Infineon T2476N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Phase Control Thyristor

T 2476 22...28

1)

m

Ω

D=2,4542E-03

Ω

Ω

1)

Gehäusegrenzstrom 38 kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 38kA (50 Hz sinusodial half-wave)

SZ-M / 01.06.99 , K.-A. Rüther

A 110/99

Seite/page 1

Netz-Thyristor

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties Vorläufige Daten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Preliminary Data
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

RRM

2200, 2400 V

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 2600, 2800
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

2200, 2400 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 2600, 2800
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

2300, 2500 V

non-repetitive peak reverse voltage 2700, 2900
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

5100 A

RMSM on-state current
Dauergrenzstrom

average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert

surge current
Grenzlastintegral

I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

TC = 85°C
TC = 65°C

Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs

Tvj = T

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

I

TAVM

2476 A
3250 A

I

TSM

47500 A
43500 A

I²t 11045 A²s*10³

9460 A²s*10³

200 A/µs

1000 V/µs

(dvD/dt)

cr

cr

critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung

on-state voltage
Schleusenspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, iT = 6500 A

vj max

, iT = 3000 A

vj max

vj max

v

V

T

T(TO)

threshold voltage
Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

r

T

slope resistance
Durchlaßkennlinie

Tvj = T

vj max

A=0,8249
on-state voltage B=1,398E-04
vT = A + B x iT + C x ln (iT + 1 ) + D x √ i

Zündstrom

T

Tvj = 25°C, vD = 6 V

C=8,03563E-03

I

GT

gate trigger current
Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

V

GT

gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max
vj max,vD

vj max,vD

= 0,5 V
= 0,5 V

DRM

DRM

I

GD

V

GD

gate non-trigger voltage
Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5

I

H

holding current
Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents

Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>= 10
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

Tvj = 25°C
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

RRM

I

L

iD, i

gd

R

max. 2,00 V
max. 1,43 V

0,95 V

0,154

max. 250 mA

max. 2,5 V

max. 10 mA
max. 5 mA

max. 0,25 mV

max. 300 mA

max. 1500 mA

max. 250 mA

max. 4 µs

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 2476 22...28

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties Vorläufige Daten

Charakteristische Werte / Characteristic values Preliminary Data
Freiwerdezeit

circuit commutatet turn-off time

Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 Aµs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

typ. 400 µs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case

Übergangs- Wärmewiderstand

beidseitig / two-sided, Θ =180°sin
beidseitig / two-sided, DC max.0,0078 °C/W

Anode / anode, Θ =180°sin
Anode / anode, DC max.0,0146 °C/W

Kathode / cathode, Θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC max.0,0169 °C/W

Kühlfläche / cooling surface R

thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max.0,0025 °C/W

einseitig / single-sided max.0,0050 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature

Betriebstemperatur T
operating temperature

Lagertemperatur T
storage temperature

thJC

thCK

vj max

c op

stg

max.0,0085 °C/W

max.0,0152 °C/W

max.0,0183 °C/W

125 °C

-40...125 °C

-40...150 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate

Anpreßkraft F 42...95 kN
clamping force

Gewicht G typ. 1450 g
weight

Kriechstrecke 30 mm
creepage distance

Feuchteklasse
humidity classification

Schwingfestigkeit
vibration resistance

DIN 40040 C

f = 50Hz 50 m/s²

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ This technical Information specifies semiconductor devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

SZ-M / 01.06.99 , K.-A. Rüther A 110/99 Seite/page 2

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

SZ-M / 01.06.99 , K.-A. Rüther

Zn. Nr.: 1

Seite/page 3

Phase Control Thyristor

T 2476 N 22 ... 28

N

A 110/99

Technische Information / Technical Information

τ

τ

τ

n

Σ

τ

n=1

SZ-M / 01.06.99 , K.-A. Rüther

Seite/page 4

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

Kühlung
cooling

beidseitig
two-sided

anodenseitig
anode-sided

kathodenseitig
cathode-sided

thJC

N

für DC

T 2476 N 22 ... 28

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedance Z

thJC

for DC

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
R

R

R

thn

n [s]

thn

n [s]

thn

n [s]

[°C/W]

[°C/W]

[°C/W]

0,000030 0,00039 0,00123 0,0028 0,00338
0,000055 0,00392 0,0152 0,2068 1,0914

0,000009 0,000371 0,0019 0,0013 0,00434 0,00668
0,000010 0,001820 0,00951 0,135 0,347 1,54

0,000032 0,000728 0,00302 0,00802 0,0051
0,000035 0,00341 0,0215 0,135 1,11

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

))

n

A 110/99

Technische Information / Technical Information

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i

= f(v

)

Tvj = 125 °C

SZ-M / 01.06.99 , K.-A. Rüther

Z. Nr.: 2

Seite/page 5

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

12.000

10.000

8.000

T 2476 N 22...28

N

[A]

T

i

6.000

4.000

2.000

0

0,5 1 1,5 2 2,5 3

A 110/99

vT [V]

T

T

Technische Information / Technical Information

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

8000

7000

6000

5000

T 2476 N 22... 28

60°

Θ = 30°

N

180°

120°

90°

[W]

TAV

P

4000

3000

2000

1000

0

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500

Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ

SZ-M / 01.06.99 , K.-A. Rüther

A 110/99

I

[A]

TAV

TAV

TAV

Z.Nr.: 3 Seite/page 6

Technische Information / Technical Information

Θ

Berechnungsgrundlage P

( Schaltverluste gesondert berücksichtigen)

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 2476 N 22...28

N

[°C]

80

C

T

60

40

Θ = 30°

60°

90°

120°

180°

20

0 1000 2000 3000 4000

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC=f(I
Beidseitige Kühlung / Two sided cooling

Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

TAV

Calculation base P

SZ-M / 01.06.99 , K.-A. Rüther

(switching losses shold be considered separately)

TAV

A 110/99

I

TAVM

[A]

)

TAVM

Z.Nr.: 4 Seite/page 7

Technische Information / Technical Information

Berechnungsgrundlage P

( Schaltverluste gesondert berücksichtigen)

Calculation base P

(switching losses shold be considered separately)

Θ

= 30°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 2476 N 22... 28

N

80

[°C]

A

T

60

40

90°

120°

60°

180°

20

0 100 200 300 400 500

I

[A]

TAVM

Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature TA = f (I
Luftselbstkühlung / Natural air-cooling

Kühlkörper / Heatsink. K 0.48 F
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ

TAV

TAV

SZ-M / 01.06.99 , K.-A. Rüther

A 110/99

)

TAVM

Z.Nr.: 5 Seite/page 8