Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) NW3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600, 1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
non-repetitive peak forward off-state voltage 1600, 1800 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...T
vj max
non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS on-state current (per chip)
Effektivstrom (pro Phase)
RMS current (per arm)
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
TC = 85°C
TC = 72°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
, tp = 10ms
vj max
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
, tp = 10ms
vj max
DIN IEC 747-6 (di/dt)
f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
Tvj = T
, vD = 0,67 V
vj max
8. Kennbuchstabe / 8th letter F
DRM
V
DRM
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
RMS
, V
RRM
1200, 1400 V
1200, 1400 V
1300, 1500 V
75 A
85 A
106 A
35 A
49 A
83 A
96 A
I
TSM
720 A
620 A
I²t 2600 A²s
1920 A²s
120 A/µs
(dv/dt)
cr
cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = T
, iT = 100A
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj =T
vj max
Tvj = 25°C, vD = 6V
Tvj = 25°C, vD = 6V
Tvj = T
, vD = 6V
vj max
Tvj = T
, vD = 0,5 V
vj max
Tvj = T
, vD = 0,5 V
vj max
Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω
Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω
iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs
Tvj = T
vj max
vD = V
, vR = V
DRM
DIN IEC 747-6 t
Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
DRM
DRM
RRM
v
V
r
I
GT
V
I
GD
V
I
H
I
L
iD, i
gd
T
(T0)
T
max. 1,64 V
0,95 V
5,5
mΩ
max. 150 mA
GT
max. 2,5 V
max. 5,0 mA
max. 2,5 mA
GD
max. 0,2 V
max. 200 mA
max. 600 mA
R
max. 8 mA
max. 1,2 µs
MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 A /99 Seite/page 1(9)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) NW3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Tvj = T
, iTM = 50A
vj max
vRM = 100V, VDM = 0,67 V
dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
7. Kennbuchstabe / 7th letter O
RMS, f = 50Hz, t = 1min V
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
pro Modul / per module, Θ = 180°sin
pro Element / per chip, Θ = 180°sin
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC
pro Modul / per module R
pro Element / per chip
DRM
t
R
T
T
T
q
ISOL
vj max
c op
stg
thJC
thCK
typ. 190 µs
3,0 kV
3,6 kV
max. 0,117 °C/W
max. 0,700 °C/W
max. 0,108 °C/W
max. 0,650 °C/W
max. 0,033 °C/W
max. 0,200 °C/W
125 °C
- 40...+125 °C
- 40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation
Al
2O3
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance ±15%
M1 6 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2 6 Nm
terminal connection torque
Gewicht G
typ.
300 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50 m/s²
vibration resistance
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand
rated resistance
Verlustleistung
TC = 25°C
R
= 493Ω ± 5%
100
TC = 25°C
power dissipation
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
R
25
P
25
max. 20 mW
5
kΩ
MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 2(9)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) NW3
ϑ
MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 3(9)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) NW3
für DC
thJC
for DC
thJC
Pos. n 1234567
[]
RCW
thn
° /
0,25300 0,35100 0,04930
[]
τns
Analytische Funktion Z R e
0,31800 0,03870 0,00109
n
max
:
=−
∑
thJC thn
=
n
1
1
t
−
τ
n
MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 4(9)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
0,80
0,70
0,60
TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) NW3
180° sin
DC
[°C/W]
thJC
Z
0,50
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 5(9)
thJC
= f(t)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
140
130
120
110
TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) NW3
[°C]
T
C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
0 102030405060708090100110120
[A]
I
RMS
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur TC = f(I
MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 6(9)
RMS
)
Technische Information / Technical Information
j
)
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
100
90
80
70
TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) NW3
) [°C]
Sensor
- T
vj
(T
60
50
40
30
20
10
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
I
/ I
a
RMS(Tc=85°C)
Differenz zwischen Sperrschicht- und Sensortemperatur / Difference between the values of junction and
sensor temperature (T
I
: Anlaufstrom / Starting current
a
I
: Effektivstrom (pro Phase) / RMS current (per arm)
RMS
MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 7(9)
v
- T
Sensor
) = f(Ia / I
RMS(Tc=85°C
)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
10000
TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) NW3
]
W
[
1000
Sensor
R
100
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
[°C]
T
Sensor
Sensorwiderstand / Sensor resistance R
MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 8(9)
Sensor
= f(T
Sensor
)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
500
450
400
350
TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) NW3
[W]
P
tot
300
250
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120
[A]
I
RMS
Gesamtverlustleistung pro Modul / Total power dissipation per module P
I
: Effektivstrom (pro Phase) / RMS current (per arm)
RMS
MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 9(9)
tot
= f(I
RMS
)
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