Infineon TDB6HK74N16RR Data Sheet

Technische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
Periodische Spitzensperrspannung
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
Tvj = - 40°C...T
vj max V
repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I
RMS on-state current (per chip) Ausgangsstrom
TC = 85°C
output current Stoßstrom-Grenzwert
surge current Grenzlastintegral
I²t-value Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = T
DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
Tvj = T
8. Kennbuchstabe / 8th letter F
, tp = 10ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, vD = 0,67 V
vj max
DRM (dv/dt)
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung V collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 80°C
DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
tp = 1ms
repetitive peak collektor current Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C
total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung V
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Periodische Spitzensperrspannung V repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
TC = 80°C
DC forward current Periodischer Spitzenstrom
tp = 1ms
repetitive peak forward current
RRM
TRMSM
I
d
I
TSM
1600 V
45 A
75 A
500 A 400 A
I²t 1250 A²s
800 A²s
(di/dt)
cr
cr
120 A/µs
1000 V/µs
1200 V
50 A
100 A
300 W
± 20 V
1200 V
25 A
50 A
I
C
I
CRM
P
I
F
I
FRM
CES
tot
GE
RRM
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
prepared by: Ralf Jörke date of publication: 13.12.2000 approved by: Lothar Kleber revision: 1
BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 A 30/00 Seite/page 1(12)
RMS, f = 50Hz, t = 1min NTC connected to baseplate
V
ISOL
2,5 kV
Technische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor min. typ. max. Durchlaßspannung
Tvj = T
vj max
, iF = 75A
v
F
1,40 V
forward voltage Schleusenspannung
Tvj = T
vj max
V
(TO)
0,75 V
threshold voltage Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
r
T
9,1
forward slope resistance Zündstrom
Tvj = 25°C, vD = 6V
I
GT
150 mA
gate trigger current Zündspannung
Tvj = 25°C, vD = 6V
V
GT
2,5 V
gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung
Tvj = T Tvj = T
Tvj = T
, vD = 6V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
DRM
I
GD
5,0 mA 2,5 mA
V
GD
0,2 V
gate non-trigger voltage Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5
I
H
200 mA
holding current Einraststrom
latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK 20 iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs
Tvj = T
vj max
vD = V
, vR = V
DRM
Zündverzug DIN IEC 747-6 gate controlled delay time
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs Tvj = T
vRM = 100V, VDM = 0,67 V dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
7. Kennbuchstabe / 7th letter O 190 µs
vj max
, iTM = 50A
RRM
DRM
I
L
iD, i
t
gd
t
q
600 mA
R
1,2 µs
IGBT
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage
Gate-Emitter-Schwellspannung
Tvj = 25°C, iC = 50A, vGE = 15V Tvj = 125°C, iC = 50A, vGE = 15V
Tvj = 25°C, iC = 2mA, vGE = v
CE
v
CE sat
v
GE(TO)
2,10 2,80 V 2,45
4,5 5,5 6,5 V
gate-emitter threshold voltage Eingangskapazität
input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom
Gate-Emitter Reststrom
Tvj = 25°C, f0 = 1MHz, vCE = 25V, vGE = 0V
Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V
Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V
C
i
i
CES
GES
ies
3,3 nF
10 500 µA
500
400 nA
gate leakage current Emitter-Gate Reststrom
Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V
i
EGS
400 nA
gate-leakage current Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
TC = 25°C
R
AA`+KK`
lead resistance, terminals-chip
Schnelle Diode / Fast diode
Durchlaßspannung forward voltage
Sperrverzögerungsladung recovered charge
Tvj = 25°C, iF = 25A Tvj = 125°C, iF = 25A
iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, vR = 600V Tvj = 25°C Tvj = 125°C
v
F
1,65 2,20 V 1,55
Q
r
2,3 µAs 6,0 µAs
m
10 mA
1
m
BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 2(12)
Technische Information / Technical Information
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Temperatursensor / Temperature sensor
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect Transistor / Transistor, DC Schnelle Diode / Fast diode, DC
Gleichrichter / Rectifier Transistor / Transistor Schnelle Diode / Fast diode
R
R
T
thJC
thCK
vj max
max. 1,10 °C/W max. 0,35 °C/W max. 1,00 °C/W
max. 0,30 °C/W max. 0,20 °C/W max. 0,30 °C/W
125 °C
max. junction temperature Betriebstemperatur
T
c op
- 40...+125 °C
operating temperature Lagertemperatur
T
stg
- 40...+130 °C
storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage Seite 4 case, see appendix page 4
CTI 225 V comperative tracking index
Innere Isolation
Al2O
3
internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance ±15%
M1 4 Nm
mounting torque Gewicht G typ. 185 g
weight Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50 m/s²
vibration resistance
Nennwiderstand rated resistance
Verlustleistung
TC = 25°C R R
= 493 ± 5%
100
25
P
25
max. 20 mW
5
power dissipation B-Wert
R2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)] B
25/50
3375 K
B-value
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 3(12)
k
Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Seite/page 4(12)
Technische Information / Technical Information
[
]
[
]
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT Thyristor Module with Chopper-IGBT
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R C W
thn
° /
0,4090 0,3032 0,0508 0,0367
TD B6HK 74 N 16 RR
für DC, Gleichrichter
thJC
for DC, rectifier
thJC
N B6
τns
0,0300 0,0190 0,0140 0,0003
n
n
max
=
 
1:
thnthJC
1
t
τ
n
=
eRZFunktioneAnalytisch
 
BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 5(12)
Technische Information / Technical Information
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(vT)
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
150
140
130
120
110
100
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
Tvj = 125°C
[A]
T
i
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
vT [V]
Seite/page 6(12)
Technische Information / Technical Information
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur T
C
= f(Id)
Parameter: Stromrichterschaltung / converter circuit
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
150
140
130
120
110
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
100
[°C]
C
T
90
80
70
60
50
40
30
B2: 180°
sin
B6: 120°
rect
20
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Id [A]
Seite/page 7(12)
Technische Information / Technical Information
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
vjmax
RRM
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
TM
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
1000
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
250A
100A
50A
[µAs]
r
Q
20A
100
1 10 100
Tvj = T
BIP AM; R. Jörke
; vR = 0,5V
; vRM = 0,8V
- di/dt [A/µs]
19. Dez 00
Seite/page 8(12)
Technische Information / Technical Information
Transienter innerer Wärmewiderstand Gleichrichter / Transient thermal impedance rectifier Z
thJC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle
Θ
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
1,40
1,20
1,00
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
60° rect
120° rect
180° rect
180° sin
0,80
[°C/W]
thJC
Z
0,60
0,40
0,20
DC
0,00
0,001 0,01 0,1 1
t [s]
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Seite/page 9(12)
Technische Information / Technical Information
Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) / Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)
vGE = 15V,
iC = f(vCE)
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
100
90
80
70
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
Tvj = 25°C Tvj = 125°C
[A]
C
i
60
50
40
30
20
10
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4
vCE [V]
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Seite/page 10(12)
Technische Information / Technical Information
Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) / On-state characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
iF = f(vF)
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
50
40
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
[A]
F
i
30
20
10
Tvj = 25°CTvj = 125°C
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5
vF [V]
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Seite/page 11(12)
Technische Information / Technical Information
NTC-Temperaturkennlinie (typisch) / NTC-temperature characteristic (typical) R = f(T)
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
100
10
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
]
R [k
1
0,1
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
T [°C]
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Seite/page 12(12)
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application.
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.
Loading...