........................-40°C to +85°C
Junction Temperature......................................................+150°C
Storage Temperature Range .............................-65°C to +150°C
Lead Temperature (soldering, 10s) .................................+300°C
= +70°C)
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(VIN= VPV= V
Typical values are at T
ENSD
= V
ENC2
= +25°C.)
A
= V
ENL
= V
ENM
= V
ENC1
= V
DBI
= V
= VCV= 4.0V, TA = 0°C to +85°C, unless otherwise noted.
LBI
PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
GENERAL
IN, PV Voltage Range 3.1 5.5 V
V
= VIN, VIN falling 2.950 3.0 3.050
V
Complete Shutdown
IN
Threshold
V
Complete Shutdown
DBI
Threshold
V
LBO Threshold
LBI
V
LBO Threshold
IN
DBI Input Dual Mode™ Threshold
LBI Input Dual-Mode Threshold
with Respect to IN
DBI Complete Shutdown Input
Program Range
DBI Input Bias Current V
LBI Input Bias Current V
IN, PV Operating Current
DBI
V
= VIN, VIN rising 3.135 3.3 3.525
DBI
V
falling 1.234 1.25 1.263
DBI
V
rising 1.306 1.375 1.478
DBI
V
rising 1.234 1.25 1.263
LBI
V
falling 1.103 1.125 1.140
LBI
V
= VIN, VIN falling 3.262 3.33 3.366
LBI
V
= VIN, VIN rising 3.625 3.7 3.744
LBI
V
-
Preset mode, V
ADJ mode, V
Preset mode, V
ADJ mode, V
V
falling 3.0 5.5 V
IN
= 1.25V -50 +50 nA
DBI
= 1.25V -50 +50 nA
LBI
Shutdown (DBI remains on, REF off), V
V
= 2.7V
LBI
= 2.9V
IN
= 2.9V
IN
= 3.2V
IN
= 3.2V
IN
= VPV = V
IN
DBI
IN
0.3
V
-
IN
0.3
=
2 10
VIN -
1.2
VIN -
1.2
All off (REF on) 30 55
All on; LXL, LXC not switching 130 180
Main on, no load 46 75
IN Operating Current
Dual Mode 是Maxim Integrated Products, Inc.
2 _______________________________________________________________________________________
Main on, no load, COR1 on, LXC not switching 80 110
All on except LCD, V
的商标。
= 0V, LXL, LXC not switching 115 160
ENL
RMS
V
V
V
V
V
V
µA
µA
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
PDA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(VIN= VPV= V
Typical values are at T
ENSD
= V
ENC2
= +25°C.)
A
= V
ENL
= V
ENM
= V
ENC1
= V
DBI
= V
= VCV= 4.0V, TA = 0°C to +85°C, unless otherwise noted.
LBI
PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
LDOs
MAIN, SDIG Soft-Start Time 300 600 1200 µs
MAIN Output Voltage I
= 100µA to 300mA, VIN = 3.6V to 5.5V 3.218 3.3 3.383 V
LOAD
MAIN Current Limit 550 800 1200 mA
I
= 1mA 1
LOAD
MAIN Dropout Voltage
SDIG Output Voltage I
I
= 300mA 210 330
LOAD
I
= 500mA 350 595
LOAD
= 100µA to 200mA, VIN = 3.6V to 5.5V 3.218 3.3 3.383 V
LOAD
mV
SDIG Current Limit 525 718 900 mA
I
= 1mA 0.75
LOAD
I
SDIG Reverse Leakage Current V
COR2 Output Voltage I
= 200mA 170 300 SDIG Dropout Voltage
LOAD
I
= 500mA 525 1010
LOAD
= 5.5V, V
SDIG
= 100µA to 50mA, VIN = 3.6V to 5.5V 1.755 1.8 1.845 V
LOAD
= VIN = 0V 7 15 µA
ENSD
mV
COR2 Current Limit 65 98 150 mA
COR1 PWM BUCK
COR1 Output Voltage Accuracy
P-Channel On-Resistance
N-Channel On-Resistance
P-Channel Current-Limit
Threshold
N-Channel Current-Limit
Threshold
Minimum On- and Off-Times
LXC Leakage Current V
CV = high 1.259 1.3 1.340
CV = low 0.972 1 1.023
I
= -180mA 0.70 1.34
LXC
I
= -180mA, VPV = 3.1V 0.8 1.58
LXC
I
= 180mA 0.25 0.46
LXC
I
= 180mA, VPV = 3.1V 0.30 0.53
LXC
-0.50 -0.75 -0.925 A
-0.50 -0.72 -0.92 A
t
ON(MIN)
t
OFF(MIN)
= 0V, V
LXC
= 0V -10 +0.1 +10 µA
ENC1
0.1
0.1
V
Ω
Ω
µs
REF AND RESET OUTPUT
REF Voltage Accuracy I
REF Line Regulation 3.1V < V
REF Load Regulation 0.1µA < I
RS Deassert Threshold for COR1
Rising
= 0.1µA 1.236 1.25 1.264 V
REF
< 5.5V, I
IN
< 10µA 1 3 mV
REF
= 0.1µA 0.1 3 mV
REF
(Note 1) 88.00 90 93.25 %
MAX8594
_______________________________________________________________________________________ 3
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
PDA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(VIN= VPV= V
Typical values are at T
ENSD
= V
ENC2
= +25°C.)
A
= V
ENL
= V
ENM
= V
ENC1
= V
DBI
= V
= VCV= 4.0V, TA = 0°C to +85°C, unless otherwise noted.
