Technische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
Periodische Spitzensperrspannung
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
Tvj = - 40°C...T
vj max V
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I
RMS on-state current (per chip)
Ausgangsstrom
TC = 85°C
output current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
Tvj = T
8. Kennbuchstabe / 8th letter F
, tp = 10ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, vD = 0,67 V
vj max
DRM (dv/dt)
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 80°C
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
tp = 1ms
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung V
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Periodische Spitzensperrspannung V
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
TC = 80°C
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
tp = 1ms
repetitive peak forward current
RRM
TRMSM
I
d
I
TSM
1600 V
45 A
75 A
500 A
400 A
I²t 1250 A²s
800 A²s
(di/dt)
cr
cr
120 A/µs
1000 V/µs
1200 V
50 A
100 A
300 W
± 20 V
1200 V
25 A
50 A
I
C
I
CRM
P
I
F
I
FRM
CES
tot
GE
RRM
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
prepared by: Ralf Jörke date of publication: 13.12.2000
approved by: Lothar Kleber revision: 1
BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 A 30/00 Seite/page 1(12)
RMS, f = 50Hz, t = 1min
NTC connected to baseplate
V
ISOL
2,5 kV
Technische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor min. typ. max.
Durchlaßspannung
Tvj = T
vj max
, iF = 75A
v
F
1,40 V
forward voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
vj max
V
(TO)
0,75 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
r
T
9,1
forward slope resistance
Zündstrom
Tvj = 25°C, vD = 6V
I
GT
150 mA
gate trigger current
Zündspannung
Tvj = 25°C, vD = 6V
V
GT
2,5 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, vD = 6V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
DRM
I
GD
5,0 mA
2,5 mA
V
GD
0,2 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω
I
H
200 mA
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω
iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs
Tvj = T
vj max
vD = V
, vR = V
DRM
Zündverzug DIN IEC 747-6
gate controlled delay time
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
Tvj = T
vRM = 100V, VDM = 0,67 V
dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
7. Kennbuchstabe / 7th letter O 190 µs
vj max
, iTM = 50A
RRM
DRM
I
L
iD, i
t
gd
t
q
600 mA
R
1,2 µs
IGBT
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Emitter-Schwellspannung
Tvj = 25°C, iC = 50A, vGE = 15V
Tvj = 125°C, iC = 50A, vGE = 15V
Tvj = 25°C, iC = 2mA, vGE = v
CE
v
CE sat
v
GE(TO)
2,10 2,80 V
2,45
4,5 5,5 6,5 V
gate-emitter threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
Gate-Emitter Reststrom
Tvj = 25°C, f0 = 1MHz,
vCE = 25V, vGE = 0V
Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V
Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V
Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V
C
i
i
CES
GES
ies
3,3 nF
10 500 µA
500
400 nA
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom
Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V
i
EGS
400 nA
gate-leakage current
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
TC = 25°C
R
AA`+KK`
lead resistance, terminals-chip
Schnelle Diode / Fast diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = 25°C, iF = 25A
Tvj = 125°C, iF = 25A
iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, vR = 600V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
v
F
1,65 2,20 V
1,55
Q
r
2,3 µAs
6,0 µAs
mΩ
10 mA
1
mΩ
BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 2(12)
Technische Information / Technical Information
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Temperatursensor / Temperature sensor
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect
Transistor / Transistor, DC
Schnelle Diode / Fast diode, DC
Gleichrichter / Rectifier
Transistor / Transistor
Schnelle Diode / Fast diode
R
R
T
thJC
thCK
vj max
max. 1,10 °C/W
max. 0,35 °C/W
max. 1,00 °C/W
max. 0,30 °C/W
max. 0,20 °C/W
max. 0,30 °C/W
125 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
- 40...+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
- 40...+130 °C
storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage Seite 4
case, see appendix page 4
CTI 225 V
comperative tracking index
Innere Isolation
Al2O
3
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance ±15%
M1 4 Nm
mounting torque
Gewicht G typ. 185 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50 m/s²
vibration resistance
Nennwiderstand
rated resistance
Verlustleistung
TC = 25°C R
R
= 493Ω ± 5%
100
25
P
25
max. 20 mW
5
power dissipation
B-Wert
R2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)] B
25/50
3375 K
B-value
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 3(12)
kΩ
Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Seite/page 4(12)
Technische Information / Technical Information
[
]
[
]
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R C W
thn
° /
0,4090 0,3032 0,0508 0,0367
TD B6HK 74 N 16 RR
für DC, Gleichrichter
thJC
for DC, rectifier
thJC
N B6
τns
0,0300 0,0190 0,0140 0,0003
n
∑
n
max
=
1:
thnthJC
1
t
−
τ
n
−=
eRZFunktioneAnalytisch
BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 5(12)
Technische Information / Technical Information
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(vT)
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
150
140
130
120
110
100
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
Tvj = 125°C
[A]
T
i
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
vT [V]
Seite/page 6(12)
Technische Information / Technical Information
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur T
C
= f(Id)
Parameter: Stromrichterschaltung / converter circuit
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
150
140
130
120
110
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
100
[°C]
C
T
90
80
70
60
50
40
30
B2: 180°
sin
B6: 120°
rect
20
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Id [A]
Seite/page 7(12)
Technische Information / Technical Information
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
vjmax
RRM
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
TM
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
1000
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
250A
100A
50A
[µAs]
r
Q
20A
100
1 10 100
Tvj = T
BIP AM; R. Jörke
; vR = 0,5V
; vRM = 0,8V
- di/dt [A/µs]
19. Dez 00
Seite/page 8(12)
Technische Information / Technical Information
Transienter innerer Wärmewiderstand Gleichrichter / Transient thermal impedance rectifier Z
thJC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle
Θ
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
1,40
1,20
1,00
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
60° rect
120° rect
180° rect
180° sin
0,80
[°C/W]
thJC
Z
0,60
0,40
0,20
DC
0,00
0,001 0,01 0,1 1
t [s]
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Seite/page 9(12)
Technische Information / Technical Information
Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) / Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)
vGE = 15V,
iC = f(vCE)
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
100
90
80
70
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
Tvj = 25°C Tvj = 125°C
[A]
C
i
60
50
40
30
20
10
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4
vCE [V]
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Seite/page 10(12)
Technische Information / Technical Information
Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) / On-state characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
iF = f(vF)
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
50
40
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
[A]
F
i
30
20
10
Tvj = 25°CTvj = 125°C
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5
vF [V]
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Seite/page 11(12)
Technische Information / Technical Information
NTC-Temperaturkennlinie (typisch) / NTC-temperature characteristic (typical) R = f(T)
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
100
10
TD B6HK 74 N 16 RR N B6
]
Ω
R [k
1
0,1
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
T [°C]
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Seite/page 12(12)
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