Infineon TTW3C145N12LOF Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) NW3

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600, 1800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

non-repetitive peak forward off-state voltage 1600, 1800 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS on-state current (per chip)

Effektivstrom (pro Phase)

RMS current (per arm)

Stoßstrom-Grenzwert

surge current
Grenzlastintegral

I²t-value
Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

TC = 85°C I

TC = 75°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)

Tvj = 25°C, tp = 10ms I

Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms

Tvj = T

DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs

Tvj = T

, tp = 10ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

critical rate of rise of off-state voltage 8. Kennbuchstabe / 8th letter F 1000 V/µs

V

DRM

V

DSM

V

RSM

I

TRMSM

RMS

, V

RRM

1200, 1400 V

1200, 1400 V

1300, 1500 V

120 A

145 A
170 A

40 A

59 A
108 A
131 A

TSM

1250 A
1050 A

I²t 7800 A²s

5500 A²s

(di/dt)

(dv/dt)

cr

cr

120 A/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung

Tvj = T

, iT = 200A v

vj max

on-state voltage
Schleusenspannung

Tvj = T

vj max

threshold voltage
Ersatzwiderstand

Tvj =T

vj max

slope resistance
Zündstrom

Tvj = 25°C, vD = 6V I

gate trigger current

Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V V

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6V I

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

gate non-trigger voltage
Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω I

holding current
Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents

Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω I
iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

Zündverzug DIN IEC 747-6
gate controlled delay time

Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs

RRM

DRM

DRM

V

r

T

GT

GD

V

H

L

iD, i

t

gd

T

(T0)

max. 1,87 V

0,95 V

3,2

mΩ

max. 150 mA

GT

max. 2,5 V

max. 5,0 mA
max. 2,5 mA

GD

max. 0,2 V

max. 200 mA

max. 600 mA

R

max. 10 mA

max. 1,2 µs

MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 A /99 Seite/page 1(9)

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) NW3

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit

circuit commutated turn-off time

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Tvj = T

, iTM = 50A

vj max

vRM = 100V, VDM = 0,67 V
dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs

7. Kennbuchstabe / 7th letter O

RMS, f = 50Hz, t = 1min V
RMS, f = 50Hz, t = 1sec

pro Modul / per module, Θ = 180°sin
pro Element / per chip, Θ = 180°sin
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC

pro Modul / per module R
pro Element / per chip

DRM

t

R

T

T

T

q

ISOL

thJC

thCK

vj max

c op

stg

typ. 190 µs

3,0 kV
3,6 kV

max. 0,070 °C/W
max. 0,420 °C/W

max. 0,065 °C/W
max. 0,390 °C/W

max. 0,033 °C/W
max. 0,200 °C/W

125 °C

- 40...+125 °C

- 40...+130 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3

Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated

Innere Isolation

Al

2O3

internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung

Toleranz / tolerance ±15%

M1 6 Nm

mounting torque

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse

Toleranz / tolerance +5% / -10%

M2 6 Nm

terminal connection torque
Gewicht G

typ.

300 g

weight
Kriechstrecke 12,5 mm

creepage distance
Schwingfestigkeit

f = 50Hz

50 m/s²

vibration resistance

Temperatursensor / Temperature sensor

Nennwiderstand

rated resistance
Verlustleistung

TC = 25°C

R

= 493Ω ± 5%

100

TC = 25°C

power dissipation

Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung

mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.

R

25

P

25

max. 20 mW

5

kΩ

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) NW3

ϑ

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