Infineon TT330N, TD330N Data Sheet
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Module
TT330N
TT330N TD330N
DRM
th
letter C
th
letter F
DRM,VRRM
1200
1400
1600V V
V
DSM
1200
1400
1600V V
RSM
1300
1500
1700V V
TRMSM
I
TAVM
520 A
330 A
9100
I
TSM
I²t
414000
320000
(di
/dt)cr
T
(dv
/dt)cr
D
A
8000
A
A²s
A²s
250 A/µs
V/µs
1000
= -40°C... T
T
vj
Tvj = -40°C... T
Tvj = +25°C... T
V
vj max
vj max
V
vj max
I
TC = 85°C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
, tP = 10 ms
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
= T
T
vj
, tP = 10 ms
vj max
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
Tvj = T
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
GM
, vD = 0,67 V
vj max
6.Kennbuchstabe / 6
6.Kennbuchstabe / 6
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, iT = 800 A
vj max
vT
V
vj max
r
vj max
(TO)
T
Tvj = 25°C, vD = 6 V IGT
Tvj = 25°C, vD = 6 V VGT
Tvj = T
T
vj
Tvj = T
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω I
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
i
GM
Tvj = T
v
D
DIN IEC 747-6
T
vj
, vD = 6 V
vj max
= T
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
V
DRM
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
vj max
= V
DRM
, vR = V
RRM
= 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
I
GD
max. 0,2 V
GD
max. 300 mA
H
max. 1200 mA
I
L
, iR max. 70 mA
i
D
t
max. 3 µs
gd
max.
1,44 V
0,80 V
0,60 mΩ
max.
max.
max.
max.
200 mA
2V
105mA
mA
prepared by:
C.Drilling
approved by: M. Leifeld
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Module
TT330N
DRM
th
letter O
t
q
V
ISOL
R
thJC
R
thCH
vj max
c op
-40...+135 °C
stg
T
= T
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dv
5.Kennbuchstabe / 5
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
T
T
T
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AlN
Toleranz / Tolerance ± 15% M1 5 Nm
Toleranz / Tolerance ± 10% M2 12 Nm
DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
G typ. 800 g
17 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
file-No. E 83336
, iTM = I
vj max
/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
D
TAVM
typ. 250
max.
max.
max.
max.
-40...+135 °C
max.
max.
page 3
3,0
3,6
0,059
0,117
0,056
0,111
0,02
0,04
135
µs
kV
kV
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT330N
Maßbild
Maßbild
Maßbild
12 3
45 76
TT
12 3
45
TD
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N
Σ
=
τ
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT330N
R,T – Werte
Di
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
für DC
thJC
for DC
thJC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,0031 0,0097 0,0259 0,0359 0,0366
thn
τn [s] 0,0009 0,008 0,11 0,61 3,06
n
Analytische Funktion / Analytical function:
max
=
n=1
Σ
thnthJC
– t
τ
n
- e1RZ
Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17
(45W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
thCA
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 1,6 0,0726 0,0174
thn
τn [s] 1400 30 2
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
(Papst 4650N)
thCA
thCA
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,475 0,08 0,015
thn
τn [s] 458 40,4 4,11
n
Analytische Funktion / Analytical function:
max
thnthCA
n=1
– t
n
- e1RZ
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