MAXIM DS1870 User Manual

Rev 1; 5/04

________________________________

DS1870

是一款面向AB类

出的双通道偏置控制器。

LDMOS DS1870

射频功率放大器应用推

根据放大器的温度、漏

概述

极电压或漏极电流(或其它的外部监控信号)，通过查找表

控制电位器的

(LUT)

感器和多路

A/D

转换器

256

(ADC)

个位置。

DS1870

内部具有温度传

，提供高效、低成本的解决方案，使用非线性补偿技术改善功放效率，这是传统的偏置解决方案无法提供的。

________________________________

应用

蜂窝基站

医疗设备

工业控制

光收发器

LDMOS RF

功放偏置

控制器

________________________________

用于射频偏置控制的可编程双通道解决方案

♦

电位器位置可自动更新，以补偿环境温度和漏极

♦

电压或漏极电流五路、13位

♦

和

I

D2

每路

♦ ♦

♦ I

♦ ♦

ADC的Hi/Lo

非易失存储器用于器件设置、查找表和

字节的用户存储器

32

TM

2

兼容串行接口，同一串行总线上可挂接多达

C

个器件

8

单电源5V供电小尺寸16引脚

♦ -40°C至+95°C

连续监控环境温度、

ADC

报警可触发故障输出信号

TSSOP

封装

工作温度范围

、

V

CC

D

特性

、

I

DS1870

D1

____________________________

I2C是Philips Corp.

或其从属授权公司的

Inc.

许可、将这些产品用于符合

的一个商标。购买

产品，即得到了

I2C

定义的

Philips

Maxim Integrated Products,

Philips I2C

标准规范的系统。

I2C

的专利

PART TEMP RANGE PIN-PACKAGE

DS1870E-010 -40°C to +95°C

典型工作电路见本数据资料的最后部分。

16 TSSOP (173 mil)

___________________________________________________________________

TOP VIEW

1

2

W

1

W

3

2

L

4

2

I

5

D1

I

6

D2

V

7

D

GND FAULT

89

DS1870

H

V

COM

SDA

SCL

16L

CC

15

14

13

A

12

2

A

11

1

A

10

0

定购信息

引脚配置

______________________________________________ Maxim Integrated Products 1

本文是

正式英文资料的译文，

Maxim

不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。请注意译文中可能存在文字组织或

Maxim

翻译错误，如需确认任何词语的准确性，请参考

索取免费样品和最新版的数据资料，请访问

Maxim

TSSOP (173 mil)

提供的英文版资料。

的主页：

www.maxim-ic.com.cn

。

LDMOS RF

PARAMETER

CONDITIONS

Supply Voltage V

CC

(Note 1) 4.5 5.5 V

Input Logic 1 (SDA, SCL, A

2

, A1, A0)

V

IH

0.7 x

V

CC

+

0.3

V

Input Logic 0 (SDA, SCL, A

2

, A1, A0)

V

IL

+0.3 x

V

H

COM

Voltage 4.5 5.5 V

LX and WX Voltage

V

Wiper Current -1 +1 mA

PARAMETER

CONDITIONS

Supply Current I

CC

(Note 2) 1 2 mA

Input Leakage I

LI

nA

V

OL1

3mA sink current 0.4 V

Low-Level Output Voltage (SDA, FAULT)

V

OL2

6mA sink current 0.6 V

I/O Capacitance C

I/O

10 pF

Digital Power-On Reset V

POD

1.0 2.2 V

Analog Power-On Reset V

POA

2.0 2.8 V

功放偏置

控制器

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Voltage Range on VCC, H

Ground ...............................................................-0.5V to +6.0V

Voltage Range on A

Ground. ...................-0.5V to V

Voltage Range on L0, L1, W0, and W1 Relative to

Ground .................-0.5V to H

, A1, A2, FAULT, VD, ID1, ID2Relative to

0

, SDA, and SCL Pins Relative to

COM

+ 0.5V, not to exceed +6.0V

CC

+ 0.5V, not to exceed +6.0V

COM

Operating Temperature Range ...........................-40°C to +95°C

EEPROM Programming Temperature Range .........0°C to +70°C

Storage Temperature Range .............................-55°C to +125°C

Soldering Temperature .......................................See IPC/JEDEC

J-STD-020A Specification

DS1870

Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.

RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS

(TA= -40°C to +95°C)

SYMBOL

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(VCC= +4.5 to 5.5V, TA= -40°C to +95°C.)

SYMBOL

MIN TYP MAX UNITS

V

CC

-0.3

MIN TYP MAX UNITS

-200 +200

V

H

COM

+ 0.3

CC

2 _____________________________________________________________________

LDMOS RF

PARAMETER

CONDITIONS

UNITS

VD Monitor FactoryCalibrated FS

Code FFF8h

V

VCC Monitor FactoryCalibrated FS

Code FFF8h

V

ID1 and ID2 Monitor FactoryCalibrated FS

Code FFF8h

V

Resolution (V

CC

, VD, ID1, ID2)

%FS

Accuracy (V

CC

, VD, ID1, ID2)

0.5

%FS

Update Rate for V

CC

, VD, ID1, I

D2

t

frame

50 ms

PARAMETER

CONDITIONS

UNITS

Thermometer Error T

ERR

-40°C to 95°C -3 +3 °C

Update Rate t

frame

50 ms

PARAMETER

CONDITIONS

UNITS

Wiper Resistance +25°C

Ω

Potentiometer End-to-End Resistance

R

POT

+25°C

13

kΩ

Resolution 0.4

%FS

Absolute Linearity (Note 3) -1 +1 LSB

Relative Linearity (Note 4)

LSB

Ratiometric Temperature Coefficient

5

ppm/°C

End-to-End Temperature Coefficient

70

ppm/°C

-3dB Cutoff Frequency (Note 5) 1

MHz

Series Resistors from L1, L2 to GND

R

S

+25°C

kΩ

V

HCOM/VLX

0.6

功放偏置

控制器

ANALOG VOLTAGE-MONITORING CHARACTERISTICS

(VCC= +4.5 to 5.5V, TA = -40°C to +95°C.)

SYMBOL

DIGITAL THERMOMETER CHARACTERISTICS

(VCC= +4.5 to 5.5V, TA= -40°C to +95°C.)

SYMBOL

DS1870

MIN TYP MAX

2.488 2.500 2.513

6.521 6.553 6.587

0.4975 0.5000 0.5025

0.0122

0.25

MIN TYP MAX

ANALOG POTENTIOMETER CHARACTERISTICS

(VCC= +4.5 to 5.5V, TA= -40°C to +95°C.)

SYMBOL

_____________________________________________________________________ 3

MIN TYP MAX

500 1000

10.0

-0.5 +0.5

15.1 19.5 25.2

0.5975

16.8

0.6025

LDMOS RF

PARAMETER

CONDITIONS

UNITS

POT1 and POT2 Temp LUT Size

72

Bytes

each

POT1 and POT2 Temp LUT Index Range

-40

°C

Temp Step 2°C

Temp Hysteresis (Note 6) 1 °C

POT1 and POT2 Drain LUT Size 64

Bytes

each

POT1 and POT2 Drain LUT V

D

Index Range

Hex

POT1 and POT2 Drain LUT V

D

Step

Hex

POT1 and POT2 Drain LUT V

D

Hysteresis

(Note 6)

Hex

POT1 and POT2 Drain LUT I

DX

Index Range

Hex

POT1 and POT2 Drain LUT I

DX

Step

Hex

POT1 and POT2 Drain LUT I

DX

Hysteresis

(Note 6)

Hex

功放偏置

控制器

LOOKUP TABLE CHARACTERISTICS

(VCC= +4.5 to 5.5V, TA= -40°C to +95°C.)

DS1870

SYMBOL

MIN TYP MAX

+102

8000 FE00

0200

0100

0000 7E00

0200

0100

4 _____________________________________________________________________

LDMOS RF

PARAMETER

CONDITIONS

UNITS

SCL Clock Frequency f

SCL

(Note 7) 0 400 kHz Bus Free Time Between Stop and Start Conditions

t

BUF

1.3 µs

Hold Time (Repeated) Start Condition

0.6 µs

Low Period of SCL t

LOW

1.3 µs

High Period of SCL t

HIGH

0.6 µs

Data Hold Time

0 0.9 µs

Data Setup Time

100 ns

Start Setup Time t

SU:STA

0.6 µs

SDA and SCL Rise Time t

R

(Note 8)

20 +

300 ns

SDA and SCL Fall Time t

F

(Note 8)

20 +

300 ns

Stop Setup Time

0.6 µs SDA and SCL Capacitive Loading

C

B

(Note 8) 400 pF

EEPROM Write Time t

W

(Note 9) 10 20 ms

PARAMETER

SYMBOL

CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNITS

Writes +70°C (Note 5)

功放偏置

控制器

AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(VCC= +4.5V to 5.5V, TA= -40°C to +95°C, timing referenced to V

SYMBOL

t

HD:STA

t

HD:DAT

t

SU:DAT

t

SU:STO

IL(MAX)

NONVOLATILE MEMORY CHARACTERISTICS

(VCC= +4.5V to 5.5V, TA= 0°C to +70°C.)

and V

IH(MIN)

.) (Figure 3)

MIN TYP MAX

0.1C

B

0.1C

B

DS1870

Note 1: All voltages referenced to ground. Note 2: Supply current is measured with all logic inputs at their inactive state (SDA = SCL = V

Note 3: Absolute linearity is the difference of measured value from expected value at the DAC position. Expected value is a

Note 4: Relative linearity is the deviation of an LSB DAC setting change vs. the expected LSB change. Expected LSB change is

Note 5: This parameter is guaranteed by design. Note 6: See Figure 1. Note 7: I

Note 8: C Note 9: EEPROM write begins after a stop condition occurs.

levels. All outputs are disconnected.

straight line from measured minimum position to measured maximum position.

the slope of the straight line from measured minimum position to measured maximum position.

