Infineon T2563N Data Sheet

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elekt ri sch e Eig ens chaft en / Electric al prop erti es

Höchstzul ässige Werte / Maximum rated val ues
Periodisch e R üc kwärts-S pitzensper r span nu ng

Kenndaten

repetiti ve p eak an d re vers e volt ages

Periodisch e R üc kwärts-S pitzensper r span nu ng
repetiti ve p eak re verse voltag es

Durchlaßstrom-Grenzeffekti vwert
ma xi mu m R MS o n- stat e cur r ent

Dauergr enzstr om
aver ag e on-sta te cur r ent

Stoßstro m- Grenz wert
sur g e current

Grenzlastin teg r al
I²t- value

Kritische Str omst eilheit
critical rate of rise o f o n-stat e curre nt

Kritische S pannu ngs steilh ei t
cr i tical r ate of r i se o f of f-stat e volt age

Charakteristisch e Werte / Ch ar acteristic values
Schutzzündspannung (statisch)
Protecti ve br e ak over volt age

Durchl aßspa nnung
on-stat e voltag e

Schl eusens pann ung
threshold voltag e

Ersatzwi dersta nd
sl ope r esist anc e

Durchl aßkennlinie on-sta te c har ac ter isti c

minimale Zündlichtleistung
minimum gate trigger light power

Haltestrom
holding curre nt

Einraststro m
latchi ng curren t

Rückwärts-Sperrstrom
rever se bl oc king current

Zünd verzug
gate controlled delay time

prepar ed b y: C. Schn eid er dat e of publicati o n: 2005- 04- 1 5

appro ved b y: J. Przybilla revision: 9

BIP AM / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller

Elektrische Eigenschaften

TTT

T2563N

Tvj = - 40°C... T

Tvj = 0°C... T

I

TC = 85 °C
TC = 60 °C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T

DIN IEC 60 747- 6
f = 50 Hz, PLM = 40mW, t

Tvj = T

5.Ke nn buc hsta be / 5

Tvj = 25°C … Tvj

Typischer Degradationsfaktor ist 0,16%/K
für Tvj = 0°C..25°C
Typical de-rating factor of 0,16%/K is
applicable for T

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

T

Tvj = 25°C, vD = 150V IGT ma x. 40 mW

Tvj = 25°C IH max. 100 mA

Tvj = 25°C, vD = 150 V,
PLM = 4 0mW, t

Tvj = T
vR = V

DIN IEC 60 747- 6
T

vj

PLM = 40 mW, t

rise

DRM

th

let ter H

= 0,5µ s

V

vj max

V

vj max

, tP = 10 ms

vj max

, tP = 10 ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

max

= 0°C..25°C

vj

, iT = 6000A, vD = 150V vT

vj max

V

vj max

r

vj max

vj max

= 0, 5µ s

rise

vj max

RRM

= 25 °C, vD = 10 00V ,

= 0,5µ s

rise

7500 8000 V

RRM

7700 8200 V

RRM

5600 A

TRMSM

I

2520

TAVM

I

93000

TSM

I²t 432 50

(diT/dt)cr 300 A/µ s

(dvD/dt)cr

VBO min. 7500 V

typ.

typ.

(TO)

ma x.

ma x.

typ.

T

ma x.

typ.

A -0,00607
B 0,0 001 81
C 0,1 62
D 0,0 034 2

ma x.

A -0,00503
B 0,0 001 87
C 0,1 60
D 0,0 057 0

IL ma x. 1 A

iR max. 900 mA

tgd ma x. 5 µs

V

V

3570 A A

A

90000

A

10³ A²s

40500

10³ A²s

2000 V/µs

2,7 5
2,9 5 V V

1,2 3

V

1,2 8

V

0,2 53

mΩ

0,2 78

mΩ

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N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elekt r i sch e Eig ens ch af t en / Electric al prop erti es

Charakteristisch e Werte / Ch ar acteristic values

Fr eiwerdezeit
circuit commutated turn-off ti me

Sperr verzög eru ngsladu ng
recovere d charge

Rückstr omspitze
peak re vers e r eco ver y cur r ent

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junc tion to c ase

Übergang s-Wärmewi dersta nd
thermal resistance, case to heatsin k

Höchstzul ässige Sp errschichttemperatur
maxi mu m ju ncti on temperat ure

Betr iebs temper atur
opera ti ng temperat ure

Lager te mper atur
storage t emper at ure

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

T2563N

DRM

RRM

RRM

tq

typ. 550 µs

Qr

IRM

R

thJ C

R

thC H

120 °C

vj max

-40...+1 20 °C

c op

-40...+1 50 °C

stg

ma x. 22 mAs

max. 400 A

ma x.

0,0 048

ma x.

0,0 045

ma x.

0,0 082

ma x.

0,0 100

ma x.

0,0 01

ma x.

0,0 02

Tvj = T
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 1 0 A/µs

4.Ke nn buc hsta be / 4th lett er O
Tvj = T

iTM = I
VR = 0,5V

Tvj = T
iTM = I
VR = 0,5V

Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided, θ = 1 80°sin
beids eitig / two-sided, D C

Ano de / ano de, DC
Kath ode / c at hod e, DC

Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided
einsei ti g / sing l e- side d

T

T

T

, iTM = I

vj max

vj max

TAVM

vj max

TAVM

TAVM

, -diT/dt = 1 0 A/µs

, VRM = 0, 8V

RRM

, -diT/dt = 1 0 A/µs

, VRM = 0, 8V

RRM

°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

Mech anis che Eigen schaft en / Mech anic al properties

Geh äuse , si e he Anl ag e
case, s ee an ne x

Si-Element mit Druc kkont a kt
Si-pellet with press ure co ntac t

Anpress kra ft
cl ampi ng for ce

Gewic ht
wei g ht

Kriechstrecke
cr eepag e di sta nce

Schwingfestigkeit
vibra tion r esistanc e

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F 90.. .13 0 kN

G typ. 4000 g

49 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

BIP AM / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Maßbild

T2563N

1 2

BIP AM / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller

4.1

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

4.1: Gate

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