LBI
PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
RS Assert Threshold 80 %
RS Deassert Delay 10 20 30 ms
MAX8594
RS Assert Delay 50mV overdrive 5 µs
LCD
LXL Voltage Range 28 V
LXL Current Limit L1 = 10µH 195 235 275 mA
LXL On-Resistance 1.7 Ω
LXL Leakage Current V
= 28V 0.2 2 µA
LXL
Maximum LXL On-Time 2 3 4 µs
V
> 1.1V 0.8 1 1.2
Minimum LXL Off-Time
LFB Feedback Threshold 1.229 1.25 1.270 V
LFB Input Bias Current V
SW Off-Leakage Current VSW = 0V, VPV = 5.5V, V
SW PMOS On-Resistance 1 1.5 Ω
SW PMOS Peak Current Limit 700 mA
SW PMOS Average Current Limit 300 mA
Soft-Start Time CSW = 1µF 0.13 ms
LFB
V
< 0.8V (soft-start) 3.9 5 6.0
LFB
= 1.3V 5 50 nA
LFB
= 0V 0.01 1 µA
ENL
LOGIC
EN_, CV Input Low Level V
EN_, CV Input High Level V
= 3.1V to 5.5V 0.35 V
IN
= 3.1V to 5.5V 1.4 V
IN
EN_, CV Input Leakage Current 0.01 1 µA
RS, LBO, DBO Output Low Level Sinking 1mA, V
DBO Output Low Level Sinking 100µA, V
RS, LBO, DBO Output High
Leakage
V
= 5.5V, VIN = 5.5V 1 µA
OUT
= 2.5V 0.02 0.1 V
IN
= 1.0V 0.02 0.1 V
IN
THERMAL PROTECTION
Thermal-Shutdown Temperature Rising temperature +160 °C
Thermal-Shutdown Hysteresis 15 °C
µs
4 _______________________________________________________________________________________
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
PDA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(VIN= VPV= V
ENSD
= V
ENC2
= V
ENL
= V
ENM
= V
ENC1
= V
DBI
= V
= 4.0V, TA = -40°C to +85°C, unless otherwise noted.) (Note 2)
LBI
PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
GENERAL
IN, PV Voltage Range 3.1 5.5 V
V
= VIN, VIN falling 2.93 3.06
V
Complete Shutdown
IN
Threshold
V
Complete Shutdown
DBI
Threshold
V
LBO Threshold
LBI
V
LBO Threshold
IN
DBI Input Dual-Mode Threshold
LBI Input Dual-Mode Threshold
with Respect to IN
DBI Complete Shutdown Input
Program Range
DBI Input Bias Current V
LBI Input Bias Current V
IN, PV Operating Current
DBI
V
= VIN, VIN rising 3.135 3.525
DBI
V
falling 1.228 1.264
DBI
V
rising 1.306 1.478
DBI
V
rising 1.228 1.264
LBI
V
falling 1.103 1.140
LBI
V
= VIN, VIN falling 3.248 3.366
LBI
V
= VIN, V
LBI
Preset mode, V
ADJ mode, V
Preset mode, V
ADJ mode, V
V
falling 3.0 5.5 V
IN
= 1.25V -50 +50 nA
DBI
= 1.25V -50 +50 nA
LBI
Shutdown (DBI remains on, REF off), V
V
= 2.7V
LBI
rising 3.609 3.744
IN
V
-
= 2.9V
IN
= 2.9V
IN
= 3.2V
IN
= 3.2V
IN
= VPV = V
IN
DBI
IN
0.3
V
-
IN
0.3
=
10
VIN -
1.25
VIN -
1.25
All off (REF on) 55
V
V
V
V
V
V
µA
All on, LXL, LXC not switching 180
Main on, no load 75
IN Operating Current
LDOs
Main on, no load, COR1 on, LXC not switching 110
All on except LCD, V
switching
= 0V, LXL and LXC not
ENL
160
µA
MAIN, SDIG Soft-Start Time Ramp ILIM from 0% to 100% 300 1200 µs
MAIN Output Voltage I
= 100µA to 300mA, VIN = 3.6V to 5.5V 3.209 3.383 V
LOAD
MAIN Current Limit 550 1230 mA
I
= 300mA 330
MAIN Dropout Voltage
LOAD
I
= 500mA 595
LOAD
mV
MAX8594
_______________________________________________________________________________________ 5
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
PDA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(VIN= VPV= V
ENSD
= V
ENC2
= V
ENL
= V
ENM
= V
ENC1
= V
DBI
= V
= 4.0V, TA = -40°C to +85°C, unless otherwise noted.) (Note 2)
LBI
PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
SDIG Output Voltage I
= 100µA to 200mA, VIN = 3.6V to 5.5V 3.212 3.383 V
LOAD
SDIG Current Limit 485 900 mA
I
MAX8594
SDIG Dropout Voltage
SDIG Reverse Leakage Current V
COR2 Output Voltage I
= 200mA 300
LOAD
I
= 500mA 1250
LOAD
= 5.5V, V
SDIG
= 100µA to 50mA, VIN = 3.6V to 5.5V 1.750 1.845 V
LOAD
= VIN = 0V 15 µA
ENSD
COR2 Current Limit 65 150 mA
COR1 PWM BUCK
COR1 Output Voltage Accuracy
P-Channel On-Resistance
N-Channel On-Resistance
P-Channel Current-Limit
Threshold
N-Channel Current-Limit
Threshold
LXC Leakage Current VPV = 5.5V, V
CV = high 1.255 1.340
CV = low 0.969 1.023
I
= -180mA 1.34
LXC
= -180mA, VPV = 3.1V 1.58
I
LXC
I
= 180mA 0.46
LXC
= 180mA, VPV = 3.1V 0.53
I
LXC
-0.500 -0.925 A
-0.46 -0.92 A
= 0V or VPV, V
LXC
= 0V -10 +10 µA
ENC1
REF AND RESET OUTPUT
REF Voltage Accuracy I
REF Line Regulation 3.1V < V < 5.5V, I
REF Load Regulation 0.1µA < I
RS Deassert Threshold for COR1
Rising
= 0.1µA 1.229 1.264 V
REF
= 0.1µA 3 mV
REF
< 10µA 3 mV
REF
