Infineon TZ630N Data Sheet

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Grenzlastintegral I²t-value
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
Module
TZ630N
TZ630N
T
= -40°C... T
vj
Tvj = -40°C... T
Tvj = +25°C... T
TC = 85°C T
= 52°C
C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
vj max
DIN IEC 747-6 f = 50 Hz, i
Tvj = T
vj max
6.Kennbuchstabe / 6
vj max
vj max
vj max
, tP = 10 ms
, tP = 10 ms
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
GM
, vD = 0,67 V
DRM
th
letter F
V
DRM,VRRM
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
/dt)
(di
T
/dt)
(dv
D
2200 2600
2200 2600
2300 2700
2400 2800VV
2400 2800VV
2500 2900VV
1500 A
630 955AA
25.500
23.000AA
3.250.000
2.650.000
cr
cr
A²s A²s
150 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Zündstrom gate trigger current
Zündspannung gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current
Zündverzug gate controlled delay time
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, iT = 3000 A v
vj max
vj max
vj max
Tvj = 25°C, vD = 6 V I
Tvj = 25°C, vD = 6 V V
Tvj = T T
vj
Tvj = T
= T
, vD = 6 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
DRM
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 I
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK 10 i
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
GM
Tvj = T
vj max
vD = V
DRM
, vR = V
RRM
DIN IEC 747-6 T
= 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
vj
V
r
T
GT
I
GD
V
H
I
L
iD, i
t
gd
T
(TO)
GT
GD
max.
2,18 V
0,95 V
0,37 m
max.
max.
max. max.
250 mA
2,0 V
105mA
mA
max. 0,25 V
max. 500 mA
max. 2500 mA
R
max. 200 mA
max. 4,5 µs
prepared by:
C.Drilling date of publication: 06.03.03
approved by: J. Novotny
BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther
A 18/00
revision: 1
Seite/page
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
Module
TZ630N
T
= T
vj max
, iTM = I
TAVM
DRM
th
letter O
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC
pro Modul / per Module
t
V
R
R
T
T
T
q
thJC
thCH
vj max
c op
stg
ISOL
typ. 350 µs
3,0 3,6
max.
0,0420
max.
0,0405
max.
0,01
125
-40...+125 °C
-40...+130 °C
kV kV
°C/W °C/W
°C/W
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque
Steueranschlüsse control terminals
Gewicht weight
Kriechstrecke creepage distance
Schwingfestigkeit vibration resistance
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AlN
Toleranz / Tolerance ± 15% M1 6 Nm
Toleranz / Tolerance ± 10% M2 18 Nm
DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
G typ. 2750 g
36 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
file-No. E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Maßbild
Maßbild
Maßbild
Module
TZ630N
21
45
TZ
BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther
A 18/00
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N
S
=
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
R,TWerte Di
R,T-Werte
Pos. n1234567
R
[°C/W] 0,0011 0,00267 0,00866 0,02313 0,00507
thn
τn [s] 0,01 0,0188 0,30347 4,994 9,98
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytische Funktion / Analytical function:
Module
Analytical elements of transient thermal impedance Z
TZ630N
=
thJC
n
max
S
n=1
für DC
thJC
for DC
thnthJC
– t
t
n
- e1RZ
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
1 Modul pro Kühlkörper / 1 module per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KW70 (4l/min.)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n1234567
R
[°C/W] 0,00214 0,00035 0,0245
thn
τn [s] 9,89 13 31,3
n
Analytische Funktion / Analytical function:
n=1
max
thCA
thnthCA
thCA
– t
t
n
- e1RZ
BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther
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