2

C interface timing shown is for fast-mode (400kHz) operation. This device is also backward compatible with I2C stan-

dard-mode timing.

—total capacitance of one bus line in picofarads.

B

_____________________________________________________________________ 5

50,000

) and driven to well-defined logic

CC

LDMOS RF

POTENTIOMETER 1 AND 2 OUTPUT VOLTAGE

vs. POSITON

DS1870 toc04

WIPER POSITION (DEC)

WIPER VOLTAGE (V)

19212864

1

2

3

4

5

6

0

0 256

H

COM

= 5V L1 AND L2 NOT CONNECTED

POTENTIOMETER 1 DIFFERENTIAL

NONLINEARITY vs. WIPER POSITION

DS1870 toc05

WIPER POSITION (DEC)

DIFFERENTIAL NONLINEARITY (LSB)

19212864

-0.20

-0.15

-0.10

-0.05

0

0.05

0.10

0.15

0.20

0.25

-0.25 0 256

POTENTIOMETER 2 DIFFERENTIAL

NONLINEARITY vs. WIPER POSITION

DS1870 toc06

WIPER POSITION (DEC)

DIFFERENTIAL NONLINEARITY (LSB)

19212864

-0.20

-0.15

-0.10

-0.05

0

0.05

0.10

0.15

0.20

0.25

-0.25 0256

POTENTIOMETER 1 INTEGRAL

NONLINEARITY vs. WIPER POSITION

DS1870 toc07

WIPER POSITION (DEC)

INTEGRAL NONLINEARITY (LSB)

19212864

-0.4

-0.3

-0.2

-0.1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

-0.5 0 256

POTENTIOMETER 2 INTEGRAL

NONLINEARITY vs. WIPER POSITION

DS1870 toc08

WIPER POSITION (DEC)

INTEGRAL NONLINEARITY (LSB)

19212864

-0.4

-0.3

-0.2

-0.1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

-0.5 0 256

POTENTIOMETER 1 AND 2

WIPER RESISTANCE vs. WIPER VOLTAGE

DS1870 toc09

WIPER VOLTAGE (V)

WIPER RESISTANCE (Ω)

4321

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

0

05

H

COM

= 5.0V

SUPPLY CURRENT vs. SUPPLY VOLTAGE

DS1870 toc01

SUPPLY VOLTAGE (V)

SUPPLY CURRENT (mA)

5.35.14.94.7

620

640

660

680

700

720

740

760

780

800

600

4.5 5.5

SUPPLY CURRENT vs. TEMPERATURE

DS1870 toc02

TEMPERATURE (°C)

SUPPLY CURRENT (mA)

806020 400-20

450

500

550

600

650

700

750

800

850

900

400

-40 100

VCC = 5.5V

VCC = 4.5V

VCC = 5.0V

H

COM

CURRENT vs. H

COM

VOLTAGE

DS1870 toc03

H

COM

VOLTAGE (V)

H

COM

CURRENT (mA)

5.35.14.94.7

0.05

0.10

0.15

0.20

0.25

0.30

0.35

0.40

0.45

0.50

0

4.5 5.5

控制器

功放偏置

_______________________________________________________________

(VCC= +5.0V, TA = +25°C, unless otherwise noted.)

DS1870

典型工作特性

6 _____________________________________________________________________

LDMOS RF

OUTPUT DRIFT (PPM/C)

-15

-10

-5

0

5

10

15

20

-20

POTENTIOMETER LOW TERMINAL VOLTAGE

vs. TEMPERATURE

DS1870 toc12

TEMPERATURE (°C)

8060-20 0 20 40-40 100

L1

L2

H

COM

= 5.0V

VCC CONVERSION ERROR

vs. SUPPLY VOLTAGE

DS1870 toc13

SUPPLY VOLTAGE (V)

ERROR (% FS)

5.04.54.03.5

-0.4

-0.3

-0.2

-0.1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

-0.5

3.0 5.5

DEFAULT V

CC

CALIBRATION

VD CONVERSION ERROR

vs. INPUT VOLTAGE

DS1870 toc14

INPUT VOLTAGE (V)

ERROR (% FS)

2.01.51.00.5

-0.4

-0.3

-0.2

-0.1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

-0.5

02.5

DEFAULT VD

CALIBRATION

ID1 CONVERSION ERROR

vs. INPUT VOLTAGE

DS1870 toc15

INPUT VOLTAGE (V)

ERROR (% FS)

0.40.30.20.1

-0.4

-0.3

-0.2

-0.1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

-0.5

00.5

DEFAULT ID1

CALIBRATION

ID2 CONVERSION ERROR

vs. INPUT VOLTAGE

DS1870 toc16

INPUT VOLTAGE (V)

ERROR (% FS)

0.40.30.20.1

-0.4

-0.3

-0.2

-0.1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

-0.5

00.5

DEFAULT ID2

CALIBRATION

POTENTIOMETER 1 AND 2

WIPER RESISTANCE vs. WIPER VOLTAGE

DS1870 toc09

WIPER VOLTAGE (V)

WIPER RESISTANCE (Ω)

4321

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

0

05

H

COM

= 5.0V

POTENTIOMETER 1 AND 2

WIPER RESISTANCE vs. TEMPERATURE

DS1870 toc10

TEMPERATURE (°C)

RESISTANCE CHANGE FROM 25°C (PPM/C)

806020 400-20

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

0

-40 100

H

COM

= 5V

WIPER VOLTAGE = 4V

POTENTIOMETER END-TO-END RESISTANCE

vs. TEMPERATURE

DS1870 toc11

TEMPERATURE (°C)

CHANGE FROM RESISTANCE AT 25°C (PPM/C)

8060-20 0 20 40

-150

-100

-50

0

50

100

150

200

-200

-40 100

R

POT2

+ R

S2

R

POT1

+ R

S1

___________________________________________________________

(VCC= +5.0V, TA = +25°C, unless otherwise noted.)

功放偏置

控制器

典型工作特性(续

DS1870

)

_____________________________________________________________________ 7

LDMOS RF

控制器

功放偏置

___________________________________________________________________

引脚名称

1L

2W

DS1870

3W

4L

5I

6I

7V

8 GND

9 FAULT

10 A

11 A

12 A

13 SCL

14 SDA

15 H

16 V

1

2

D1

D2

D

0

1

2

COM

CC

电位器1低端电位器1滑动端电位器2滑动端电位器2低端漏极电流1监控输入漏极电流2监控输入漏极电压监控输入地

故障输出。当启用的报警状态之一超出了所设置的门限时，这个集极开路输出被置为高电平。

2

地址输入。这些输入引脚决定了从设备的地址。二进制从设备地址为

I

C

2

串行时钟输入。串行数据输入/输出。双向电位器高端。电位器1和2的公共端。

电源输入

时钟输入。

C

I

2

数据引脚。

I

C

功能

1010A2A1A

。

0

引脚说明

8 _____________________________________________________________________

LDMOS RF

功放偏置

控制器

___________________________________________________________________

V

SDA

SCL

GND

CC

A

0

A

1

A

2

CC

2

C INTERFACE

I

CONTROL

ADDRESS

GENERATION

V

LOAD

I2C DATA BUS

I

D

INDEX

POT1

DRAIN

LUT

TABLE 4

(64 BYTES)

TEMP

INDEX

POT1

TEMP

LUT

TABLE 2

(72 BYTES)

GAIN

13-BIT

ADC

MEASURED

VALUES FOR

TEMP, V

, ID0, I

V

D

LIMIT

COMPARATOR

DS1870

CALIBRATION

REGISTERS

,

CC

D1

LIMIT FLAG REGISTERS

32 BYTES

USER

MEMORY

D1

VD1

V

D

POT2

DRAIN

LUT

TABLE 5

(64 BYTES)

POT2 TEMP

LUT

TABLE 3

(72 BYTES)

I

INDEX

D2

OFFSET

CALIBRATION

REGISTERS

VD2

∑

HI AND LO

LIMITS FOR

TEMP, V

CC

, ID1, I

V

D

+

∑

+

∑

+

++

,

D2

TEMP SENSOR

M U X

ON-CHIP

FAULT MASK

R

V

CC

POT2 R

POT

S

POT1

S

R

POT

功能框图

V

D

I

D1

I

D2

FAULT

H

COM

W

2

L

2

W

1

L

1

DS1870

_____________________________________________________________________ 9

LDMOS RF

功放偏置

控制器

表

电压监视器出厂时的缺省校准值

1.