(Note 1) 88.00 93.25 %
RS Deassert Delay 10 30 ms
LCD
LXL Voltage Range 28 V
LXL Current Limit L1 = 10µH 180 280 mA
LXL Leakage Current V
= 28V 2 µA
LXL
Maximum LXL On-Time 2 4 µs
V
> 1.1V 0.8 1.2
Minimum LXL Off-Time
LFB Feedback Threshold 1.233 1.270 V
LFB Input Bias Current V
SW Off-Leakage Current VSW = 0V, VPV = 5.5V, V
SW PMOS On-Resistance 1.5 Ω
LFB
V
< 0.8V (soft-start) 3.9 6.0
LFB
= 1.3V 50 nA
LFB
= 0V 1 µA
ENL
mV
V
Ω
Ω
µs
6 _______________________________________________________________________________________
路输出
MAIN DROPOUT VOLTAGE
vs. LOAD CURRENT
MAX8594 toc01
LOAD CURRENT (mA)
DROPOUT VOLTAGE (mV)
500400300200100
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
0 600
100
200
300
400
500
600
700
800
0
SDIG DROPOUT VOLTAGE
vs. LOAD CURRENT
MAX8594 toc02
LOAD CURRENT (mA)
DROPOUT VOLTAGE (mV)
5004003002001000600
1.5000
2.0000
1.7500
2.7500
2.5000
2.2500
3.2500
3.0000
3.5000
0 300 400100 200 500 600 700 800 900
MAIN OUTPUT VOLTAGE
vs. LOAD CURRENT
MAX8594 toc03
LOAD CURRENT (mA)
OUTPUT VOLTAGE (V)
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
PDA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(VIN= VPV= V
ENSD
= V
ENC2
= V
ENL
= V
ENM
= V
ENC1
= V
DBI
= V
= 4.0V, TA = -40°C to +85°C, unless otherwise noted.) (Note 2)
LBI
PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
LOGIC
EN_, CV Input Low Level V
EN_, CV Input High Level V
= 3.1V to 5.5V 0.3 V
IN
= 3.1V to 5.5V 1.4 V
IN
EN_, CV Input Leakage Current 1 µA
RS, LBO, DBO Output Low Level Sinking 1mA, V
DBO Output Low Level Sinking 100µA, V
RS, LBO, DBO Output High
Leakage
Note 1: The reset trip point tracks the COR1 voltage. For example, a minimum reset spec does not occur with a maximum COR1
spec, and a minimum COR1 spec does not occur with a maximum reset spec.
Note 2: Specifications to -40°C are guaranteed by design, not production tested.
V
= 5.5V, VIN = 5.5V 1 µA
OUT
= 2.5V 0.1 V
IN
= 1.0V 0.1 V
IN
MAX8594
___________________________________________________________________
(Circuit of Figure 2, VIN= 4V, TA= +25°C, unless otherwise noted.)
典型工作特性
_______________________________________________________________________________________ 7
路输出
1.50
2.00
1.75
2.50
2.25
3.25
3.00
2.75
3.50
0 200100 300 400 500 600 700
SDIG OUTPUT VOLTAGE
vs. LOAD CURRENT
MAX8594 toc04
LOAD CURRENT (mA)
OUTPUT VOTLAGE (V)
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
0.80
3002001000 400
COR1 OUTPUT VOLTAGE
vs. LOAD CURRENT
MAX8594 toc05
LOAD CURRENT (mA)
OUTPUT VOLTAGE (V)
COR2 OUTPUT VOLTAGE
vs. LOAD CURRENT
MAX8594 toc06
LOAD CURRENT (mA)
OUTPUT VOLTAGE (V)
80604020
1.62
1.64
1.66
1.68
1.70
1.72
1.74
1.76
1.78
1.80
1.82
1.60
0 100
LOAD-TRANSIENT MAIN
MAX8594 toc07
100µs/div
V
MAIN
I
OUT
100mA/div
50mV/div
AC-COUPLED
0
LOAD-TRANSIENT COR1
MAX8594 toc08
40µs/div
V
COR1
I
OUT
100mA/div
20mV/div
AC-COUPLED
0
INPUT CURRENT
vs. INPUT VOLTAGE
MAX8594 toc09
INPUT VOLTAGE (V)
INPUT CURRENT (µA)
54321
10
20
30
40
50
60
0
06
VIN FALLING
VIN RISING
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
PDA
_______________________________________________________________
(Circuit of Figure 2, VIN= 4V, TA= +25°C, unless otherwise noted.)
MAX8594
典型工作特性(续
)
8 _______________________________________________________________________________________
路输出
RS AND OUTPUT TIMING
MAX8594 toc10
20ms/div
V
COR1
V
IN
V
MAIN
V
RS
5V/div
2V/div
5V/div
1V/div
0
0
40
55
50
45
60
65
70
75
80
85
90
021345
LCD EFFICIENCY vs. LOAD CURRENT
MAX8594 toc11
LOAD CURRENT (mA)
EFFICIENCY (%)
V
LCD
= 18V
V
LCD
= 15V
LCD OUTPUT VOLTAGE
vs. LOAD CURRENT
MAX8594 toc12
LOAD CURRENT (mA)
OUTPUT VOLTAGE (V)
108642
17.00
17.20
17.40
17.60
17.80
18.00
18.20
16.80
012
5.04.54.0
17.97
17.98
17.99
18.00
18.01
18.02
18.03
18.04
17.96
3.5 5.5
LCD OUTPUT VOLTAGE
vs. INPUT VOLTAGE
MAX8594 toc13
INPUT VOLTAGE (V)
OUTPUT VOLTAGE (V)
LCD SWITCHING WAVEFORMS
MAX8594 toc14
4µs/div
I
LX
V
IN
V
LCD
V
LX
20mV/div
AC-COUPLED
50mV/div
AC-COUPLED
20V/div
200mA/div
SDIG RESPONSE TO ENSD
MAX8594 toc15
200µs/div
V
ENSD
V
SDIG
1V/div
2V/div
I
LOAD
= 100mA
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
_______________________________________________________________
(Circuit of Figure 2, VIN= 4V, TA= +25°C, unless otherwise noted.)
