Infineon TT570N, TD570N Data Sheet
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Kenndaten
Module
Elektrische Eigenschaften
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
TT570N
TT570N TD570N
TT570N...-A
= -40°C... T
T
vj
Tvj = -40°C... T
Tvj = +25°C... T
TC = 87°C I
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
Tvj = T
6.Kennbuchstabe / 6
vj max
vj max
vj max
, tP = 10 ms
vj max
, tP = 10 ms
vj max
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
GM
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
th
letter F
V
DRM,VRRM
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
TAVM
I
TSM
I²t
/dt)
(di
T
/dt)
(dv
D
1000
1400
1000
1400
1100
1500
1200
1600VV
1200
1600VV
1300
1700VV
900 A
570 A
17000
14000AA
1445000
980000
cr
cr
A²s
A²s
200 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, iT = 1700 A v
vj max
vj max
vj max
Tvj = 25°C, vD = 6 V I
Tvj = 25°C, vD = 6 V V
Tvj = T
T
vj
Tvj = T
= T
, vD = 6 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
DRM
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω I
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
i
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
GM
Tvj = T
vj max
vD = V
DRM
, vR = V
RRM
DIN IEC 747-6
T
= 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
vj
V
r
T
GT
I
GD
V
H
I
L
iD, i
t
gd
T
(TO)
GT
GD
max.
1,53 V
0,9 V
0,27 mΩ
max.
max.
max.
max.
250 mA
2,2 V
105mA
mA
max. 0,25 V
max. 300 mA
max. 1500 mA
R
max. 140 mA
max. 4 µs
prepared by:
C.Drilling date of publication: 19.12.02
approved by: J. Novotny
BIP AC / 08 Dec 1995, A.Rüther
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revision: 1
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Module
TT570N
T
= T
vj max
, iTM = I
TAVM
DRM
th
letter O
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
t
V
R
R
T
T
T
q
thJC
thCH
vj max
c op
stg
ISOL
typ. 250 µs
3,0
3,6
max.
0,0325
max.
0,0650
max.
0,0310
max.
0,0620
max.
max.
0,01
0,02
135
-40...+135 °C
-40...+140 °C
kV
kV
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
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AlN
Toleranz / Tolerance ± 15% M1 6 Nm
Toleranz / Tolerance ± 10% M2 12 Nm
DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
G typ. 1500 g
19 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
file-No. E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Maßbild
Maßbild
Maßbild
Module
TT570N
12 3
45 76
TT
12 3
45
TD
12 3
45 76
TT-A
BIP AC / 08 Dec 1995, A.Rüther
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S
=
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
R,T – Werte
Di
R,T-Werte
Pos. n1234567
R
[°C/W] 0,00137 0,00486 0,0114 0,0223 0,0221
thn
τn [s] 0,00076 0,0086 0,101 0,56 3,12
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytische Funktion / Analytical function:
Module
Analytical elements of transient thermal impedance Z
TT570N
=
thJC
n
max
S
n=1
für DC
thJC
for DC
thnthJC
– t
t
n
- e1RZ
Luftselbstkühlung / Natural cooling
1 Modul pro Kühlkörper / 1 module per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (120W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n1234567
R
[°C/W] 0,00944 0,0576 0,568
thn
τn [s] 2,61 28,1 1300
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
1 Modul pro Kühlkörper / 1 module per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650N)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n1234567
R
[°C/W] 0,0064 0,0566 0,168
thn
τn [s] 4,1 24,7 395
thCA
thCA
thCA
thCA
Analytische Funktion / Analytical function:
BIP AC / 08 Dec 1995, A.Rüther
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n
max
n=1
thnthCA
– t
t
n
- e1RZ
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