表

电压监视器转换范例

2.

SIGNAL +FS SIGNAL

V

CC

V

D

DS1870

I

D1

I

D2

6.553V FFF8 0V 0000

2.5V FFF8 0V 0000

0.5V FFF8 0V 0000

+FS

(hex)

____________________________

DS1870

是一款双通道

LDMOS

偏置控制器。用于取代传

-FS

SIGNAL

详细说明

统的、受恒温度系数修正限制的偏置控制方案。这款芯片提供查找表修正功能，查找表可按照与温度、漏极电压或电流的函数关系进行编程。非线性偏置校准的灵活性大大提高了效率，从而降低了偏置电流，特别是在类工作中，偏置校准不再是恒温度系数。另外，按照与漏极电压或漏极电流的函数关系修正AB类功放的偏置，有助于减少失真和增益管理。

两个输出

(W1和W2)

制，分别驱动两个

由功能框图中给出的二维查找表控

LDMOS

栅极。二维坐标为温度和漏极电压或电流。功放组装和测试时对查找表进行编程。校准后，芯片基于温度和漏极特性自动调出每个输出的正确控制设置。

13位ADC

对芯片温度、

、漏极电压和两个漏电流进

V

CC

行采样和量化。这些量化信号保存在存储器中，随时可由查找表控制访问。量化值也用于与报警阈值比较，产生高电平或低电平报警标志。发生任何故障报警时，

FAULT

必要的故障报警。态位可通过兼容于

输出为高电平；也可以屏蔽报警检测，以防止不

的读数和报警标志位以及故障状

ADC

的接口访问。

I2C

-FS

(hex)

AB

SIGNAL

V

CC

V

CC

V

D

V

D

I

D1

I

D2

存储在存储器地址整为左对齐。

LSB

WEIGHT (µV)

100.00 8080 3.29

100.00 C0F8 4.94

38.152 C000 1.875

38.152 8080 1.255

7.6303 8000 0.2500

7.6303 1328 0.0374

62h-69h

结果寄存器中的低三位被设置为0，循

ADC

环时间由模拟电压监控特性中的

REGISTER

VALUE (hex)

内，

ADC

t

frame

INPUT

VOLTAGE (V)

的结果在寄存器中调

确定。

表1给出了电压监视器出厂时的缺省校准值。

为了计算寄存器中的测量电压值，首先计算16位寄存器的

范例：使用出厂缺省值

权重，等于满量程电压值除以

LSB

进制寄存器值转换成10进制，再乘以

16

，如果

V

，那么测量的电压值是多少

C347h

CC

?

65,528

LSB

V

CC

V

CC

(6.553V - 0V) / 65,528 = 100.00µV。C347h

，这样可得到电源电压值为

49,991

。表2给出了基于工厂校准的

4.999V

49,99 x 100.00µV = ADC

。然后，将

的权重。

寄存器的值为

的

权重等于

LSB

等于10进制的

设置的多个转换

范例。

使用内部增益和失调校准寄存器，可以修改表1所示的

+FS和-FS

信息，请参考

信号值，以满足用户的需要。关于校准的更多

电压/温度监视器校准

。

注：上述确定输入电压的方法仅适用于失调寄存器设置为0的情形。

电压/电流监视器

、

D

使用13位

和

I

D1

和温度。转换后的电压值以16位无符号数

ID2)

DS1870

V

10 ____________________________________________________________________

以循环方式监控四个电压

ADC

(V

CC

、

表

内部温度监视器出厂时的缺省校准值

3.

表

4.

LDMOS RF

温度转换值

功放偏置

控制器

DS1870

SIGNAL

Temp +127.97°C 7FF8 -128.00°C 8000

+FS

SIGNAL

+FS

(hex)

-FS

SIGNAL

-FS

(hex)

温度监视器

内部温度监视值以16位二进制补码存储在存储器地址

中。温度寄存器的循环更新时间

– 61h

样。温度监视器出厂时的缺省校准值见表3。

为将二进制的补码寄存器值转换成对应的温度值，首先将其看作无符号数，并把两个字节十六进制值转换成十进制值，然后除以就再减去

温度传感器的偏差可用内部校准寄存器调整，解决

DS1870

当偏差值用于温度测量时，转换值会偏离度一个固定值。欲了解更多的信息，请参考

差值校准

256。表4

周围的环境温度与被偏置器件温度之间的差别。

。

。如果计算结果大于或等于

256

给出了转换后的结果。

与电压监控一

t

frame

DS1870

温度监视偏

60h

+128

环境温

电位器

DS1870

电平公共引脚因此，当联电阻和电位器端到端电阻具有一致的温度系数，可消除输出电压的温度漂移。

外部电阻可置于型输出电压。

中两个电位器均具有

。电位器低端在内部通过电阻接地，

H

COM

接5V电压时，输出电压为

H

COM

与

H

COM

L

X

个位置，高端连接到高

256

3–5V

或

与

L

X

之间，以改变典

GND

。内部并

，

MSB (bin)

01000000 00000000 +64

01000000 00001111 +64.059

01011111 00000000 +95

11110110 00000000 -10

11011000 00000000 -40

表

对应温度值的

5.

LUT ADDRESS (hex)

80 ≤ -40°C

81 -38°C

82 -36°C

……

C6 +100°C C7 ≥ +102°C

LSB (bin)

LUT

TEMPERATURE

地址

CORRESPONDING

TEMPERATURE (°C)

标准工作模式

标准工作模式下，每次转换后各电位器位置将自动调整为温度与漏极电压/电流对应的差

值都从存储器中调出时电位器设置有效。

LUT

度表4）的当前索引值之和控制电位器1。

LUT ( 5

相加结果大于或0。

存储器表2)和

LUT (

存储器表3)和

）的当前索引值之和控制电位器2。如果两个表的数值

POT2

或小于0，电位器位置分别设置为

255

漏极电压/电流

POT1

漏极电压/电流

值之和。在基数和偏

LUT

(°C)

POT1

（存储器

LUT

POT2

（存储器表

温

温度

255

____________________________________________________________________ 11

LDMOS RF

控制器

功放偏置

9Ah

DECREASING

TEMPERATURE

99h

98h

97h

96h

DS1870

图

1. LUT

每个温度表

MEMORY LOCATION

95h

滞回图

(LUT2和LUT3)

-40°C到+102°C

或大于

-40°C

2 4 6 8 10 12

TEMPERATURE (°C)

之间以每

+102°C

，则分别用

INCREASING

TEMPERATURE

包括72个字节。允许偏置在

为间隔调整。温度值低于

2°C

-40°C或+102°C

度表中的数值为无符号数(十进制数0到设置在任何位置，具体位置由温度决定。温度

的滞回(图1)，当温度停留在

1°C

免电位器位置的跳变。表5给出了

转换点附近时,可避

LUT

DS1870

9Ah

99h

98h

97h

96h

MEMORY LOCATION

95h

表示。温

，电位器可

255) LUT

根据温度值确

定温度表索引的方式。

每个漏极电压/电流表（

LUT4和LUT5

）包括64个字节，

可根据电位器对应的漏极电压或漏极电流进行查找。

控制位决定是基于

VD1 LUT，VD2

漏极

POT2

寄存器到

+127)

LUT。VD1和VD2

内。漏极表用8位有符号数编程(十进制数

85h

，能够提供由放大器漏极特性决定的温度

控制位决定是基于

还是

V

D

调整

I

D1

V

D

还是

POT1

的电压调整

I

D2

控制位位于存储器表1中的

相对偏差值。

表

LUT ADDRESS

或者

6. V

D

(hex)

80 ≤ 8000 0000

81 8200 0200

82 8400 0400

…… …

BE FC00 7C00 BF ≥ FE00 ≥ 7E00

值对应的

I

DX

VD VALUE

(hex)

LUT

地址

IDX VALUE

(hex)

DECREASING

DRAIN VOLTAGE

INCREASING

DRAIN VOLTAGE

AA00 AC00 AEOO B000 B200 B400

DRAIN VOLTAGE CONVERSION (HEX)

漏极

LUT由V

检索。表6给出了由器中同样将滞回置为点时电位器的位置在两个

具有

索引值由16进制数表示，这种表示方式是切实可行

LUT

的，与

DS1870

标准工作模式下，电位器位置在每个转换周期根据的转换结果自动更新。

的漏极

更新功能，或使用索引。这些位位于存储器表1的字节。更多信息参见

-128

的

LUT

DS1870

到所需的数字结果。每个输入独立的增益和失调寄存器(存储器表1中)，允许增益和失调单独校准。另外，温度测量，解决差异。

为了对特定输入标定转换器的增益和失调，用户首先必须了解模拟输入与期望的数字结果之间的关系，零输入

通常输入为地)产生全零的数字结果；满量程

(

生全

1 (FFF8h)