PDA
典型工作特性(续
MAX8594
)
_______________________________________________________________________________________ 9
路输出
LCD RESPONSE TO ENL
MAX8594 toc16
400µs/div
V
ENL
V
LCD
5V/div
2V/div
LCD BOOST
SOFT-START
SW
TURN-ON
MAIN RESPONSE TO ENM
MAX8594 toc17
200µs/div
V
ENM
V
MAIN
1V/div
2V/div
I
LOAD
= 100mA
COR1 RESPONSE TO ENC1
MAX8594 toc18
40µs/div
V
ENC1
V
COR1
I
LXC
500mV/div
0
200mA/div
2V/div
R
LOAD
= 10Ω
FOR RS RESPONSE, SEE RS AND
COR1 RESPONSE TO ENC1.
RS AND COR1 RESPONSE TO ENC1
MAX8594 toc19
10ms/div
V
ENC1
V
COR1
V
RS
I
LXC
1V/div
5V/div
200mA/div
2V/div
R
LOAD
= 10Ω
COR2 RESPONSE TO ENC2
MAX8594 toc20
200µs/div
V
ENC2
V
COR2
1V/div
2V/div
COR1 EFFICIENCY vs. LOAD CURRENT
WITH 1V OUTPUT
MAX8594 toc21
LOAD CURRENT (mA)
EFFICIENCY (%)
100101
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
40
0.1 1000
VIN = 3.6V
VIN = 4V
VIN = 5V
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
PDA
_______________________________________________________________
(Circuit of Figure 2, VIN= 4V, TA= +25°C, unless otherwise noted.)
MAX8594
典型工作特性(续
)
10 ______________________________________________________________________________________
路输出
COR1 EFFICIENCY vs. LOAD CURRENT
WITH 1.3V OUTPUT
MAX8594 toc22
LOAD CURRENT (mA)
EFFICIENCY (%)
100101
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
40
0.1 1000
VIN = 3.6V
VIN = 4V
VIN = 5V
LIGHT-LOAD SWITCHING COR1
MAX8594 toc23
1µs/div
V
COR1
V
LXC
I
LXC
50mV/div
AC-COUPLED
200mA/div
5V/div
0
I
LOAD
= 20mA
HEAVY-LOAD SWITCHING COR1
MAX8594 toc24
200ns/div
V
COR1
V
LXC
I
LXC
5V/div
0
200mA/div
50mV/div
AC-COUPLED
I
LOAD
= 200mA
COR1 RESPONSE TO CV
MAX8594 toc25
40µs/div
V
COR1
V
CV
0
2V/div
2mV/div
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
_______________________________________________________________
(Circuit of Figure 2, VIN= 4V, TA= +25°C, unless otherwise noted.)
PDA
典型工作特性(续
MAX8594
)
______________________________________________________________________________________ 11
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
PDA
_______________________________________________________________________
引脚
1
名称
SDIG
3.3V、500mA LDO
可被偏置。在
SDIG
关断时输出被放电，放电速率取决于负载与内部反馈电阻(典型值为
SDIG
输出，用于安全数字卡槽。
低于
V
IN
DBI
阈值、
ENSD
功能
具有反向电流保护，在IN引脚没有电源输入时，
SDIG
变低或
超出调节范围的情况下，
MAIN
1.3MΩ)
MAX8594
2 IN
3 RS
4 LBO
5 DBO
6 DBI
MAX8594
复位输出。RS是低电平有效的漏极开路输出，
MAIN
若
低电池电压检测器的漏极开路输出。
LBO
的输入电压。用
进入稳压状态后，
仍处于稳压状态，则
MAIN
进入高阻状态。
V
电池耗尽检测器漏极开路输出。
MAX8594
MAIN
电池耗尽检测器。
DBI
进入最低的静态电流状态。一旦发生这种情况，直到
才会再次导通。
阈值为
3.3V。将DBI
DBO
在任何时候都保持有效。若
DBI
陶瓷电容将IN旁路至
1µF
才会导通。若
COR1
IN
低于
V
IN
降至
连至一个电阻分压器，还可以将
LBO
阈值以下时，
LBI
低于
V
IN
是低电平有效的漏极开路输出，
COR1
MAIN
阈值时RS变低。
DBI
是低电平有效的漏极开路输出，
LBO
阈值、
DBI
DBI = IN，则IN
。
GND
进入稳压状态
降至稳压范围以外，则
变低。
DBO与LBO
DBI
20ms (
为低电平时，RS变低。
ENC1
都变低时，所有输出关断，并且
超出
V
IN
超过
V
DBI
IN
下降时
阈值调至其它值。见
典型值)后变为高阻状态。
COR1
同时高于
V
IN
阈值且
DBI
阈值时，
阈值为
DBI
引脚说明
输出关断。
SDIG
。
关断，并且RS变低。
DBI与LBI
ENM =
DBO
3.0V；IN
DBO
阈值时，
高电平时，
变为高阻状态。
上升时
的说明。
7 LBI
8 CV
9 ENM
10 GND
11 REF
12 LFB
13 ENL
14 LXL
15 SW
低电池电压检测器。若
一个电阻分压器，还可以将
选择1V或
的
MAIN
其它输出均关断，RS变低。
地。
1.25V 1%
REF
LCD
DBI
负载与外部反馈电阻(典型值为
LCD (
输出。
LCD
LCD True Shutdown
用
1.3V的COR1
输出，驱动CV为低电平或连接至
COR1
的使能输入。
基准。用
关断。
反馈输入。将
阈值、
ENL
升压调节器)的使能输入。驱动
