Infineon TDB6HK124N16RR Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor

Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT

Thyristor Module with Chopper-IGBT

Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I
RMS on-state current (per chip)

Ausgangsstrom
output current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage

IGBT

Kollektor-Emitter-Sperrspannung V
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current

Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
repetitive peak collektor current

Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation

Gate-Emitter Spitzenspannung V
gate-emitter peak voltage

Schnelle Diode / Fast diode

Periodische Spitzensperrspannung V
repetitive peak reverse voltage

Dauergleichstrom
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current

Modul

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

TD B6HK 124 N 16 RR N B6

Tvj = - 40°C...T

TC = 85°C

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs

Tvj = T

8. Kennbuchstabe / 8th letter F

TC = 80°C

tp = 1ms

TC = 25°C

TC = 80°C

tp = 1ms

RMS, f = 50Hz, t = 1min
NTC connected to baseplate

vj max V

, tp = 10ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM (dv/dt)

RRM

TRMSM

I

d

I

TSM

1600 V

70 A

125 A

650 A
550 A

I²t 2100 A²s

1500 A²s

(di/dt)

cr

cr

120 A/µs

1000 V/µs

1200 V

70 A

150 A

400 W

± 20 V

1200 V

35 A

70 A

2,5 kV

I

C

I

CRM

P

I

F

I

FRM

V

CES

tot

GE

RRM

ISOL

prepared by: Ralf Jörke date of publication: 13.12.2000
approved by: Lothar Kleber revision: 1

BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 A 32/00 Seite/page 1(12)

Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT

Thyristor Module with Chopper-IGBT

TD B6HK 124 N 16 RR N B6

Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor min. typ. max.
Durchlaßspannung

Tvj = T

vj max

, iF = 100A

v

F

1,35 V

forward voltage
Schleusenspannung

Tvj = T

vj max

V

(TO)

0,75 V

threshold voltage
Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

r

T

6,3

forward slope resistance
Zündstrom

Tvj = 25°C, vD = 6V

I

GT

150 mA

gate trigger current
Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

V

GT

2,5 V

gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

DRM

I

GD

5,0 mA
2,5 mA

V

GD

0,2 V

gate non-trigger voltage
Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω

I

H

200 mA

holding current
Einraststrom

latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω
iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

Zündverzug DIN IEC 747-6
gate controlled delay time

Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time

Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip

Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
Tvj = T

vRM = 100V, VDM = 0,67 V
dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs

7. Kennbuchstabe / 7th letter O 190 µs
TC = 25°C

vj max

, iTM = 50A

RRM

DRM

I

L

iD, i

t

gd

t

q

R

600 mA

R

1,2 µs

AA`+KK`

lead resistance, terminals-chip

IGBT

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage

Gate-Emitter-Schwellspannung

Tvj = 25°C, iC = 70A, vGE = 15V
Tvj = 125°C, iC = 70A, vGE = 15V

Tvj = 25°C, iC = 3mA, vGE = v

CE

v

CE sat

v

GE(TO)

2,05 2,75 V
2,40

4,5 5,5 6,5 V

gate-emitter threshold voltage
Eingangskapazität

input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom

Tvj = 25°C, f0 = 1MHz,
vCE = 25V, vGE = 0V

Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V
Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V

Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V

C

i

i

CES

GES

ies

5,1 nF

10 500 µA

500

400 nA

gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom

Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V

i

EGS

400 nA

gate-leakage current

Schnelle Diode / Fast diode

Durchlaßspannung
forward voltage

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Tvj = 25°C, iF = 35A
Tvj = 125°C, iF = 35A

iFM = 35A, -di/dt = 900A/µs, vR = 600V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

v

F

1,85 2,40 V
1,75

Q

r

3,6 µAs
7,6 µAs

mΩ

10 mA

1

mΩ

BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 2(12)

Technische Information / Technical Information

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Temperatursensor / Temperature sensor

Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT

Thyristor Module with Chopper-IGBT

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

TD B6HK 124 N 16 RR N B6

Gleichrichter / Rectifier , Θ = 120°rect
Transistor / Transistor, DC
Schnelle Diode / Fast diode, DC

Gleichrichter / Rectifier
Transistor / Transistor
Schnelle Diode / Fast diode

R

R

T

thJC

thCK

vj max

max. 0,63 °C/W
max. 0,25 °C/W
max. 0,80 °C/W

max. 0,25 °C/W
max. 0,16 °C/W
max. 0,24 °C/W

125 °C

max. junction temperature
Betriebstemperatur

T

c op

- 40...+125 °C

operating temperature
Lagertemperatur

T

stg

- 40...+130 °C

storage temperature

Gehäuse, siehe Anlage Seite 4
case, see appendix page 4

Innere Isolation

Al2O

3

internal insulation
CTI 225 V

comperative tracking index
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung

Toleranz / tolerance ±15%

M1 4 Nm

mounting torque
Gewicht G typ. 185 g

weight
Kriechstrecke 12,5 mm

creepage distance
Schwingfestigkeit

f = 50Hz

50 m/s²

vibration resistance

Nennwiderstand
rated resistance

Verlustleistung

TC = 25°C R
R

= 493Ω ± 5%

100

TC = 25°C P

5

25

25

max. 20 mW

kΩ

power dissipation
B-Wert

R2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)] B

25/50

3375 K

B-value

Kühlkörper / heatsinks :

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.

BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 3(12)

Technische Information / Technical Information

Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT

Thyristor Module with Chopper-IGBT

TD B6HK 124 N 16 RR N B6

BIP AM; R. Jörke

19. Dez 00

Seite/page 4(12)