的数字结果乘以

9Ah

DECREASING

DRAIN CURRENT

99h

98h

97h

96h

MEMORY LOCATION

95h

2A00 2C00 2E00 3000 3200 3400

DRAIN CURRENT CONVERSION (HEX)

范围的上半部分或相应的

D

或

V

D

确定索引的方式。漏极监视

I

DX

0100h (图1)

LUT

INCREASING

DRAIN CURRENT

的下半部分

I

DX

，以避免电压接近转换

数值间的跳变。漏极

的增益和失调校准无关。

手动模式

ADC

DS1870

Index_en

寄存器说明

可使用

B/O_en

位手动控制温度和漏极

Man DAC

。

位终止所有

寄存器中，

LUT

AFh

电压监视器校准

能够将每个模拟电压增益和失调按比例标定，得

、

(FS)

ID2)

输入产

具有

DS1870

(V

还可提供温度偏差，以补偿

与被偏置器件的温度之间的

CC

V

I

D

D1

的数字结果。FS期望值也可以通过将全

权重获得。

LSB

1

12 ____________________________________________________________________

LDMOS RF

功放偏置

控制器

范例：FS的数字读数为为

50µV

，则FS值为

65,528 x 50µV = 3.2764V

65,528 (FFF8h)

，如果

LSB

。

的权重

二元搜索算法用于校准转换器的增益。这需要将两个已知的电压作用到输入引脚，这两个电压最好一个选择为零输入，另一个选择为FS的90％。由于数字读数寄存器的

已知，所期望的数字结果可根据零输入和满量程

LSB

值的

90%

计算。

用于标定增益的二元搜索算法可参考下面的伪代码：

/* Assume that the null input is 0.5V */ /* Assume that the requirement for the LSB is 50µV */

FS = 65528 * 50e-6; /*3.2764V */ CNT1 = 0.5 / 50e-6; /* 1000 */ CNT2 = 0.9 X FS / 50e-6; /* 58981.5 */

/* So the null input is 0.5V and 90% of FS is 2.949V */

Set the input’s offset register to zero gain_result = 0h; /* Working register for gain

CLAMP = FFF8h; /* This is the max ADC value*/ For n = 15 down to 0 begin

gain_result = gain_result + 2 Write gain_result to the input’s

gain register; Force the 90% FS input (2.949V); Meas2= ADC result from DS1870; If Meas2 ≥ CLAMP Then gain_result = gain_result - 2 Else Force the null input (0.5V) Meas1 = ADC result from DS1870 If [(Meas2-Meas1)>(CNT2-CNT1)] Then gain_result = gain_result - 2

end;

Write gain_result to the input’s gain register;

calculation */

n

;

n

;

n

;

现在可以设置增益寄存器，如果用户要求零数值对应非零输入(如数值对应为0V输入，则失调寄存器设置为

，就必须修正输入失调。如果所期望的零

0.5V) 0000h

，跳过

这一步。

为修正失调寄存器，用上面得到的增益值设置增益寄存器。然后，加上零数值对应的输入电压(如中读出数值

(Meas1)

，失调值可用以下公式计算：

Meas

1

Offset

=− ×

1

⎛ ⎜

⎝

⎞ ⎟

⎠

4

0.5V)

，从器件

温度监控偏差值校准

DS1870

然而，用户可能要定制系统以及为固定的偏差值，以反映另一个位置的温度。这不需要偏置，因为温度偏差值可通过调整但是这个功能提供给那些有应用前景的用户。

改变温度传感器的偏差值：写温度偏差值寄存器为

0000h

值值：

一旦计算出偏差值，将它写入到温度偏差值寄存器中。

温度传感器给出预校准，不需要用户进一步调整。

DS1870

LUT

，测量源参考温度值

(T

DS1870

TempOffset T T XOR BB h

。然后根据下面公式计算温度偏差寄存器的

)

=×−+ −

64 275 40

()

，从

)

(T

ref

ref DS bitwise

1870

温度读数添加

中的数据位置获得，

DS1870

中读出温度

上电和低电压工作

在电源上电期间，器件在

之前为无效状态。在这个电压上，数字电路，包

(V

)

POD

括

兼容接口开始工作。然而，

I2C

设置不能从内部读出(调出)，直到门限

(V

一旦

V

示何时开始次为1。一旦器件超过值在

V

当器件上电时，次对

V

< V

CC

，这时器件的其它部分处于完全有效状态。

)

POA

CC

超过

ADC

低于

，

V

POA

74h

转换。如果

之前保持有效。

V

POD

V

POA

VCCLo

进行

V

CC

时

POA

转换，并相应设置或清除该位。当

ADC

FAULT

输出有效。

超过数字上电复位电压

V

CC

备用寄存器

超过模拟上电复位

位将从1跳到0，指

V

POA

，

Rdyb

位再

有效，其里面的

字节的

V

，

EEPROM V

CC

Rdyb

低于

CC

EEPROM

报警标志位缺省为1，直到第一

DS1870

/

____________________________________________________________________ 13

LDMOS RF

控制器

功放偏置

存储器说明

DS1870

址过设置表选择字节器地址与存储器表选择字节无关。低端存储器和存储器表1用于

DS1870

配置字节的用户存储器。存储器表2和3包括用于偏置的电位器基数位置，取决于内部温度传感器的读数。存储器表和5包含相应的偏差值，作为漏极电压或者各漏极电流监控器的一个函数加到基数中。完全的寄存器列表见“

储器配置图说明

存储器配置图分为六个部分，包括低端存储器(地

00h到7Fh)

DS1870

和五个存储器表(图2)。存储器表寻址可通

为希望的表号，并访问高端存储

(7Fh)

(80h到FFh)

。低端存储器在任何时候均可访问，

和读监控器的状态。低端存储器也包含了

”，欲了解每个寄存器的细节请阅读“

”。

加密存储器保护

DS1870

行写保护，要求正确地将密码输入到密码入口字(地址

78h) EEPROM

存器来设置密码，写寄存器为存储器表1的最前面两字节。

密码的出厂缺省值为省值。这意味着当用户第一次收到器件时，器件在上电时没有锁定，。应当将密码编程为不同于保证校准数据写保护。的编程值无关。

包含一个两字节密码，允许对所有的EE存储器进

中。这样允许对偏置设置、报警阈值和所有其它的

信息的出厂校准数据进行写保护。通过写密码寄

，也是上电时

FFFFh

寄存器总是读为

PWE

FFFFh

0000h

的出厂缺

的值，以

32

存

寄存器

，与它

EEPROM

存储器

20h到3Fh EEPROM EEPROM

。缺省

。设置使用，允许无限制的写次数，无须考虑这也消除了的改动没有影响不会被保留。上电时数值为用功能可用于在校准时限制

4

和表1的

(SEE = 0)

SEE = 1

EEPROM

80h到A7h为SRAM

状态时这些位置用作普通的

，这些位置开始作为

EEPROM

写次数的要求。由于

SEE = 1

，这些改动在整个电源周期内

SEE = 0

EEPROM

写入的最后值。该

写次数或者在正常工

作中要周期性改变监控阈值而不会磨损

位处于存储器表1的

SEE

AFh

字节。

存储器配置图

存储器配置图的上半部分由8个字节或4个字(2字节)构成。行起始地址由配置图最左边的列给出，等于字节0或者字0存储器地址。下一字节(字节1)位于下一个存储器地址，而下一个字(字1)比行起始地址高两个存储器地址。存储器配置图的下半部分扩展字节或字，给出字节/字里各位的名称或者包含数字信息的寄存器的位权重

X

。数字寄存器最高位包含一个“S”，用于表示2的补

)

(2

码数的符号扩展。每个字节/位的详细说明请阅读以下的

“

寄存器说明

”。

写禁止

映射的

单元

SRAM

的磨损。

时所做

EEPROM

。

MAIN MEMORY

00h

USER MEMORY;

HI/LO ALARM

THRESHOLDS; ADC RESULTS;

CONFIGURATION

7Fh

图

存储器结构

2.

