Infineon T2509N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Vorläufige Daten

Preliminary Data

*10

3

*10

3

m

Ω

Durchlaßkennlinie

Tvj = T

A= 0,8648

on-state voltage

B= 4,2106E-5

Ω

1) 600 V auf Anfrage

SZ-MA / 15.09.98, K.-A.Rüther

A 113 / 98

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Phase Control Thyristor

T 2509 N 02 ...04

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

RRM

200 400 V

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 600 V 1) Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

200 400 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 600 V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

250 450 V

non-repetitive peak reverse voltage 650 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

4900 A

RMSM on-state current Dauergrenzstrom

average on-state current Stoßstrom-Grenzwert

surge current Grenzlastintegral

I²t-value Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

TC = 85 °C TC = 65 °C

Tvj = 25°C, tp = 10 ms Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = T

f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A diG/dt = 1 A/µs

Tvj = T

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

I

TAVM

2509 A 3120 A

I

TSM

46000 A 2) 42000 A

I²t 10.580 A²s

8.820 A²s 200 A/µs

1000 V/µs

(dvD/dt)

cr

critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung

Tvj = T

, iT = 6000 A

vj max

on-state voltage Schleusenspannung

Tvj = T

vj max

threshold voltage Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

slope resistance

vj max

vT = A + B x iT + C x ln (iT + 1) + D x √ i

Zündstrom

T

Tvj = 25°C, vD = 6 V

gate trigger current Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

gate trigger voltage Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max

vj max,vD

= 0,5 V

DRM

gate non-trigger voltage Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5

holding current Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>=10 iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs tg = 20 µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

RRM

Zündverzug DIN IEC 747-6 t gate controlled delay time

Tvj = 25°C iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

v

T

V

T(TO)

r

T

C=-3,6019E-2 D= 5,4357E-3 I

GT

V

GT

I

GD

V

GD

I

H

I

L

iD, i

R

gd

max. 1,22 V

0,75 V

0,072

max. 250 mA

max. 1,5 V

max. 10 mA max. 5 mA

max. 0,2 mV

max. 300 mA

max. 1200 mA

max. 150 mA

max. 4 µs

2) Gehäusegrenzstrom 32 kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 32 kA (50Hz sinusoildal half - wave).

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Vorläufige Daten

Preliminary Data

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

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Phase Control Thyristor

T 2509 N 02...04

N

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit circuit commutatet turn-off time

Tvj = T vRM =100V, vDM = 0,67 V dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 200 µs

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

thJC

thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, Ž=180°sin max. 0,0184 °C/W

beidseitig / two-sided, DC max. 0,0170 °C/W Anode / anode, Ž=180°sin max. 0,0344 °C/W Anode / anode, DC max. 0,0330 °C/W Kathode / cathode, Ž=180°sin max. 0,0364 °C/W Kathode / cathode, DC max. 0,0350 °C/W

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R

thJK

thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0025 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0050 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T

vj max

140 °C

max. junction temperature Betriebstemperatur T

c op

-40...140 °C

operating temperature Lagertemperatur T

stg

-40...150 °C

storage temperature

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft F 24 ...56 kN clamping force

Gewicht G typ. 540 g weight

Kriechstrecke 32 mm creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s² vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

A113/98

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

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Phase Control Thyristor

T 2509 N 02 .. 04

N

A113 / 98

Zn. Nr.: 1

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

τ

n

Σ

τ

n=1

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Seite/page 4 (23)

Phase Control Thyristor

Kühlung

cooling

beidseitig

two-sided

anodenseitig

anode-sided

kathodenseitig

cathode-sided

thJC

N

für DC

T 2509 N 02...04

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical ementes of transient thermal impedanceZ

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7

R

thn

n [s]

thn

n [s]

thn

n [s]

[°C/W]

0,00022 0,0011 0,00102 0,00283 0,00608 0,00575

0,00136 0,00306 0,0139 0,0662 0,512 1,49

0,00065 0,0019 0,00239 0,00381 0,00425 0,02

0,0016 0,0091 0,0791 0,26 1,736 7,21

0,00055 0,00206 0,00604 0,00551 0,02084

0,0014 0,00857 0,154 2,58 7,007

thJC

for DC

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

))

n

A 113/98

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Durchlaßkennlinie / 0n-state characteristic i

= f(v

)

SZ-M / 15.09.98, K.-A.Rüther

Seite/page 5 (23)

Phase Control Thyristor

10.000

9.000

8.000

7.000

6.000

T 2509 N 02 ... 04

N

[A]

T

i

5.000

4.000

3.000

2.000

1.000

0

0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6

T

vj

= Tvj

max

A 113/98

vT [V]

Z. Nr.: 2

T

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Parameter: Stromflußwinkel

Θ

/ current conduction angle

Θ

Phase Control Thyristor

5000

4000

3000

T 2509 N 02... 04

90°

60°

30°

N

180°

120

[W]

TAV

P

2000

1000

0

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500

SZ-M / 15.09.98, K.-A.Rüther

A 113/98

I

TAV

[A]

TAV

Z.Nr.: 3 Seite/page 6(23 )

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Phase Control Thyristor

160

140

120

100

T 2509 N 02... 04

N

[°C]

C

T

80

60

40

Θ = 30°

60°

90°

120°

180°

20

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500

I

[A]

TAVM

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-M / 15.09.98, K.-A.Rüther

A 113/98

C

TAVM

Z.Nr.: 4 Seite/page 7(23)

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Phase Control Thyristor

160

140

120

100

T 2509 N 02 ... 04

N

[°C]

C

T

80

60

40

Θ =

60°

90°

120°

180°

20

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500

I

[A]

TAVM

Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-M / 15.09.98, K.-A.Rüther

A 113/98

C

TAVM

Z.Nr.: 5 Seite/page 8(23)