Infineon T2709N Data Sheet
Marketing Information
T 2709 N
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
+0,1
ø3,5
x 3,5 deep
on both sides
ø75
ø75
Cathode
Anode
plug A
4,8 x 0,8
3
plug A
2,8 x 0,8
VWK Nov. 1996
T 2709 N
Elektrische Eigenschaften Electrical properties
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
I
5800
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
tc = 85°C
I
2709Atc = 61°C
3700
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
tvj = 25°C, t
= 10 ms
I
54000
A 1)
tvj = t
, tp = 10 ms
50000
A 1)
Grenzlastintegral
I2 t-value
tvj = 25°C, t
= 10 ms
I2 t
14,58 · 10
6A2
s
tvj = t
, tp = 10 ms
12,5 · 10
6A2
s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6, f = 50 Hz
(diT/dt)cr200
A/µs
IGM = 1 A, di
/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
tvj = t
, vD = 0,67 V
(dvD/dt)
Durchlaßspannung
on-state voltage
tvj = t
, iT = 11000 A
vTmax. 2,35
V
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = t
V
0,9VErsatzwiderstand
slope resistance
tvj = t
rT0,125mΩ
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25 °C, v
= 6 V
IGTmax. 250
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25 °C, v
= 6 V
VGTmax. 2
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = t
, vD = 6 V
IGDmax. 10
mA
tvj = t
, vD = 0,5 V
max. 5
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = t
, vD = 0,5 V
VGDmax. 0,25
V
Haltestrom
holding current
tvj = 25 °C, v
= 6 V, R
= 5 ΩIHmax. 300
mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,v
= 6 V, R
> = 10
Ω
ILmax. 1500
mA
iGM = 1 A, di
/dt = 1 A/µs, t
= 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
tvj = t
iD, iRmax. 250
mA
vD = V
, vR = V
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6, t
= 25°C
tgdmax. 4
µs
iGM = 1 A, di
/dt = 1 A/µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
tvj = t
, iTM = I
tq vRM = 100 V, v
= 0,67 V
-diT/dt = 20 A/µs, -di
/dt=10A/µs
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction
Kühlfläche/cooling surface
R
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche/cooling surface
R
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
125°CBetriebstemperatur
operating temperature
t
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
t
-40...+150
°C
Höchstzulässige Werte Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und
Rückwärts-Spitzensperrspannung
VorwärtsStoßspitzensperrspannung
Rückwärts-
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
non-repetitive peak forward off-state
voltage
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t
Stoßspitzensperrspannung
tvj = -40°C...t
tvj = -40°C...t
vj max
vj max
vj max
V
DRM
V
DSM
V
RSM
TRMSM
TAVM
, V
RRM
1600 1800
2000 2200
1600 1800
2000 2200
1700 1900
2100 2300
V
V
V
Charakteristische Werte Characteristic values
vj max
vj max
vj max
p
p
G
DRM
TSM
cr
5.Kennbuchstabe/5th letter F 1000 V/µs
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
DRM
vj max
D
D
DRM
DRM
D
D
G
G
DM
A
GK
g
RRM
vj
TAVM
DRM
T
T(TO)
4.Kennbuchstabe/4th letter O typ. 300 µs
Thermische Eigenschaften Thermal properties
thJC
to case beidseitig/two-sided, Θ =180° sin max. 0,0085 °C/W
beidseitig/two-sided, DC max. 0,0078 °C/W
thCK
beidseitig/two-sided max. 0,0025 °C/W
einseitig /single-sided max. 0,0050 °C/W
vj max
c op
stg
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt,
Amplifying-Gate,verzweigt
Si-pellet with pressure contact,
amplifying gate, interdigitated
Anpreßkraft clamping force F 42...95 kN
Gewicht weight G typ. 1200 g
Kriechstrecke creepage distance 30 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Gehäuse case Titelseite / front page
1
) Gehäusegrenzstrom 38 kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 38 kA (50Hz sinusoidal half-wave).
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