14 ____________________________________________________________________

TABLE 1 TABLE 2 TABLE 3 TABLE 4 TABLE 5

80h

CONFIGURATION

AFh

TABLE-SELECT

BYTE (7Fh)

SEL

80h

POT1

TEMP

LUT

SEL SEL

C7h

80h

C7h

80h

POT2

TEMP

LUT

BFh

80h

POT1

DRAIN

LUT

SEL SEL

DRAIN

BFh

POT2

LUT

LDMOS RF

功放偏置

控制器

LOWER MEMORY

ROW

(HEX)

00 User Row

08 User Row

10 User Row

18 User Row

20 Threshold

28 Threshold

30 Threshold

38 Threshold

ROW

NAME

0

1

2

3

0

1

2

3

40 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

48 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

50 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

58 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

60 A2D Value

68 A2D Value

0

1

70 Status Hi Alarm Lo Alarm Reserved Reserved I/O Status A2D Status Reserved Reserved

78 Table Select PWE Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Tbl Sel

BYTE (HEX)

BYTE

NAME

BIT

00-1F User EE EE EE EE EE EE EE EE EE

20 Temp Hi Alrm S 2

22 VCC Hi Alrm 2

24 VD Hi Alrm 2

26 ID1 Hi Alrm 2

28 ID2 Hi Alrm 2

30 Temp Lo Alrm S 2

32 VCC Lo Alrm 2

34 VD Lo Alrm 2

36 ID1 Lo Alrm 2

38 ID2 Lo Alrm 2

60 Temp Value S 2

62 VCC Value 2

64 VD Value 2

66 ID1 Value 2

68 ID2 Value 2

70 Hi Alarm Temp Hi VCC Hi VD Hi ID1 Hi ID2 Hi Reserved Reserved Reserved

71 Lo Alarm Temp Lo VCC Lo VD Lo ID1 Lo ID2 Lo Reserved Reserved Reserved

74 I/O Status Reserved Reserved Reserved Reserved Fault Mint Reserved Rdyb

75 A2D Status Temp Rdy VCC Rdy VD Rdy ID1 Rdy ID2 Rdy Reserved Reserved Reserved

78 PWE 2

7F Tbl Sel 2

WORD 0 WORD 1 WORD 2 WORD 3

BYTE 0 BYTE 1 BYTE 2 BYTE 3 BYTE 4 BYTE 5 BYTE 6 BYTE 7

User EE User EE User EE User EE User EE User EE User EE User EE

Temp Hi Alarm VCC Hi Alarm VD Hi Alarm ID1 Hi Alarm

ID2 Hi Alarm Reserved Reserved Reserved

Temp Lo Alarm VCC Lo Alarm VD Lo Alarm ID1 Lo Alarm

ID2 Lo Alarm Reserved Reserved Reserved

Temp Value VCC Value VD Value ID1 Value

ID2 Value Reserved Reserved Reserved

EXPANDED BYTES

BIT 7 BIT 6 BIT 5 BIT 4 BIT 3 BIT 2 BIT 1 BIT 0

BIT14BIT13BIT12BIT11BIT10BIT9BIT8BIT7BIT6BIT5BIT4BIT3BIT2BIT1BIT

15

6

5

4

3

2

1

0

2

15

14

13

12

11

2

15

14

2

15

2

15

2

15

2

15

2

15

2

15

2

15

2

15

2

15

2

15

2

15

2

7

13

2

14

13

2

14

13

2

6

5

2

14

13

2

14

13

2

14

13

2

14

13

2

6

5

2

14

13

2

14

13

2

14

13

2

14

13

2

14

13

2

6

2

12

2

12

2

12

2

4

2

12

2

12

2

12

2

12

2

4

2

12

2

12

2

12

2

12

2

12

2

10

2

11

10

2

11

10

2

11

10

2

3

2

11

10

2

11

10

2

11

10

2

11

10

2

3

2

11

10

2

11

10

2

11

10

2

11

10

2

11

2

10

2

5

2

9

2

9

2

9

2

9

2

1

2

9

2

9

2

9

2

9

2

1

2

9

2

9

2

9

2

9

2

9

2

4

2

8

0

8

0

8

282

-1

2

2-22-32-42-52-62-72

7

2

2625242322212

7

2

2625242322212

7

2

2625242322212

7

2

2625242322212

-1

2

2-22-32-42-52-62-72

7

2

2625242322212

7

2

2625242322212

7

2

2625242322212

7

2

2625242322212

-1

2

2-22-32-42-52-62-72

7

2

2625242322212

7

2

2625242322212

7

2

2625242322212

7

2

2625242322212

7

2625242322212

3

2

1

DS1870

0

-8

0

-8

0

-8

0

2

____________________________________________________________________ 15

LDMOS RF

功放偏置

控制器

TABLE 1 ( CONFIGURATION )

ROW

(HEX)

ROW

NAME

80 Config Password LUT Sel Fault Ena Reserved

88 Scale

90 Scale

DS1870

98 Offset

A0 Offset

A8

BYTE

(HEX)

LUT

Index

BYTE

NAME

0

1

0

1

BIT

80 Password 2

85 LUT Sel Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved VD2 VD1

86 Fault Ena Temp Ena Vcc Ena VD Ena ID1 Ena ID2 Ena Reserved Reserved Reserved

8A

Vcc

8C VD Scale 2

8E ID1 Scale 2

90 ID2 Scale 2

9A

Vcc

Offset

9C VD Offset S S 2

9E

A0

A6

ID1

ID2

Temp

Offset

A8 T Index 2

A9 O1 Index 2

AA O2 Index 2

AB

POT1

base

AC POT1 off S 2

AD

POT2

base

AE POT2 off S 2

AF Man DAC Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved SEE B/O_en index_en

WORD 0 WORD 1 WORD 2 WORD 3

BYTE 0 BYTE 1 BYTE 2 BYTE 3 BYTE 4 BYTE 5 BYTE 6 BYTE 7

Reserved Vcc Scale VD Scale ID1 Scale

ID2 Scale Reserved Reserved Reserved

Reserved Vcc Offset VD Offset ID1 offset

ID2 Offset Reserved Reserved Temp Offset

T Index O1 Index O2 Index POT1 base POT1 off

POT2

base

POT2 off Man Dac

EXPANDED BYTES

BIT 7 BIT 6 BIT 5 BIT 4 BIT 3 BIT 2 BIT 1 BIT 0

BIT14BIT13BIT12BIT11BIT10BIT9BIT8BIT7BIT6BIT5BIT4BIT3BIT2BIT1BIT

15

14

13

12

11

2

15

14

2

15

2

15

2

15

2

13

2

14

13

2

14

13

2

14

13

2

SS2152

15

SS2152

S282

7

2

7

2

7

6

2

6

2

6

2

6

2

6

2

6

2

12

2

12

2

12

2

12

2

14

2

14

2

14

2

14

2

6

2

10

2

11

10

2

11

10

2

11

10

2

11

10

2

13

12

2

13

12

2

13

12

2

13

12

2

5

2

4

2

5

2

5

2

5

2

5

2

5

2

5

2

5

2

292

2112

232

4

2

4

2

4

2

4

2

4

2

4

2

4

2

8

2726252

8

2726252

8

2726252

8

2726252

8

2726252

10

2928272

10

2928272

10

2928272

10

2928272

2

21202-12

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

4

3

2

4

2

4

2

4

2

4

2

6

2

6

2

6

2

6

2

-2

-3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

5

4

2

5

4

2

5

4

2

5

4

2

-4

2

1

2

1

2

1

2

1

2

1

2

1

2

1

2

1

0

2

-5

2

0

2

1

0

2

1

0

2

1

0

2

1

0

2

3

2

3

2

3

2

3

2

-6

2

0

2

0

2

0

2

0

2

0

2

0

2

0

2

16 ____________________________________________________________________

LDMOS RF

功放偏置

控制器

TABLE 2 (POT1 TEMP LUT)

ROW

(HEX)

80 LUT POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1

88 LUT POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1

90 LUT POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1

98 LUT POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1

A0 LUT POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1

A8 LUT POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1

B0 LUT POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1

B8 LUT POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1

C0 LUT POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1 POT1

C8 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

D0 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

D8 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

E0 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

E8 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

F0 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

F8 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

BYTE (HEX)

80-C7 POT1 2

ROW

NAME

BYTE

NAME

WORD 0 WORD 1 WORD 2 WORD 3

BYTE 0 BYTE 1 BYTE 2 BYTE 3 BYTE 4 BYTE 5 BYTE 6 BYTE 7

EXPANDED BYTES

BIT 7 BIT 6 BIT 5 BIT 4 BIT 3 BIT 2 BIT 1 BIT 0

7

6

2

5

2

4

2

3

2

1

2

DS1870

0

____________________________________________________________________ 17

LDMOS RF

功放偏置

控制器

TABLE 3 ( POT2 TEMP LUT)

ROW

(HEX)

80 LUT POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2

88 LUT POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2

90 LUT POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2

DS1870

98 LUT POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2

A0 LUT POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2

A8 LUT POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2

B0 LUT POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2

B8 LUT POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2

C0 LUT POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2 POT2

C8 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

D0 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

D8 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

E0 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

E8 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

F0 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

F8 Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved Reserved

BYTE (HEX)

