Infineon TZ150N Data Sheet
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Module
TZ150N
TZ150N
DRM
th
letter C
th
letter F
DRM,VRRM
DSM
2000
2400
2000
2400
2200
2600V V
2200
2600V V
RSM
TRMSM
I
TAVM
2100
2500
2300
2700V V
350 A
150
223A A
4500
I
TSM
I²t
(di
/dt)cr
T
(dv
/dt)cr
D
101000
4000
80000
60 A/µs
500
1000
A
A
A²s
A²s
V/µs
V/µs
= -40°C... T
T
vj
Tvj = -40°C... T
Tvj = +25°C... T
V
vj max
V
vj max
V
vj max
I
TC = 85°C
T
= 54°C
C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
, tP = 10 ms
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
= T
T
vj
, tP = 10 ms
vj max
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
Tvj = T
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
GM
, vD = 0,67 V
vj max
6.Kennbuchstabe / 6
6.Kennbuchstabe / 6
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, iT = 600 A
vj max
vT
V
vj max
r
vj max
(TO)
T
Tvj = 25°C, vD = 6 V IGT
Tvj = 25°C, vD = 6 V VGT
Tvj = T
T
vj
Tvj = T
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω I
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
i
GM
Tvj = T
v
D
DIN IEC 747-6
T
vj
, vD = 6 V
vj max
= T
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
V
DRM
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
vj max
= V
DRM
, vR = V
RRM
= 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
I
GD
max. 0,2 V
GD
max. 300 mA
H
max. 1200 mA
I
L
, iR max. 50 mA
i
D
t
max. 4 µs
gd
max.
2,6 V
1,2 V
2,3 mΩ
max.
max.
max.
max.
200 mA
2V
105mA
mA
prepared by:
C.Drilling date of publication: 11.03.04
approved by: M. Leifeld
BIP AC / 2004-03-11; C. Drilling
A04/04
revision: 3
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N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
file-No. E 83336
Module
Datenblatt / Data sheet
TZ150N
DRM
th
letter O
t
V
R
R
q
thJC
thCH
vj max
c op
stg
ISOL
T
= T
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dv
5.Kennbuchstabe / 5
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
T
T
T
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AlN
Toleranz / Tolerance ± 15% M1 5 Nm
Toleranz / Tolerance ± 10% M2 12 Nm
DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
G typ. 900 g
15 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
, iTM = I
vj max
/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
D
TAVM
3,0
3,6
0,130
0,124
0,04
125
µs
kV
kV
°C/W
°C/W
°C/W
°C
typ. 300
max.
max.
-40...+125 °C
-40...+130 °C
max.
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Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AC / 2004-03-11; C. Drilling
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N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TZ150N
Maßbild
Maßbild
Maßbild
21
45
TZ
BIP AC / 2004-03-11; C. Drilling
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N
Σ
=
τ
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TZ150N
R,T – Werte
Di
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
für DC
thJC
for DC
thJC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,0031 0,0097 0,0257 0,0429 0,0426
thn
τn [s] 0,0009 0,0080 0,1100 0,6100 3,0600
n
Analytische Funktion / Analytical function:
max
=
n=1
Σ
thnthJC
– t
τ
n
- e1RZ
Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17
(90W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
thCA
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,7960 0,0050 0,0410
thn
τn [s] 1420 912 12
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
(Papst 4650N)
thCA
thCA
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,2390 0,0435 0,0075
thn
τn [s] 497 31,8 6,4
n
Analytische Funktion / Analytical function:
max
thnthCA
n=1
– t
n
- e1RZ
BIP AC / 2004-03-11; C. Drilling
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