低于
V
IN
升压开关。将
电容将SW旁路至
4.7µF
LBI = IN，则IN
输出电压。为得到
达到稳压状态前，其它输出均不导通。若
MAIN
电容将
0.1µF
连接至
LFB
变低或
MAIN
阈值或
DBI
MAIN
连接至升压电感与肖特基二极管。见图1。
LXL
开关输出。SW为
GND。LCD
下降时
阈值调至其它值。见
LBI
低于
V
IN
REF
LCD
在稳压范围以外的情况下，
2.4MΩ)
阈值时，
DBI
旁路至
输出与
。
ENL
稳定输出以前，
LCD
关断时，SW断开与PV的连接。
阈值为
LBI
1.3V的COR1
。
GND
MAIN
GND。V
GND
为高电平激活
升压电感的电源。
IN
之间的电阻分压器网络。反馈阈值为
LCD
3.33V；IN
的说明。
LBO
输出，驱动CV为高电平或连接至IN。为得到
不能被激活。
大于
DBI
LCD
LCD
转换器不能被激活。
ENL
上升时
MAIN
阈值时，
关断。这时，
升压功能。驱动
为高电平时SW导通。为得到最高效率，
阈值为
LBI
被拉至稳压范围以外，则所有
有效。
REF
LCD
ENL
3.7V。将LBI
低于
V
输出的放电速率取决于
为低电平则关断
DBI
IN
1.25V。在V
连至
1V
阈值时，
低于
IN
LCD
12 ______________________________________________________________________________________
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
___________________________________________________________________
引脚
16 PV
17 PGND
18 LXC
19 ENC1
20 ENSD
21 COR1
22 ENC2
23 COR2
24 MAIN
名称
降压转换器与
COR1
电源地。
开关节点。将
COR1
主核降压转换器
阈值或
MAIN
安全数字卡
阈值或
DBI
COR1
COR1
副核
或
MAIN
被激活。
1.8V, 50mA LDO
COR2
3.3V, 500mA LDO
的放电速率取决于负载与内部反馈电阻(典型值
MAIN
输出的反馈检测输入。在
关断。这时，输出通过
LDO (COR2)
稳定输出以前，
关断。
LCD True Shutdown
连接至
LXC
使能输入。驱动
(COR1)
稳定输出前，
(SDIG)
稳定输出前，
的使能输入。驱动
输出，用于副核。在
COR2
输出，用于主电源。当
COR1
电源的使能输入。驱动
SDIG
LXC
不能被激活。
COR2
输出的放电速率取决于负载与内部反馈电阻(典型值
开关的电源输入。将IN连接至PV。
电感，见图1。
COR1
ENC1
不能被激活。
不能被激活。
低于
IN
经由内部
ENC2
V
DBI
IN
V
V
功能
为高电平使
为低电平使
ENSD
阈值、
典型值)电阻放电。
1MΩ (
为高电平使
大于
V
IN
低于
IN
DBI
低于
阈值、
DBI
1.3MΩ)
ENC1
COR2
DBI
阈值或
导通，低电平将使其关断。
COR1
关断，高电平将使其导通。
SDIG
变低或
导通，低电平使其关断。
阈值并且
ENC2
ENM
。
在稳压范围以外的情况下，
MAIN
MAIN
变低或
MAIN
700kΩ)
变低时，
处于稳压范围内，
在稳压范围以外的情况下，
。
输出关断。这时，输出
MAIN
PDA
引脚说明(续
低于
V
低于
V
IN
IN
V
IN
DBI
COR2
DBI
低于
阈值，
可以
MAX8594
)
— EP
裸露焊盘。接至地，以增强功率耗散。
______________________________________________________________________________________ 13
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
AC ADAPTER INPUT
500mA
100mA
4.15V TO 7V
USB INPUT
4.15V TO 6V
USEL
MAX8594
PDA
Li-ION
BATTERY
POWER
INPUT
MAIN
OFF
SDIG
OFF
COR2
OFF
COR1
OFF
LCD
OFF
TO MAIN
TO MAIN
TO MAIN
1V
C1
1µF
ON
ON
ON
ON
1.3V
ON
1MΩ
1MΩ
1MΩ
R8
R7
R6
DC
1µF
USB
1µF
EN
ISEL
MAX8593
CHARGE
CONTROL
LOGIC
GND
DIE
THERMAL
CONTROL
BATT
1µF
DCOK
UOK
CHG
IN
LBI
DBI
ENM
ENSD
ENC2
ENC1
CV
ENL
RS
LBO
DBO
MAX8594
MAIN
SDIG
COR2
LXC
PGND
COR1
LXL
LFB
GND
REF
SW
3.3V, 500mA
MAIN
C2
4.7µF
3.3V, 500mA
SD CARD SLOT
C3
4.7µF
1.8V, 50mA
COR2
C4
2.2µF
PV
2.2MΩ
C5
0µF
L2
2.2µH
L1 10µH
MURATA
LQH32C
R1
C10
0.1µF
TO IN
R2
200kΩ
C6
2.2µF
C9
47pF
1V OR 1.3V
250mA
COR1
C7
4.7µF
C8
1µF
LCD
15V
图
带充电器的典型应用
1.
14 ______________________________________________________________________________________
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
POWER
INPUT
OFF
OFF
OFF
OFF
1V
LCD
OFF
TO MAIN
TO MAIN
TO MAIN
C1
1µF
ON
ON
ON
ON
1.3V
ON
1MΩ
1MΩ
1MΩ
用于低成本
PDA
MAX8594
MAX8594
IN
CONTROL
ENM
ENSD
ENC2
ENC1
CV
PWM
BUCK
FB
MAINOK
ENL
R8
R7
R6
RS
20ms AFTER
COR1 OK
LBO
DBO
CONTROL
CONTROL
TO PV
LCD OFF
SWITCH
LCD
BOOST
LDO
LDO
LDO
REF
MAIN
SDIG
COR2
LXC
PGND
COR1
SW
LXL
LFB
GND
REF
IN
LBI
DBI
3.3V, 500mA
MAIN
C2
4.7µF
3.3V, 500mA
SD CARD SLOT
C3
4.7µF
1.8V, 50mA
COR2
C4
2.2µF
PV
2.2MΩ
C5
0µF
L2
2.2µH
L1 10µH
MURATA
LQH32C
R1
C10
0.1µF
TO IN
TO IN
TO IN
R2
200kΩ
C6
2.2µF
C9
47pF
1V OR 1.3V
250mA
COR1
C7
4.7µF
C8
1µF
LCD
15V
图
2.