80-C7 POT2 2

ROW

NAME

BYTE

NAME

WORD 0 WORD 1 WORD 2 WORD 3

BYTE 0 BYTE 1 BYTE 2 BYTE 3 BYTE 4 BYTE 5 BYTE 6 BYTE 7

EXPANDED BYTES

BIT 7 BIT 6 BIT 5 BIT 4 BIT 3 BIT 2 BIT 1 BIT 0

7

6

2

5

2

4

2

3

2

1

2

0

2

18 ____________________________________________________________________

LDMOS RF

功放偏置

控制器

TABLE 4 ( POT1 DRAIN LUT)

ROW

(HEX)

ROW

NAME

WORD 0 WORD 1 WORD 2 WORD 3

BYTE 0 BYTE 1 BYTE 2 BYTE 3 BYTE 4 BYTE 5 BYTE 6 BYTE 7

80 LUT POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off

88 LUT POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off

90 LUT POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off

98 LUT POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off

A0 LUT POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off

A8 LUT POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off

B0 LUT POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off

B8 LUT POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off POT1 Off

EXPANDED BYTES

BYTE (HEX)

80-BF POT1 Off S 2

BYTE

NAME

BIT 7 BIT 6 BIT 5 BIT 4 BIT 3 BIT 2 BIT 1 BIT 0

6

5

2

4

2

3

2

1

2

TABLE 5 (POT2 DRAIN LUT)

ROW

(HEX)

ROW

NAME

WORD 0 WORD 1 WORD 2 WORD 3

BYTE 0 BYTE 1 BYTE 2 BYTE 3 BYTE 4 BYTE 5 BYTE 6 BYTE 7

80 LUT POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off

88 LUT POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off

90 LUT POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off

98 LUT POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off

A0 LUT POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off

A8 LUT POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off

B0 LUT POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off

B8 LUT POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off POT2 Off

EXPANDED BYTES

BYTE (HEX)

80-BF POT2 Off S 2

BYTE

NAME

BIT 7 BIT 6 BIT 5 BIT 4 BIT 3 BIT 2 BIT 1 BIT 0

6

5

2

4

2

3

2

1

2

DS1870

0

____________________________________________________________________ 19

LDMOS RF

控制器

功放偏置

__________________________________________________________________

寄存器说明由寄存器行地址安排，从低端存储器开始，然后是每个查找表。以下说明寄存器的格式。

表名称

行名称

DS1870

字节名称

a)位X

b)位Y

每个字节名称后面的数定义存储器是易失示，因为这些值是不确定的。

Dalls Semiconductor

低端存储器

用户行

User EE <R/W><NV><00h> NV EEPROM

Threshold

0

Temp Hi Alarm <R/W><NV><0000h>

VCCHi Alarm <R/W><NV><0000h> V

VD Hi Alarm <R/W><NV><0000h> V

ID1 Hi Alarm <R/W><NV><0000h> I

1

ID2 Hi Alarm <R/W><NV><0000h> I

2

Temp Lo Alarm <R/W><NV><0000h>

VCCLo Alarm <R/W><NV><0000h> V

VD Lo Alarm <R/W><NV><0000h> V

ID1 Lo Alarm <R/W><NV><0000h> I

3

ID2 Lo Alarm <R/W><NV><0000h> I

访问权限

<

位X说明位Y说明

访问权限

还是非易失

(V)

出厂时已编程。

低于该阈值时将报警位清零。

测量值低于该阈值将报警位清零。

高于该阈值将报警位清零。

测量值高于该阈值将报警位清零。

易失性

> <

值定义寄存器的读/写访问权限。可取的值为只读

(NV)

上电

值为易失性寄存器的缺省状态值，而

上电/出厂缺省值

> <

。一些寄存器对应于

温度测量值高于这个二进制补码阈值时将其相对应的报警位置位。测量值

CC

D1

D2

温度测量值低于这个二进制补码阈值时将其相对应的报警位置位。测量值

CC

D1

输入的电压测量值低于这个无符号数阈值时将设置其相对应的报警位置位。

D2

字节功能说明

>

，只写

(R)

DS1870

用户存储器。

输入的电压测量值高于这个无符号数阈值时将其相对应的报警位置位。

D

输入的电压测量值高于这个无符号数阈值时将其相对应的报警位置位。

输入的电压测量值低于这个无符号数阈值时将其相对应的报警位置位。

D

输入的电压测量值低于这个无符号数阈值时将其相对应的报警位置位。

的测量或者检测值，这些参数为只读，用NA表

出厂缺省

值为

，和读写

(W)

EEPROM

寄存器说明

。

易失性

(R/W)

存储器中的值，在从

参

20 ____________________________________________________________________

LDMOS RF

功放偏置

控制器

A2D Value

0

Temp Value <R><NA><0000h>

VCCValue <R><NA><0000h>

VD Value <R><NA><0000h>

ID1 Value <R><NA><0000h>

A2D Value

1

ID2 Value <R><NA><0000h>

Status

Hi Alarm <R><NA><0000h>

a) Temp Hi

b) VCCHi

c) VD Hi

d) ID1 Hi

e) ID2 Hi

Lo Alarm <R><NA><40h>

a) Temp Lo

b) VCCLo

c) VD Lo

d) ID1 Lo

e) ID2 Lo

I/O Status <R><NA><

a) FAULT FAULT

b) Mint

c) Rdyb Ready

A2D Status <R/W><V><00h>

a) Temp Rdy

b) V

Rdy V

CC

c) VD Rdy V

d) ID1 Rdy I

e) ID2 Rdy I

有符号二进制补码温度测量值。

无符号

电压测量值。

V

CC

电压测量值。

V

D

电压测量值。

I

D1

电压测量值。

I

D2

高报警状态位。

用于温度测量的高报警状态。

用于

测量的高报警状态。

V

CC

测量的高报警状态。

V

D

测量的高报警状态。

I

D1

测量的高报警状态。

I

D2

低报警状态位。

用于温度测量的低报警状态。

用于

V

CC

用于

可屏蔽中断。电阻时，该位反映了或者“低报警”有效，相应的

测量的低报警状态。当

V

CC

V

CC

电压低于

测量，且高于阈值时，自动将该位清零。

测量的低报警状态。

V

D

测量的低报警状态。

I

D1

测量的低报警状态。

I

D2

见以下说明

> FAULT

引脚的逻辑值。在上电时

FAULT

引脚的状态。

FAULT

为漏极开路输出。在

DS1870

试图在

FAULT

“Fault Ena”

为逻辑高。

位使能，或者

否则，该位为零。

。当电源电压高于上电模拟

源电压低于

或者太低以至于不能进行

V

POA

(V

POA

)

转换完成后的状态。在上电时，这些位清零，在每个转换完成后被置位。可将

这些位清零，以便在完成新的转换后置位。

温度转换就绪。

转换就绪。

CC

转换就绪。

D

转换就绪。

D1

转换就绪

D2

门限电压值时该位被置位。当完成

POR

FAULT

外部拉为低电平时或者没有外部上拉

引脚上输出的逻辑值。如果任何的“高报警

“RDBY”为1

，则该位高电平有效。

门限电压时，该位低电平有效。因而，如果电

2

通信时，该位的读数为逻辑1。

C

I

DS1870

”

____________________________________________________________________ 21

LDMOS RF

控制器

PWE

PWE <W><V><FFFFh>

TBL Sel <R/W><V><00h>

表

DS1870

配置

1 (

)

Config

Password <R/W><NV><FFFFh> PWE

LUT Sel <R/W><NV> <03h>

a) VD2

b) VD1

Fault Ena <R/W><NV> <00h>

a) Temp Ena

b) Vcc Ena V

c) VD Ena V

d) ID1 Ena I

e) ID2 Ena I

Scale

0

VCCScale <R/W><NV><XXXX>

VD Scale <R/W><NV><XXXX>

ID1 Scale <R/W><NV><XXXX>

Scale

1

ID2 Scale <R/W><NV><XXXX>

Offset

0

VCCOffset <R/W><NV><0000h>

VD Offset <R/W><NV><0000h>

ID1 Offset <R/W><NV><0000h>

Offset

1

ID2 Offset <R/W><NV><0000h>

Temp Offset <R/W><NV><0000h>

LUT Index

功放偏置

78h到7Fh

问对应的表。

配时所有

。包括了

EEPROM

值为1时选择

温度测量值超过阈值限制时，在

测量值超过阈值限制时，在

CC

测量值超过阈值限制时，在

D

测量值超过阈值限制时，在

D1

测量值超过阈值限制时，在

D2

密码入口。在正确的密码写入到这个位置之前，唯一能写入的存储器地址为

PWE和Table_Select

表选择。

DS1870

值与写入到这个位置的值进行比较。当

。所有的存储器可读，与

包含5个表(1到5)。将一个数值(1到5)写到这个寄存器，可访

PWE

值无关。

值与这个寄存器的值不匹

存储器为写保护。

选择用于控制查找表的输入。

V

配置

控制

提供

输入控制

D

输入控制

D

FAULT

V

I

POT2 (表5)

POT1 (表4)

