Infineon TZ530N Data Sheet

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage

Module

TZ530N

T

= -40°C... T

vj

Tvj = -40°C... T

Tvj = +25°C... T

TC = 85°C
T

= 30°C

C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i

Tvj = T

6.Kennbuchstabe / 6

6.Kennbuchstabe / 6

vj max

vj max

vj max

, tP = 10 ms

vj max

, tP = 10 ms

vj max

= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

GM

, vD = 0,67 V

vj max

TZ530N

DRM

th

letter C

th

letter F

V

DRM,VRRM

V

DSM

V

RSM

I

TRMSM

I

TAVM

I

TSM

I²t

/dt)

(di

T

/dt)

(dv

D

3000
3400

3000
3400

3100
3500

3200
3600VV

3200
3600VV

3300
3700VV

1500 A

530
955AA

22.000

20.000AA

2.420.000

2.000.000

cr

cr

80 A/µs

500

1000

A²s
A²s

V/µs
V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Zündstrom
gate trigger current

Zündspannung
gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage

Haltestrom
holding current

Einraststrom
latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current

Zündverzug
gate controlled delay time

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

, iT = 3000 A v

vj max

vj max

vj max

Tvj = 25°C, vD = 6 V I

Tvj = 25°C, vD = 6 V V

Tvj = T
T

vj

Tvj = T

= T

, vD = 6 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

DRM

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω I

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
i

= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

GM

Tvj = T

vj max

vD = V

DRM

, vR = V

RRM

DIN IEC 747-6
T

= 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

vj

V

r

T

GT

I

GD

V

H

I

L

iD, i

t

gd

T

(TO)

GT

GD

max.

2,65 V

1,05 V

0,49 mΩ

max.

max.

max.
max.

250 mA

2V

105mA

mA

max. 0,25 V

max. 500 mA

max. 2500 mA

R

max. 250 mA

max. 4 µs

prepared by:

C.Drilling date of publication: 06.03.03

approved by: J. Novotny

BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther

A 17/00

revision: 1

Seite/page

1/12

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Thermische Eigenschaften

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Module

TZ530N

T

= T

vj max

, iTM = I

TAVM

DRM

th

letter O

vj

vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

5.Kennbuchstabe / 5

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC

pro Modul / per Module

t

V

R

R

T

T

T

q

thJC

thCH

vj max

c op

stg

ISOL

typ. 400 µs

3,0
3,6

max.

0,0450

max.

0,0435

max.

0,01

125

-40...+125 °C

-40...+130 °C

kV
kV

°C/W
°C/W

°C/W

°C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Mechanische Eigenschaften

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Innere Isolation
internal insulation

Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque

Steueranschlüsse
control terminals

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Seite 3
page 3

AlN

Toleranz / Tolerance ± 15% M1 6 Nm

Toleranz / Tolerance ± 10% M2 18 Nm

DIN 46 244 A 2,8 x 0,8

G typ. 2750 g

36 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

file-No. E 83336

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther

A 17/00

Seite/page

2/12

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor

Maßbild

Maßbild

Maßbild

Module

TZ530N

21

45

TZ

BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther

A 17/00

Seite/page

3/12

N

S

=

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor

R,T – Werte
Di

R,T-Werte

Pos. n1234567

R

[°C/W] 0,0011 0,00275 0,00942 0,023157 0,00721

thn

τn [s] 0,01 0,0188 0,30347 4,994 9,98

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytische Funktion / Analytical function:

Module

Analytical elements of transient thermal impedance Z

TZ530N

=

thJC

n

max

S

n=1

für DC

thJC

for DC

thnthJC

– t

t

n

- e1RZ

Verstärkte Kühlung / Forced cooling

1 Modul pro Kühlkörper / 1 module per heatsink

Kühlkörper / Heatsink type:

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

Pos. n1234567

R

[°C/W] 0,00214 0,00035 0,0245

thn

τn [s] 9,89 13 31,3

Analytische Funktion / Analytical function:

KW 70 (4l/min)

n

max

n=1

thCA

thnthCA

thCA

– t

t

n

- e1RZ

BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther

A 17/00

Seite/page

4/12