原理图
______________________________________________________________________________________ 15
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
______________________________
调节器采用专有的滞回
COR1
以提供大于
1V或1.3V
MAX8594
在中等负载至重载下，
低噪声
变的，很容易被滤波。在轻载下
效率增强的
载需要供电时工作。
250mA
。
模式。由固定频率工作产生的开关谐波是不
PWM
Idle Mode
PDA
详细说明
降压
COR1
PWM
的电流。输出电压可以通过CV设定为
工作在固定频率脉宽调制的
COR1
TM
下，在该模式下，转换器仅在负
(<30mA)，COR1
DC-DC
控制降压转换器，可
线性稳压器
主逻辑电路、安全数字
个
• MAIN
• SDIG
• COR2
注意，受稳压器的压差限制，
任何输入电压下都能提供额定输出电流。
压差电阻典型值为
稳压器的压差电阻典型值为
所有电压输出都有独立的使能端
都不导通。
关断时，反向电流被阻断，因此IN没有电源输入时，
为
供电：
LDO
— 确保提供
型值为
800mA
— 确保为SD卡提供
限的典型值为
— 确保为
流上限的典型值为
525mV)
ENC1与ENC2)
SDIG
。
V
IN
输出可由外部偏置。
。
3µA
。
718mA
CODEC
98mA
0.7Ω (500mA
。不过，
超过
DBI
卡槽，以及
(SD)
500mA的3.3V
500mA的3.3V
。
核提供
。
MAIN与SDIG
下压降为
0.85Ω (500mA
(ENM、ENL、ENSD
稳定输出之前，其它输出
MAIN
阈值后，
SDIG处3.3V
MAIN
CODEC
电源，电流上限的典
50mA的1.8V
才被激活。
下的漏电流典型值
分别由三
电源，电流上
电源，电
可能无法在
稳压器的
MAIN
350mV)；SDIG
下压降为
LCD DC-DC
MAX8594
压型
件提供的模拟或
包含一个为
DC-DC
转换器。最高可输出
PWM
偏置提供的低电流、高电压升
LCD
，并可以用外部元
28V
控制信号进行调节。
转换器
工作在
SDIG
升压
当
断)。输入电源关断功能适用于关断状态下需要输出电压降
至
可直接将升压电感连接至PV，旁路SW开关，并去掉
的旁路电容(图1中的
V
压输出关断。
MAX8594
为低电平时，SW为
ENL
0V (True Shutdown)
< 1.25V (或DBI = IN时VIN= 3.0V
DBI
V
> 1.375V (或DBI = IN时VIN= 3.3V)
DBI
恢复正常工作状态。
LCD
的应用。若不需要
。
C7)
提供输出断电控制(关
True Shutdown
，图1)时，所有稳
复位输出
当
RS
的逻辑电源之间连接一个上拉电阻。
10ms
输出首先启动(若
EN_ =
、
图
LBI和DBI
下降至设定电平的
COR1
是漏极开路的低电平有效输出。在RS到接收复位信号
后，RS回到高电平。加上有效输入电源时，
ENM =
高电平)。电源与输出顺序见图3。
V
IN
3.3V MAIN
COR1
LBO
DBO
输入电压上升与下降时的电源顺序。注意此
3.
直接与
= 3.7V VIN = 3.33V
V
IN
V
= 3.3V
IN
COR1 AT 90%
RS
V
IN
高电平)，其它输出随后启动(若
连接的情况。其它阈值可用电阻设定。
以下时，复位RS变低。
20%
COR1
V
= 3.0V
IN
MAIN AT 90%
MAIN AT 86%
20ms RS
DEASSERT
DELAY
SW
系统休眠
时，
(RS)
至少稳定输出
MAIN
阈值指的是
V
IN
，
Idle Mode是Maxim Integrated Products, Inc.
16 ______________________________________________________________________________________
的商标。
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
电源顺序
随着
1) DBI
2) V
3)当MAIN
4) COR1
5) V
随着IN下降，顺序如下：
1) V
2)
3)
______________________________
推荐使用饱和电流至少为
流较低时，电感电流的额定值可以降低。为了获得最高
的效率，电感的DC电阻应尽可能低。请注意，不同厂商、
不同型号电感磁芯材料不同，会导致效率的不同。
从0V开始增加，顺序如下：
V
IN
比较器始终导通。
被拉低。
RS
关断。
升至
IN
立即进入高阻状态，并且器件导通。若
HIGH，则MAIN LDO
有其它有效的稳压器均打开。
阻状态。
升至
IN
进入高阻状态。
降至
IN
拉至
GND
若在
MAIN
(若LBI = IN
关断，器件进入关断状态。
若在IN降至
MAIN
被拉至
RS
通(低压差状态)且
阈值。
MAIN、SDIG、COR1、COR2与LCD
阈值以上(若
DBI
输出达到其电压标称值的
达到其电压标称值的
阈值以上(若
LBI
LBO阈值(若LBI = IN
。
输出降至
则为
DBI
输出降至低于其电压标称值的
，并且关断所有输出，但
GND
打开。
2.838V
，则
3.0V)
阈值(若
DBO
VIN= 0.7V
DBI = IN
LBI = IN
DBO与RS
保持高电平，直到IN降至
左右，
则为
90%或2.97V
以后
90%
则为
则为
之前，
V
DBI = IN
DBO、LBO
3.3V) 时，DBO
20ms，RS
3.7V) 时，LBO
3.33V) 时，LBO
先降至
IN
变低，所有稳压器
则为
3.0V)
86% (2.838V)
MAIN
应用信息
COR1
COR1
500mA的2.2µH
电感。负载电
与
ENM =
时，所
进入高
被
阈值
DBI
之前，
，则
保持导
DBI
降压输出
电感
用于低成本
推荐使用陶瓷输入与输出电容。为了在宽温度范围内获
得最高稳定性，请使用电介质为
些电容具有低
为了减小输出电压纹波，对
定要求，多数应用中推荐使用
由于降压转换器输入电流的脉动特性，需要低
入电容对输入电压滤波，并减小对其它电路的干扰。输
入电容
数应用中PV引脚推荐使用最小值为
进一步改善输入滤波性能，可以增大输入电容。
C5 (图1)
与低温度系数。
ESR
在开关频率点的等效阻抗应非常低。多
COR1
2.2µF
X5R或X7R
输出电容
。
4.7µF
PDA
电容
COR1
的电容，这
C6 (图1)
的电容。为了
LDO
有一
的输
ESR
输出电容
(MAIN、SDIG、COR2)
为了在满载与全温度范围内稳定工作，
都需要输出电容。每个输出电容的推荐值见图1。为
LDO
降低噪声并改善负载瞬态响应，可以使用最大
输出电容。表贴陶瓷电容的
种容值都较常见。推荐使用的电介质为
注意有些陶瓷电介质，如
容量与
需要使用大于推荐值的电容。
变化较大，为保持温度范围内的稳定性，则
ESR
ESR
Z5U与Y5V
MAX8594
非常低，
10µF
X7R与X5R
，随温度变化其电
设定
DBI与LBI
LBO
由内部设定。对上升的输入电压，当
DBO
电压，当
3.0V
3)。另外，
图4、图5所示。
监测输入电压(通常是电池)，并触发
输出。当
变高，当
V
IN
时，
DBO
LBI与DBI
LBI、DBI与IN
超过
V
IN
降至低于
变低(另见
3.3V
阈值还可以用外部电阻来设定，如
连接时，
3.7V时，LBO
时，
LBO
Electrical Characteristics
LBI与DBI
V
IN
变高。对下降的输入
变低，当
10µF
以下的各
LBI与DBI
超出
3.3V
降至低于
V
IN
的每个
的大
。请
DBO
的阈值
时，
表与图
与
MAX8594
______________________________________________________________________________________ 17
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
MAX8594
图
用三个外部电阻设定
4.
