Infineon TDB6HK74N16RR Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor

Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT

Thyristor Module with Chopper-IGBT

Periodische Spitzensperrspannung

TD B6HK 74 N 16 RR N B6

Tvj = - 40°C...T

vj max V

repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I

RMS on-state current (per chip) Ausgangsstrom

TC = 85°C

output current Stoßstrom-Grenzwert

surge current Grenzlastintegral

I²t-value Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = T

DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs

Tvj = T

8. Kennbuchstabe / 8th letter F

, tp = 10ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM (dv/dt)

IGBT

Kollektor-Emitter-Sperrspannung V collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom

TC = 80°C

DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom

tp = 1ms

repetitive peak collektor current Gesamt-Verlustleistung

TC = 25°C

total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung V

gate-emitter peak voltage

Schnelle Diode / Fast diode

Periodische Spitzensperrspannung V repetitive peak reverse voltage

Dauergleichstrom

TC = 80°C

DC forward current Periodischer Spitzenstrom

tp = 1ms

repetitive peak forward current

RRM

TRMSM

TSM

1600 V

45 A

75 A

500 A 400 A

I²t 1250 A²s

800 A²s

(di/dt)

120 A/µs

1000 V/µs

1200 V

50 A

100 A

300 W

± 20 V

1200 V

25 A

50 A

CRM

FRM

CES

tot

RRM

Isolations-Prüfspannung insulation test voltage

prepared by: Ralf Jörke date of publication: 13.12.2000 approved by: Lothar Kleber revision: 1

BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 A 30/00 Seite/page 1(12)

RMS, f = 50Hz, t = 1min NTC connected to baseplate

ISOL

2,5 kV

Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT

Thyristor Module with Chopper-IGBT

TD B6HK 74 N 16 RR N B6

Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor min. typ. max. Durchlaßspannung

Tvj = T

vj max

, iF = 75A

1,40 V

forward voltage Schleusenspannung

Tvj = T

vj max

(TO)

0,75 V

threshold voltage Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

9,1

forward slope resistance Zündstrom

Tvj = 25°C, vD = 6V

150 mA

gate trigger current Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

2,5 V

gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung

Tvj = T Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

5,0 mA 2,5 mA

0,2 V

gate non-trigger voltage Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω

200 mA

holding current Einraststrom

latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

Zündverzug DIN IEC 747-6 gate controlled delay time

Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time

Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs Tvj = T

vRM = 100V, VDM = 0,67 V dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs

7. Kennbuchstabe / 7th letter O 190 µs

vj max

, iTM = 50A

RRM

DRM

iD, i

600 mA

1,2 µs

IGBT

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage

Gate-Emitter-Schwellspannung

Tvj = 25°C, iC = 50A, vGE = 15V Tvj = 125°C, iC = 50A, vGE = 15V

Tvj = 25°C, iC = 2mA, vGE = v

CE sat

GE(TO)

2,10 2,80 V 2,45

4,5 5,5 6,5 V

gate-emitter threshold voltage Eingangskapazität

input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom

Gate-Emitter Reststrom

Tvj = 25°C, f0 = 1MHz, vCE = 25V, vGE = 0V

Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V

Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V

CES

GES

ies

3,3 nF

10 500 µA

500

400 nA

gate leakage current Emitter-Gate Reststrom

Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V

EGS

400 nA

gate-leakage current Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip

TC = 25°C

AA`+KK`

lead resistance, terminals-chip

Schnelle Diode / Fast diode

Durchlaßspannung forward voltage

Sperrverzögerungsladung recovered charge

Tvj = 25°C, iF = 25A Tvj = 125°C, iF = 25A

iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, vR = 600V Tvj = 25°C Tvj = 125°C

1,65 2,20 V 1,55

2,3 µAs 6,0 µAs

mΩ

10 mA

mΩ

BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 2(12)

Technische Information / Technical Information

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Temperatursensor / Temperature sensor

Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT

Thyristor Module with Chopper-IGBT

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

TD B6HK 74 N 16 RR N B6

Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect Transistor / Transistor, DC Schnelle Diode / Fast diode, DC

Gleichrichter / Rectifier Transistor / Transistor Schnelle Diode / Fast diode

thJC

thCK

vj max

max. 1,10 °C/W max. 0,35 °C/W max. 1,00 °C/W

max. 0,30 °C/W max. 0,20 °C/W max. 0,30 °C/W

125 °C

max. junction temperature Betriebstemperatur

c op

- 40...+125 °C

operating temperature Lagertemperatur

stg

- 40...+130 °C

storage temperature

Gehäuse, siehe Anlage Seite 4 case, see appendix page 4

CTI 225 V comperative tracking index

Innere Isolation

Al2O

internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung

Toleranz / tolerance ±15%

M1 4 Nm

mounting torque Gewicht G typ. 185 g

weight Kriechstrecke 12,5 mm

creepage distance Schwingfestigkeit

f = 50Hz

50 m/s²

vibration resistance

Nennwiderstand rated resistance

Verlustleistung

TC = 25°C R R

= 493Ω ± 5%

100

max. 20 mW

power dissipation B-Wert

R2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)] B

25/50

3375 K

B-value

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 3(12)

kΩ

Technische Information / Technical Information

Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT

Thyristor Module with Chopper-IGBT

TD B6HK 74 N 16 RR N B6

BIP AM; R. Jörke

19. Dez 00

Seite/page 4(12)

+ 9 hidden pages