引脚的可屏蔽中断。

测量值的比例标定或增益。

V

CC

测量值的比例标定或增益。

V

D

测量值的比例标定或增益。

I

D1

测量值的比例标定或增益。

I

D2

测量的失调控制。

CC

测量的失调控制。

D

测量的失调控制。

D1

测量的失调控制。

D2

FAULT

的漏极

表索引。零则选择

LUT

表索引。零则选择

LUT

引脚上产生有效中断。

的增益出厂校准为

V

CC

的增益出厂校准为

V

D

的增益出厂校准为

I

D1

的增益出厂校准为

I

D2

输入。

I

D2

输入。

I

D1

2.500V FS

0.5V FS

6.5535V FS

。

提供温度测量的偏差控制。

22 ____________________________________________________________________

LDMOS RF

功放偏置

控制器

T Index <R><NA><00h>

O1 Index <R><NA><00h>

于

O2 Index <R><NA><00h>

于

POT1 base <R><NA><00h>

转换结束时更新。在已知的，且两者同时更新。

POT1 off <R><NA><00h>

或者保证基数和偏差值对

POT2 base <R><NA><00h>

转换结束时更新。在已知的，且两者同时更新。

POT2 off <R><NA><00h>

或者保证基数和偏差值对

MAN Dac <R/W><NA><03h>

a) SEE

b) B/O_en

c) Index_en

寻址。

LUT4

寻址。

LUT5

转换结束时更新，取决于写入

I

D1

转换结束时更新，取决于写入

I

D2

映射EE位。在上电时该位为低，使能EE写入到所有的映射EE位置。如果写为1，该位允许校准和配置器件，没有改变NV映射的EE存储器，也不必等待EE周期时间完成。写入0并不导致写入

在上电时该位为高，使能自动控制

LUT

周期结束时更新为新的数值。因而，所有四个寄存器

Base”，“POT2 Off”)

在上电时该位为高，使能自动控制

Index”，“O2 Index”)

引交互地测试模块。所有三个索引值应该在相同的写周期内写入。从个相对应的转换(与自动模式类似)后出现在基数和偏差寄存器中。为保证从基数和偏差值被更新，在下一个温度和器。两个电位器在同样时刻更新(与自动模式类似)。

保持根据温度测量值计算出的索引。这个索引用于

保持根据

用作

调用无效。这允许用户通过写入基数或者偏差值到

或者

V

D

或者

V

D

基数值，以

POT1

转换结束后

I

D2

偏差值，以

POT1

POT1和POT2

基数值，以

POT2

转换结束后

I

D2

偏差值，以

POT1

POT1和POT2

允许用户控制

SRAM

应该在同一个写周期内写入。

用户可写，计算索引值更新无效。这允许用户通过控制查找表的索

LUT2和3

测量值(取决于

I

D1

测量值(取决于

I

D2

“T Index”

使用该值更新，保证基数和偏差值对

POT1

“O1 Index”

“LUT Sel”

是已知的，且两者同时更新。

“T Index”

使用该值更新，保证基数和偏差值对

POT2

“O2 Index”

“LUT Sel”

是已知的，且两者同时更新。

索引或者用于计算电位器位置的基数和偏差值。

LUT

的数据复制到EE。屏蔽的EE地址为

LUT

“LUT Sel”字节)

中的存储器地址从表2调出。这个寄存器在温度

中的存储器地址从表4调出。这个寄存器在

字节的值。在

中的存储器地址从表3调出。这个寄存器在温度

中的存储器地址从表5调出。这个寄存器在

字节的值。在

。如果该位写入0，

2

I

C

。如果该位清为0时，三个索引值

转换完成之前，基数和偏差计算不会更新电位

I

D2

计算出的索引。这个索引用

转换结束后

I

D2

转换结束后

I

D2

20h到3Fh

基数和偏差值用户可写，

POT

交互地测试模块。

POT

(“POT1 Base”，“POT1 Off”，“POT2

停止条件是写周期的结束。

寻址。

POT1和POT2

使用该值更新，

POT1

POT1和POT2

使用该值更新，

POT2

和表

180h到A7h

POT

(“T Index”，“O1

调出的值在每

LUT

是

V

是

V

在写

调出的

DS1870

D

。

____________________________________________________________________ 23

LDMOS RF

控制器

功放偏置

表

2 (POT1

字节

80h-C7h

POT1 <R/W><NV><00h> POT1

表

3 (POT2

字节

DS1870

80h-C7h

POT2 <R/W><NV><00h> POT2

表

4 (POT1

字节

80h-B8h

POT1 Off <R/W><NV><00h> POT1

表

5 (POT2

字节

80h-B8h

POT2 Off <R/W><NV><00h> POT2

以下术语常用于描述

的温度

的漏极

LUT)

2

数据传输。

I

C

的无符号基数值。

的有符号二进制补码偏差值。

主设备：主设备控制总线上的从设备。主设备产生时钟脉冲、启动和停止条件。

从设备：从设备根据主设备的需要发送和接收数据。

总线空闲或者非忙状态：当

SDA和SCL

都为无效且为逻辑高状态时，在停止与启动条件之间的时间。当总线空闲时，通常为从设备启动低功耗模式。

启动条件：主设备产生启动条件，启动与从设备之间的数据传输。

保持高电平时，

SCL

从高电平跳变为低电平

SDA

将产生一个启动条件。正确的时序请参看时序图。

I2C

定义

SCL

停止条件：主设备产生停止条件，终止与从设备的数据传输。

保持高电平时，

SCL

从低电平跳变为高电平

SDA

将产生一个停止条件。正确的时序请参看时序图。重复启动条件：在一个数据传输结束后，主设备可以使用

重复启动条件，说明它会在当前传输结束后立即启动新数据的传输。重复启动通常用于读操作，以识别特定的存储器地址开始数据传输。重复启动条件的触发与通常的启动条件一样。正确的时序请参看时序图。

写位：

电平、并在建立时间和保持时间要求的范围内，据保持恒有效。在

的跳变必须发生在

SDA

SCL

低电平时。

SCL

的上升沿数据移入器件。

SCL

SDA

为高

数

SDA

t

BUF

t

LOW

SCL

t

HD:STA

STOP

START

NOTE: TIMING IS REFERENCED TO V

图

24 ____________________________________________________________________

3. I2C

时序图

IL(MAX)

AND V

t

R

t

IH(MIN)

HD:DAT

t

F

t

HIGH

t

SU:DAT

.

REPEATED

START

t

SU:STA

t

HD:STA

t

SP

t

SU:STO

LDMOS RF

功放偏置

控制器

7-BIT SLAVE ADDRESS

1 010

MOST

SIGNIFICANT BIT

图

从设备字节

4.

读位：写操作结束后，主机必须释放个在前一个位，数据位在当前备产生所有的

上升沿之前(读位时)保留适当的建立时间(图3)。

SCL

脉冲下降沿时，设备移出

SCL

时钟脉冲，即使从从设备读各位数据

SCL

A

, A1, AND A

2

PIN VALUES

2A1A0

R/W

DETERMINES

0

READ OR WRITE

SDA

总线，在下一

数据的每一

脉冲的上升沿时有效。记住主设

时。

应答

(ACK和NACK)

：在一字节传输时应答和非应答总是

位于发送的第9位。接收数据的设备(在读操作中的主设备或者在写操作中的从设备)通过在第9位发送0执行

。设备通过在第9位发送1执行

ACK

的时序与其它位的写操作一样（图3）。

NACK

备正确接收到数据后的应答。而

NACK。ACK

用于终止读序列

NACK

ACK

和

为设

或者指示设备没有在接收数据。写字节：写字节操作包括从主设备往从设备传输(最高位

在前面)的8位信息加上从从设备到主设备的1位应答。主设备按照写位定义完成8位数据的发送，按照读位定义读取应答信息。

读字节：读字节操作包括从从设备到主设备传输的8位信息加上从主设备到从设备的1位

ACK

或者

NACK

。主设备根据上面定义的读位操作读取从设备传输到主设备的位数据(最高位在前面)，然后主设备按照写位定义发送

以接收其它数据字节。主设备必须读最后字节后发

ACK

送

来终止通信，这样从设备将

NACK

的控制权返回

SDA

到主设备。

从设备地址字节：

2

总线上的每个从设备对启动条件后

I

C

的从设备地址字节响应。从设备地址字节(图4)包含高位的从地址和最低位的

R/W

位。

DS1870

的从设备地址为

A2、A1、A0

1010A

2A1A0

为地址引脚的值。地址引脚允许设备对8个

二进制)。其中

(

可能的从设备地址之一响应。写入正确的从设备地址和

R/W = 0

，主设备会从从设备读数据。如果写入不正确的从设备

1

地址，

，主设备指示它会往从设备写数据。如果

DS1870

假设主设备与另外的

2

设备通信，忽略

I

C

这次通信等待下一次的启动条件发送。存储器地址：在

写操作期间，主设备必须发送存储器

I2C

地址以识别用于从设备存储数据的存储器位置。存储器地址总是位于从设备地址字节之后写操作的第二个发送字节。

往从设备写单个字节：主设备必须产生启动条件，写从设备地址字节

(R/W = 0)

