Infineon TDB6HK205N12 Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK) NB6

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600, 1800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

non-repetitive peak forward off-state voltage 1600, 1800 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS on-state current (per chip)

Ausgangsstrom

output current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current
Grenzlastintegral

I²t-value
Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage

TC = 85°C

TC = 84°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)

Tvj = 25°C, tp = 10ms

Tvj = T

, tp = 10ms

vj max

Tvj = 25°C, tp = 10ms

Tvj = T

, tp = 10ms

vj max

DIN IEC 747-6 (di/dt)
f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs

Tvj = T

, vD = 0,67 V

vj max

8. Kennbuchstabe / 8th letter F

DRM

V

DRM

V

DSM

V

RSM

I

TRMSM

I

d

, V

RRM

1200, 1400 V

1200, 1400 V

1300, 1500 V

120 A

205 A
208 A

55 A

82 A
153 A
186 A

I

TSM

1500 A
1300 A

I²t 11250 A²s

8450 A²s

120 A/µs

(dv/dt)

cr

cr

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung

on-state voltage
Schleusenspannung

threshold voltage
Ersatzwiderstand

slope resistance
Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage

Haltestrom

holding current
Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents

Tvj = T

, iT = 200A

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj =T

vj max

Tvj = 25°C, vD = 6V

Tvj = 25°C, vD = 6V

Tvj = T

, vD = 6V

vj max

Tvj = T

, vD = 0,5 V

vj max

Tvj = T

, vD = 0,5 V

vj max

Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω

Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω
iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

DRM

DRM

RRM

v

V

r

I

GT

V

I

GD

V

I

H

I

L

iD, i

T

(TO)

T

max. 1,64 V

0,95 V

2,2

mΩ

max. 150 mA

GT

max. 2,5 V

max. 5,0 mA
max. 2,5 mA

GD

max. 0,2 V

max. 200 mA

max. 600 mA

R

max. 20 mA

MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 A /99 Seite/page 1(6)

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK) NB6

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Zündverzug
gate controlled delay time

Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

DIN IEC 747-6 t
Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs

Tvj = T

, iTM = 50A

vj max

vRM = 100V, VDM = 0,67 V
dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs

7. Kennbuchstabe / 7th letter O

RMS, f = 50Hz, t = 1min V
RMS, f = 50Hz, t = 1sec

pro Modul / per module, Θ = 120°rect
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC

pro Modul / per module R
pro Element / per chip

DRM

t

R

T

T

T

gd

q

ISOL

thJC

thCK

vj max

c op

stg

max. 1,2 µs

typ. 190 µs

3,0 kV
3,6 kV

max. 0,068 °C/W
max. 0,410 °C/W

max. 0,057 °C/W
max. 0,340 °C/W

max. 0,033 °C/W
max. 0,200 °C/W

125 °C

- 40...+125 °C

- 40...+130 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3

Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated

typ.

Al

2O3

300 g

50 m/s²

Innere Isolation
internal insulation

Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung

Toleranz / tolerance ±15%

M1 6 Nm

mounting torque

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse

Toleranz / tolerance +5% / -10%

M2 6 Nm

terminal connection torque
Gewicht G

weight
Kriechstrecke 12,5 mm

creepage distance
Schwingfestigkeit

f = 50Hz

vibration resistance

Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung

mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.

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Phase Control Thyristor Module

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MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 3(6)