Technische Information / Technical Information
s
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT B6C 95 N 161) (ISOPACK)
Elektrische Eigenschaften / Electrical propertie
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS on-state current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = - 40°C...T
Tvj = - 40°C...T
Tvj = + 25°C...T
TC = 85°C
TC = 66°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
Tvj = T
8. Kennbuchstabe / 8th letter F
, tp = 10ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, vD = 0,67 V
vj max
vj max
vj max
vj max
DRM
NB6
V
, V
DRM
RRM
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
d
I
TSM
I²t 2590 A²s
(di/dt)
cr
(dv/dt)
cr
1600 V
1600 V
1700 V
75 A
95 A
130 A
45 A
62 A
101 A
115 A
720 A
620 A
1920 A²s
120 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
1) gilt auch für / also valid for TD B6HK95N16
Tvj = T
Tvj = T
Tvj =T
Tvj = 25°C, vD = 6V
Tvj = 25°C, vD = 6V
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = 25°C, vD = 6V, R
Tvj = 25°C, vD = 6V, R
iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs
Tvj = T
vD = V
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
DRM
, iT = 100A
, vD = 6V
, vD = 0,5 V
, vD = 0,5 V
, vR = V
RRM
DRM
DRM
= 5Ω I
A
≥ 20Ω I
GK
v
V
r
T
I
GT
V
I
GD
V
H
L
iD, i
T
(TO)
GT
GD
max. 1,64 V
0,95 V
5,5
mΩ
max. 150 mA
max. 2,5 V
max. 5,0 mA
max. 2,5 mA
max. 0,2 V
max. 200 mA
max. 600 mA
R
max. 8 mA
BIP PPE4 rev. 2 19. Okt 05 A 05/05 Seite/page 1(6)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Mod
s
g
q
s
K
x
p
g
s
u
Phase Control Thyristor Module TT B6C 95 N 16 (ISOPACK) NB6
Elektrische Eigenschaften / Electrical propertie
Charakteristische Werte / Characteristic values
Zündverzug
gate controlled delay time
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
DIN IEC 747-6 t
Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
Tvj = T
vRM = 100V, VDM = 0,67 V
dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
7. Kennbuchstabe / 7th letter O
RMS, f = 50Hz, t = 1min V
RMS, f = 50Hz, t = 1sec 3,6 kV
vj max
, iTM = 50A
DRM
Thermische Eigenschaften / Thermal propertie
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
pro Modul / per module, Θ = 120°rect
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC max. 0,108 °C/W
pro Element / per chip, DC max. 0,650 °C/W
pro Modul / per module R
pro Element / per chip max. 0,200 °C/W
d
t
ISOL
R
thJC
thC
vj ma
c o
st
max. 1,2 µs
typ. 190 µs
3,0 kV
max. 0,137 °C/W
max. 0,820 °C/W
max. 0,033 °C/W
125 °C
- 40...+125 °C
- 40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical propertie
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation Al
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 6 Nm
terminal connection torque
Gewicht G
typ. 300 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
2O3
BIP PPE4 rev. 2
19. Okt 05
Seite/page 2(6)
Technische Information / Technical Information
y
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Th
ristor Module
TT B6C 95 N 16 (ISOPACK)
NB6
BIP PPE4 rev. 2 19. Okt 05 Seite/page 3(6)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
TT B6C 95 N 16 (ISOPACK)
für DC
thJC
for DC
thJC
Pos. n 1234567
[]
RCW
thn
° /
0,25300 0,35100 0,04930
NB6
[]
τ
s
n
Analytische Funktion Z R e
0,31800 0,03870 0,00109
n
max
:
=−
∑
thJC thn
n
=
1
1
t
−
τ
n
BIP PPE4 rev. 2 19. Okt 05 Seite/page 4(6)
Technische Information / Technical Information
Z
g
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
0,90
0,80
0,70
0,60
TT B6C 95 N 16 (ISOPACK) NB6
120° rect
DC
0,50
[°C/W]
thJC
Z
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction an
BIP PPE4 rev. 2 19. Okt 05 Seite/page 5(6)
leΘ
thJC
= f(t)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
140
130
120
110
100
TT B6C 95 N 16 (ISOPACK)
NB6
90
80
[°C]
C
T
70
60
50
40
30
20
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140
[A]
I
d
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature Tc = f (Id)
BIP PPE4 rev. 2 19. Okt 05 Seite/page 6(6)
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