Infineon T281N Data Sheet

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Kenndaten

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage

Fehler! Kein Thema angegeben.

Elektrische Eigenschaften

Vorläufige Daten

T281N

T

= +25°C... T

vj

Tvj = +25°C... T

Tvj = +25°C... T

I

TC = 85 °C
T

= 60 °C

C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

, tP = 10 ms

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

, tP = 10 ms

vj max

DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i

Tvj = T

, vD = 0,67 V

vj max

5.Kennbuchstabe / 5

V

vj max

V

vj max

V

vj max

I

I

I²t

(di

= 3 A, diG/dt = 6 A/µs

GM

DRM

th

letter F

(dv

DRM,VRRM

DSM

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

/dt)cr

T

/dt)cr

D

Preliminary data

6500 V

6600 V

6600 V

600 A

280
380A A

5800
4800

168
115

150 A/µs

1000 V/µs

A
A

10³ A²s
10³ A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Durchlaßkennlinie
on-state characteristic

TTT

Zündstrom
gate trigger current

Zündspannung
gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage

Haltestrom
holding current

Einraststrom
latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current

Zündverzug
gate controlled delay time

Tvj = T

, iTM = 500 A vT

vj max

Tvj = T

Tvj = T

T

vj

iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

T

V

vj max

r

vj max

= T

A=

vj max

(TO)

T

max. 2,75 V

1,35 V

2,8 mΩ

B=
C=
D=

-2,617E-02
3,447E-03
4,376E-01

-7,459E-02

Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT max. 350 mA

Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max. 2,5 V

Tvj = T
T

vj

Tvj = T

= T

, vD = 12 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

max.

I

DRM

V

DRM

GD

max. 0,4 V

GD

max. 2010

mA
mA

Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA

Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
i

= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

GM

Tvj = T
v

D

= V

vj max

DRM

, vR = V

RRM

DIN IEC 60747-6
T

= 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

vj

max. 3000 mA

I

L

, iR max. 300 mA

i

D

max. 2,5 µs

t

gd

Gehäusegrenzstrom nicht spezifiziert / case non rupture current not specified

prepared by:

M.Droldner date of publication: 27.10.05

approved by: J.Przybilla

BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner

revision: 1

1/8 Seite/page

N

g

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Rückstromspitze
peak reverse recovery current

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Fehler! Kein Thema angegeben.

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

Vorläufige Daten

T281N

T

= T

vj

vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dv

4.Kennbuchstabe / 4
Tvj = T
vRM = 100 V, -diT/dt = 10 A/µs

Tvj = T
vRM = 100 V, -diT/dt = 10 A/µs

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseiti

T

T

T

, iTM = 500A

vj max

/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

D

, iTM = 500A

vj max

, iTM = 500A

vj max

/ single-sides

th

letter O

DRM

t

q

Q

r

I

RM

R

thJC

R

thCH

vj max

-40...+125 °C

c op

-40...+150 °C

stg

Preliminary data

typ. 1000 µs

typ. 2600 µAs

typ. 85 A

max.
max.
max.
max.

max.
max.

0,043
0,040
0,072
0,090

0,006
0,012

125 °C

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft
clamping force

Steueranschlüsse
control terminals

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Seite 3

page 3

F 7...12 kN

Gate
Kathode /Cathode

G typ. 250 g

25 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

Ø 1,5 x 3,2

A 4,8 x 0,4

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

mm
mm

BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner

2/8 Seite/page

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Maßbild

T281N

Fehler! Kein Thema angegeben.

Vorläufige Daten

Preliminary data

12

BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner

4 5

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

3: Gate

4: Hilfskathode/

Cathode

(control terminal)

3/8 Seite/page