图4 中，一个三电阻分压器按以下公式设定
值(图中为电压下降时阈值的设定)。分压器中最下面的
电阻(图4中的
个分压电阻值是各个阈值(下降)的函数：
R5)在100kΩ与250kΩ
RRx
35
=−
PDA
IN
(1.25V FALLING,
1.375V RISING)
(1.125V FALLING,
MAX8594
V
LBFALL
1 125
DBI
LBI
1.25V RISING)
DBI与LBI
.
R3
R4
R5
阈值
之间选择。上面的两
⎛
125
1
.
V
DBFALL
x
⎜
⎝
DBI与LBI
⎞
⎟
⎠
阈
IN
R6 R8
(1.25V FALLING,
1.375V RISING)
(1.125V FALLING,
MAX8594
图
用四个电阻设定
5.
的电流也要稍高一些。每个分压器中下面的电阻(图5 中
的R7与
是每个阈值(下降)的函数：
R9)在100kΩ与250kΩ
RRx
DBI
LBI
1.25V RISING)
DBI与LBI
67
R7
R9
阈值
之间选择。上面的分压电阻
V
⎛
DBFALL
⎜
⎝
125
.
⎞
1=−
⎟
⎠
V
⎛
RRx
xV
125
.
RRx
45
式中
V
DBFALL
下降阈值。一旦选定了这些阈值，则可以计算
的上升阈值：
另外，
阻计算更简单，并且两种设置之间不会互相影响，但是
需要增添一个电阻，由于额外的电阻负载，从电池吸取
18 ______________________________________________________________________________________
与
Vx
DBRISE
Vx
LBRISE
LBI与DBI
1 125
V
LBFALL
=
1 375
=
125
还可以用独立的电阻分压器来设定。电
LBFALL
xV
.
.
DBFALL
分别是触发
RRR
345
RR
RRR
345
.
DBO与LBO
++
+
45
++
R
5
1=−
输出的
DBI与LBI
式中
V
DBFALL
下降阈值。一旦选定了这些阈值，则可以计算
的上升阈值：
请注意，低电池电压阈值设定不能低于电池耗尽阈值，
这是因为
时(电压变低)器件被关断。
DBO与LBO
89
与
V
LBFALL
Vx
DBRISE
Vx
LBRISE
LBFALL
⎜
⎝
1 125
.
分别是触发
RR
=+1 375
.
=+125
.
都是自动被拉低，当低于
67
RR
89
R
⎞
1=−
⎟
⎠
DBO与LBO
DBI与LBI
R
7
9
输出的
DBI
阈值
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
MAX5365
I
1
AV
DD
V
DAC
图
6. 用DAC
LCD
150µH)
调节输出电压
升压设计可在很宽的范围内选择电感值
。给定串联电阻或饱和电流时，小的电感值通常
DOUT
对应小的外形尺寸。在给定负载下，较小的电感值使
R
I
D
D
R1
R2
LCD
V
I
2
1.25V
升压输出
电感
LCD
(4.7µH
LX
REF
至
的开关频率更高，但在低负载电流时会降低效率。较大
的电感值在给定负载下开关频率较低，可以降低开关损
耗，但更高的DC电阻会降低效率。注意，对于大于
的电感，到达
不会达到
250mA
载效率。一个
最大导通时间
LXL
前，电感峰值电流
(3µs)
。这降低了输出电流，但可能会提高轻
电感可以实现较好的平衡，并在多数
10µH
43µH
应用中工作良好。电感的额定饱和电流应大于开关峰值
电流
(250mA)
推荐使用额定电流为
MBR0530或Nihon EP05Q03L
压必须大于
对多数应用，应使用
纹波峰-峰值通常为
使用
4.7µF
前馈电容可在较宽的电池电压范围内改善稳定性。
LCD
对多数应用，
。
250mA
或更高的肖特基二极管，如
。二极管的额定反向击穿电
的输出电压。
LCD
陶瓷输出电容。这样得到的输出
1µF
。另外，使用
30mV
1µF
陶瓷电容旁路SW。连接在输出与
电容就足够了，不过，PC板布局布线
47pF
二极管
LCD
电容
LCD
电容旁路IN，
之间的
LFB
会影响该电容的最佳值。
用于低成本
V
IN
SIMPLIFIED DC-DC CONVERTER
ERROR AMP
V
CONTROL
MAX8594
在
节输出电压。R2在
LCD
输出与
之间连接一个分压器(见图1)，可以调
LFB
10kΩ与200kΩ
式计算R1：
RRx
12 1=−
式中
V
= 1.25V，V
LFB
输入偏置电流典型值仅为
⎛
⎜
⎝
取值范围为
OUT
5nA
对低于1%的误差，流经R2的电流应大于反馈输入偏置电
流
(I
LFB
升压输出可以用
LCD
在分压电路里增加
节。要确保
压
(V
OUT
Vx
OUT
倍。
)的100
DAC或PWM
DAC
V
OUT(MAX)
)是DAC电压(V
=+
⎛
125 1
.
