Infineon T2710N Data Sheet
Technische Information / Technical Information
Phase Control Thyristor
T 2710 N 16...22
m
Ω
D=9,53181E-03
Ω
Ω
SZ-M / 01.06.99, K.-A. Rüther
A 113/99
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Netz-Thyristor
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties Vorläufige Daten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Preliminary Data
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
1600, 1800 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 2000, 2200
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
DSM
1600, 1800 V
non-repetitive peak foward off-state voltage 2000, 2200
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...T
vj max
V
RSM
1700. 1900 V
non-repetitive peak reverse voltage 2100, 2300
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
TRSMSM
5800 A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
TC = 85°C
TC = 61°C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs
Tvj = T
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
I
TAVM
2710 A
3700 A
I
TSM
54000 A
50000 A
I²t 14580 A²s*10³
12500 A²s*10³
200 A/µs
1000 V/µs
(dvD/dt)
cr
cr
critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, iT = 11000 A
vj max
, iT = 3000 A
vj max
vj max
v
V
T
T(TO)
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
r
T
slope resistance
Durchlaßkennlinie
Tvj = T
vj max
A=1,09532
on-state voltage B=8,255E-05
vT = A + B x iT + C x ln (iT + 1 ) + D x √ i
Zündstrom
T
Tvj = 25°C, vD = 6 V
C=-7,06279E-02
I
GT
gate trigger current
Zündspannung
Tvj = 25°C, vD = 6V
V
GT
gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, vD = 6 V
vj max
vj max,vD
vj max,vD
= 0,5 V
= 0,5 V
DRM
DRM
I
GD
V
GD
gate non-trigger voltage
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5
I
H
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>= 10
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs
Tvj = T
vj max
vD = V
, vR = V
DRM
Tvj = 25°C
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
RRM
I
L
iD, i
gd
R
max. 2,35 V
max. 1,30 V
0,9 V
0,125
max. 300 mA
max. 2,5 V
max. 10 mA
max. 5 mA
max. 0,25 mV
max. 300 mA
max. 1500 mA
max. 250 mA
max. 4 µs
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2710 N 16 ... 22
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties Vorläufige Daten
Charakteristische Werte / Characteristic values Preliminary Data
Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time
Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 Aµs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
vj max
, iTM=I
TAVM
DRM
t
q
typ. 300 µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand
beidseitig / two-sided, Θ =180°sin
beidseitig / two-sided, DC max.0,0078 °C/W
Anode / anode, Θ =180°sin
Anode / anode, DC max.0,0146 °C/W
Kathode / cathode, Θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC max.0,0169 °C/W
Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max.0,0025 °C/W
einseitig / single-sided max.0,0050 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
thJC
thCK
vj max
c op
stg
max.0,0085 °C/W
max.0,0152 °C/W
max.0,0183 °C/W
125 °C
-40...125 °C
-40...150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
Anpreßkraft F 42...95 kN
clamping force
Gewicht G typ. 1200 g
weight
Kriechstrecke 33 mm
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040 C
f = 50Hz 50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ This technical Information specifies semiconductor devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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