，写存储器地址，写数据字节，产生停止条件。记住在所有写字节操作中主设备必须读从设备的应答。

往从设备写多个字节：为了向从设备写多个字节，主设备产生启动条件，写从设备地址字节

(R/W = 0)

器地址，可写多达8个数据字节，产生停止条件。

DS1870

利用一次写操作写1到8个字节(1页或者行)。这可通过内部地址计数器控制，允许数据写入到连续的地址，无需在每个数据字节发送之前发送存储器地址。地址计数器限制写入一个8字节页(存储器图的一行)。没有发送停止条件而试图写额外存储器页的操作将导致地址计数器返回到当前行的开始。

范例：3字节写操作起始地址为

8

数据字节含数据

00h

(11h，22h，33h)

11h和22h

中。

，而第三个数据字节

。结果是地址

，向连续地址写三个

06h

06h和07h

33h

为防止地址从当前位置返回，在每个页结束时主设备必须发送停止条件，然后等待总线空闲或者

EEPROM

间结束。然后主设备才能产生新的启动条件，在继续写数据之前写从设备地址一个存储器地址。

7

(R/W = 0)

和下一个存储器行的第

R/W =

通信

I2C

，写存储

.

分别包

被写入到地址

写时

DS1870

____________________________________________________________________ 25

LDMOS RF

控制器

功放偏置

应答轮询：写入

要一定的内容。在

EEPROM

页时，

写时间

(tW)

，向

写操作期间，

DS1870

EEPROM

DS1870

在停止条件后需

写入该页的

不会对它的从设备地址作出应答，因为它处于忙状态。可利用这一特点，重复对

DS1870

一页数据。另一种轮询方法是在再次写入

DS1870

等待最大的

EEPROM

改页上的一个字节，

进行寻址，以便在接收数据就绪后写入下

DS1870

周期。

t

W

写周期：当

EEPROM

DS1870

写操作发生时，即使仅更

也需要写入整个

EEPROM

储器页。不修改页上所有8个字节的写操作是允许的，不会破坏相同页上存储器的其余字节。因为整个页被写入，在写操作时页上没有被修改的字节仍然经历了一次写过程，导致整个页在重复写入单个字节时受到磨损。一次往一页里写入一个字节对入完整的一页的8倍。

失存储器特性表

COMMUNICATIONS KEY

S

START

P

STOP

DS1870的EEPROM

确定。表里给出的指标为最坏情形时的

A

N

EEPROM

ACK

NOT ACK

磨损的速度是一次写

写次数由

WHITE BOXES INDICATE THE MASTER IS CONTROLLING SDA

SHADED BOXES INDICATE THE SLAVE IS CONTROLLING SDA

之前，

存

非易

数据。在室温下可承受10倍表中数据的写操作。在评估

EEPROM

存储器，不计入

ROM

的寿命时，用

EEPROM

SEE = 1

写入

SRAM

写次数。

映射的

EEP

从从设备读单个字节：与写操作中使用存储器地址字节定义往何处写不同的是，读操作发生在存储器地址计数器的当前值。为了从从设备读单个字节，主设备产生一个启动条件，使用节，用

指示传输结束，并产生停止条件。

NACK

R/W=1

写从设备地址字节，读数据字

灵活利用地址计数器进行读操作：一个空写周期可用来强制地址计数器为特殊值。为了达到这个目的，主设备产生启动条件，写从设备地址字节

(R/W = 0)

，写需要读的存储器地址，产生重复的启动条件，写从设备地址字节

(R/W = 1)

，用

ACK和NACK

读数据，产生停止条件。请参看图5，一个使用重复启动条件确定起始存储器位置的读操作范例。

NOTES:

1) ALL BYTES ARE SENT MOST SIGNIFICANT BIT FIRST.

2) THE FIRST BYTE SENT AFTER A START CONDITION IS ALWAYS THE SLAVE ADDRESS, FOLLOWED BY THE READ/WRITE BIT.

REPEATED

Sr

START

WRITE A SINGLE BYTE

1010 A00

S

WRITE UP TO AN 8-BYTE PAGE WITH A SINGLE TRANSACTION

1010 0

S

READ A SINGLE BYTE WITH A DUMMY WRITE CYCLE TO MOVE THE ADDRESS COUNTER

S 1010 0 A

READ MULTIPLE BYTES WITH A DUMMY WRITE CYCLE TO MOVE THE ADDRESS COUNTER

S 1010 0 A MEMORY ADDRESS A Sr 10 1 0 1 A D ATA A

图

26 ____________________________________________________________________

5. I2C

通信范例

XX XX XX XX

DATA

A1A

2

A

A0A1A

A

A0A1A

A

8 BITS ADDRESS OR DATA

MEMORY ADDRESS

DATA

A

A Sr

DATA

10 1 0 A01 A DATA N P

A D ATA N P

A P

A

A1A

2

A0A1A

2

DATA

A P

LDMOS RF

功放偏置

控制器

________________________________________________________________

5V

4.7kΩ

3 PLACES

5V REFERENCE

MAX6165B

V

CC

FAULT

SDA

SCL

A2

A1

A0

GND

H

COM

R

POT2

2

W

R

S2

2

L

N.C. N.C.

DS1870

FACTORY-CALIBRATED 13-BIT ADC

(CUSTOMER ADJUSTABLE FULL-

SCALE AND OFFSET VALUES)

R

POT1

S1

1

W

L

49.9kΩ

4.22kΩ

V

D

I

D1

I

D2

N.C.

典型工作电路

DS1870

28V

RF

IN

NOTES:

1) IN THIS CONFIGURATION, THE VOLTAGE RANGE OF W 3V-5V. THIS RANGE CAN BE EXTENDED USING EXTERNAL RESISTORS.

2) ONE MAX6156B CAN BE USED WITH MULTIPLE DS1870s.

从从设备读多个字节：读操作可以一次读多个字节。当从从设备读多个字节时，如果主设备在终止传输之前还需要读另外一个字节，只需简单地对数据字节作应答。在主设备读最后一个字节后，发送

指示传输结束，

NACK

然后产生停止条件。可以在读周期之前修改或者无需改变地址计数器的位置来实现。读操作时，

DS1870

地址计数器在页边界并不返回，但是如果在读操作中最后一个存储器位置被读取，计数器会从最高存储器地址

。

00h

____________________________________________________________________ 27

FFh

转到

RF

POWER

AMP

AND W2 IS

1

____________________________

RF

OUT

应用信息

电源去耦

为获得最佳效果，电源去耦推荐使用容。使用高质量的陶瓷、表贴封装电容，将电容安装在尽可能靠近

和

V

CC

引脚的地方以减小引线电感。

GND

0.01µF和0.1µF

的电

LDMOS RF

控制器

功放偏置

SDA和SCL

SDA为DS1870

的集电极开路输出，需要上拉电阻实现逻辑高电平。可使用带上拉电阻的集电极开路输出或者推挽输出驱动器的主设备产生

。上拉电阻值应该保证交

SCL

上拉电阻

____________________________

在下面的“高级应用”中给出了一个利用检测的电路。

流电气特性表中上升/下降时间额定值的要求。

DS1870

___________________________________________________

5V

Ω

4.7k

3 PLACES

V

CC

FAULT

SDA

SCL

A2

A1

A0

GND

COM

H

DS1870

R

POT2

2

W

R

2

L

R

S2

R

S1

POT1

1

W

L

高级应用

DS1870

带有电流检测功能的高级应用

28V

49.9k (1%)

4.22k (1%)

VD

ID1

ID2

MAX4080

LOW

PASS

FILTER

LOW

PASS

FILTER

实现电流

N.C. N.C.

MAX6165B

5V REFERENCE

RF

IN

NOTES:

1) IN THIS CONFIGURATION, THE VOLTAGE RANGE OF W 3V-5V. THIS RANGE CAN BE EXTENDED USING EXTERNAL RESISTORS.

2) ONE MAX6156B CAN BE USED WITH MULTIPLE DS1870s.

____________________________

TRANSISTOR COUNT: 52,353

SUBSTRATE CONNECTED TO GROUND

Maxim不对Maxim

产品以外的任何电路使用负责，也不提供其专利许可。

AND W2 IS

1

芯片信息

POWER

AMP

____________________________

欲获取最新封装信息，请访问：

www.maxim-ic.com.cn/DallasPackinfo.

保留在任何时间、没有任何通报的前提下修改产品资料和规格的权利。

Maxim

RF

OUT

封装信息

28 ____________________Maxim Integrated Products, 120 San Gabriel Drive, Sunnyvale, CA 94086 408-737-7600

是

Maxim Integrated Products, Inc.

的注册商标。

MAXIM DS1870 User Manual

Specifications and Main Features

Frequently Asked Questions

User Manual