Infineon T348N Data Sheet

Marketing Information
T 348 N

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

ø3,5 x 2 deep
on both sides

ø23

C

A

ø23

HK

plug

G

2,8 x 0,8

VWK Aug. 1996

T 348 N

Elektrische EigenschaftenElectrical propertie

s

Höchstzulässige WerteMaximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

Charakteristische WerteCharacteristic value

s

Thermische EigenschaftenThermal propertie

s

Mechanische EigenschaftenMechanical propertie

s

Spitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 77°C 382 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 4000 A

vj max

Grenzlastintegral

I2t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms 80000

vj max

vD≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

vL = 10 V, iGM= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

V

DRM

V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

I2t

(diT/dt)

(dv/dt)

, V

= V

= V

RRM

DRM

RRM

200 400 600 V

200 400 600 V

250 450 650 V

600 A
348 A

4600 A

106000

A2s
A2s

cr

cr

200 A/µs

1000 V/µs

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 1100 A v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR= V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

DC max. 0,092 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin
DC max. 0,17 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin
DC max. 0,205 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

einseitig/one-sided max. 0,03 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

V
r

T

GT

GD

V
I

H

I

L

iD, i

gd

q

R

R

R

vj max

c op

stg

T

T(TO)

GT

GD

thJC

thJC(A)

thJC(K)

thCK

max. 1,92 V

1 V

0,7

mΩ

max. 150 mA

max. 2 V

max. 10 mA

max. 0,25 V

max. 200 mA
max. 800 mA

R

max. 20 mA

max. 3 µs

typ. 200 µs

max. 0,1 °C/W

max. 0,18 °C/W

max. 0,213 °C/W

max. 0,015 °C/W

140 °C

-40...+140 °C

-40...+140 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 2,5...5 kN
Gewicht weight G typ. 70 g
Kriechstrecke creepage distance 17 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-151 A4

T 348 N

1600

1200

i

T

[A]

800

400

0

T 348 N / 1

1 21,50,5

Bild / Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie / Limitig on-state characteristic
iT = f(vT), t

= t

vj

vj max

140

120

t

C

[°C]

700

180 °

P
[W]

TAV

600

400

Θ

0

60 °

θ = 30 °

120 °

90 °

300

200

100

[V]

v

T

2,5

0

T 348 N / 2

100

200

300

400 500

[A]

I

TAV

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

TAV

= f(I

TAV

)

140

120

t

C

[°C]

80

60

40

20

0 Θ

0

T 348 N / 3

θ = 30°

100 200 300

60°

90° 120° 180°

Bild / Fig. 3
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC = f(I
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

140

120

t

A

[°C]

80

60

I

TAVM

[A]

80

60

40

400

20

0 Θ

0

T 348 N / 4

θ = 30°

100 200 300

60°

90° 120° 180°

[A]

I

TAVM

400

Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC = f(I
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

140

t

A

[°C]

120

Θ

0

Θ

0

80

60

40

20

0

T 348 N / 5

50 100 150

θ = 30° 60° 90°

I

TAVM

[A]

Bild / Fig. 5
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperature tA = f(I
Luftselbstkühlung / Natural air cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.36S
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

120°

180°

200

40

20

0

T 348 N / 6

θ = 30° 60° 90°

100 200 300

120°

I

TAVM

180°

[A]

Bild / Fig. 6
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperature tA = f(I
Verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: KO.12 F, VL = 50 I/s
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

400