Infineon T271N Data Sheet
Marketing Informa tion
T 271 N
SW41 /M24 x 1,5
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
HK
70mm². Cu
M24 x 1,5
C
HK
G
A
ø3,2 x 15
SW41
VWK Aug. 1996
T 271 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
2000 2200 2400
2000 2200 2400
2100 2300 2500
Charakteristische Werte
Characteristic values
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
2500
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t
tvj = -40°C...t
vj max
vj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I
tc = 52°C 414 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I
tvj = t
, tp = 10 ms 7000 A
vj max
Grenzlastintegral
I2 t-value
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t
, tp = 10 ms 245000
vj max
vD ≤ 67%, v
, f = 50 Hz
DRM
f = 50 Hz, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t
, vD = 67% V
vj max
DRM
5. Kennbuchstabe/5th letter C 500 V/µs
5. Kennbuchstabe/5th letter F 1000 V/µs
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
, iT = 400 A v
vj max
vj max
vj max
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
, vD = 6 V I
vj max
tvj = t
, vD = 0,5 V
vj max
vj max
, vD = 0,5 V
DRM
DRM
tvj = 25 °C, vD = 12 V, RA = 5,6 Ω
tvj = 25 °C,vD = 12 V, RGK > 10 Ω
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t
vj max, vD
= V
DRM
, vR = V
RRM
Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t
V
DSM
V
RSM
TRMSM
TAVM
TSM
I2 t
(diT/dt)
(dv/dt)
T
V
T(TO)
r
T
GT
GT
GD
V
GD
I
H
I
L
iD, i
R
gd
q
= V
DRM
= V
RRM
cr
cr
2500
2600
650 A
270 A
7500 A
281000
A2s
A2s
60 A/µs
max. 2,35 V
1,07 V
0,87
mΩ
max. 250 mA
max. 1,5 V
max. 20 mA
max. 10
max. 0,4 V
max. 250 mA
max. 1500 mA
max. 50 mA
max. 2,2 µs
typ. 300 µs
V
V
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Θ =180° el, sin
R
thJC
max. 0,091 °C/W
DC max. 0,085 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink R
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t
thCK
vj max
c op
stg
max. 0,02 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anzugsdrehmoment tightening torque M 60 Nm
Gewicht, Bauform E weight, case design E G typ. 600 g
Kriechstrecke creepage distance 12 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached
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