⎜
⎝
与电阻
不超出
DOUT
R
1
⎛
⎜
⎝
R
2
⎞
⎟
⎠
OUT
设定
之间选择，然后根据下
V
V
OUT
LFB
⎞
⎟
⎠
V
IN
至
28V。LFB
，可以使用大阻值的电阻。
信号进行数字调节。
，为
R
LCD
的函数，可按下式计算：
)
⎞
+
⎟
⎠
V
D
OUT
面板的额定值。输出电
VxR
125 1
.
−
()
DOUT
R
D
PDA
LCD
LCD
DAC
提供
电压
调节
调节
DAC
MAX8594
的
调
______________________________________________________________________________________ 19
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
PDA
使用
许多微处理器都可以产生
位或8位计数器的数字输出，可编程调节其占空比。在
16
许多应用中，
输出可以用来调节
PWM
PWM
输出。
PWM
MAX8594
如图7所示。
是
(V
PWM
W
THEV
与
R
D
)
的函数：
电路由
MAX8594
了分析
为
Thevenin
式中D是
通常为
(
对
CMOS
式中
V
抗是电阻
输出电压
信号源、电容
PWM
电路的传递函数，最简单的方法是将其简化
PWM
等效电路。
VDxV DxV
THEV OH OL
PWM
3.3V)，V
逻辑，上式可简化为：
是
PWM
DD
与
R
W
(V
OUT
、电阻
C11
Thevenin
=
()
信号的占空比，
是
PWM
OL
V
THEV
电压可用下式计算：
+−
1
()
V
OH
信号的低电平(通常为
= D x V
DD
输出的逻辑高电平电压值。
之和：
R
D
R
= RD+ R
THEV
)是PWM
平均电压
信号
PWM
输出是基于
的输出，
组成。为
R
W
输出的高电平
0V)
Thevenin
阻
。
图
7. PWM控制LCD
SW
LXL
R1
2.2MΩ
LFB
CONNECTION FOR
PWM-CONTROLLED
LCD BIAS
偏置
R2
200kΩ
C7
4.7µF
LCD
15V
C8
C9
1µF
47pF
R
R
D
W
C11
VxR
125 1
.
Vx
=+
125 1
.
调节的方法时，
使用
OUT
PWM
⎛
⎜
⎝
⎛
⎜
⎝
R
1
R
2
⎞
⎞
+
⎟
⎟
⎠
⎠
将电容与
R
D
−
()
THEV
R
THEV
MAX8594
的反馈
回路隔离。该低通滤波的截止频率定义为：
f
=
C
2
为了减小输出中的AC纹波，截止频率应至少比
1
xxR xC
π
THEV
11
PWM
频
率低两个十倍频程。
一个值得重视的问题是由滤波电容
通瞬态过程。该电容与
一起形成的时间常数，能
R
THEV
初始充电引起的导
C11
使输出初始电压高于预定值。可通过选择比R1、R2阻值
高得多的
制在
PWM
减小该过冲。另外，还可以简单利用µP控
R
D
电压稳定前禁用
LCD
。
板布局与接地
PC
为了降低地线抖动与噪声，仔细的PC板布局非常关键。
应保证
小于
MAX8594
0.2in (5mm)
LXC、LXL
可能靠近
LFB
与效率，应使用一个地平面，并将
接焊接到地平面。布局实例可参考
的地引脚与输入输出电容接地引线距离
。另外，应保证所有与
LFB、COR1
的连接尽可能短。尤其是外部反馈电阻应尽
。为了减小输出电压纹波，并提高输出功率
与裸露的焊盘直
PGND
MAX8594
评估板。
、
散热注意事项
在多数应用中，电路分布在多层板上，建议充分使用这
四层或更多的层面。为了散热，将薄型
背面焊盘连接至大的地平面，最好是能获得良好空气流
动的电路板表层。典型应用中使用多个地平面来降低热
阻。应避免大的AC电流流经地平面。
QFN
封装裸露的
20 ______________________________________________________________________________________
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
______________________________
TRANSISTOR COUNT: 3436
PROCESS: BiCMOS
芯片信息
用于低成本
______________________________
TOP VIEW
ENC1
ENSD
24 MAIN
23 COR2
22 ENC2
21 COR1
20
19
DBI
1SDIG
2IN
3RS
8CV
MAX8594
9ENM
10GND
4LBO
5DBO
6
7LBI
11REF
18 LXC
17 PGND
16 PV
15 SW
14 LXL
13
12LFB
PDA
MAX8594
引脚配置
ENL
______________________________________________________________________________________ 21
路输出
5
PMIC
，提供
DC-DC
核电源，
用于低成本
PDA
_______________________________________________________________________
(本数据资料提供的封装图可能不是最近的规格，如需最近的封装外型信息，请查询 www.maxim-ic.com.cn/packages。)
MAX8594
24L QFN THIN.EPS
封装信息
PACKAGEOUTLINE,
12,16,20,24,28LTHINQFN,4x4x0.8mm
PACKAGEOUTLINE,
12,16,20,24,28LTHINQFN,4x4x0.8mm
Maxim不对Maxim
22 Maxim Integrated Products, 120 San Gabriel Drive, Sunnyvale, CA 94086 408-737-7600
© 2004 Maxim Integrated Products Printed USA
产品以外的任何电路使用负责，也不提供其专利许可。
保留在任何时间、没有任何通报的前提下修改产品资料和规格的权利。
Maxim
21-0139
21-0139
是
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1
D
2
2
D
2
的注册商标。
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