Infineon T2451N Data Sheet

Marketing Information T 2451 N

European PowerSemiconductor and Electronics Company

+0,1

ø5 on both sides

x 4,5

+0,6

deep

100

150

HK A 6,3 x 0,8

max. 5

G A4,8x0,8

-0,3

VWK Aug. 1996

T 2451 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and

reverse voltages

3600 3800

4000 4200

voltage

3600 3800

4000 4200

Stoßspitzensperrspannung

3700 3900

4100 4300

Charakteristische Werte

Characteristic values

currents

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

beidseitige Kühlung

for two-sided cooling

max. 0,0060

°C/W

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Si-Elemente mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

F63...91

Gewicht

weight

Gtyp. 3000

Kriechstrecke

creepage distance

33mm

Feuchteklasse

humidity classification

DIN 40040

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz

m/s²

Maßbild, anliegend

outline, attached

) Gehäusegrenzstrom 40 kA (Sinushalbwelle 50 Hz)/Current limit of case 40 kA (sinusoidal half-wave 50 Hz)

tvj = -40°C...t

vj max

DRM

, V

RRM

V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state Rückwärts-

non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 62°C 3400 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = t tvj = 25°C, tp = 10 ms tvj = t vD ≤ 67%, v

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10 ms

vj max

, f = 50 Hz

DRM

iGM= 1,5 A, diG/dt = 1,5 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t Schleusenspannung threshold voltage tvj = t Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, vD = 67% V

vj max

, iT = 10 kA v

vj max vj max vj max

DRM

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t

tvj = t Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t Haltestrom holding current Einraststrom latching current

tvj = 25 °C, vD = 12 V, RA = 4,7 Ω

tvj = 25 °C,vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω

, vD = 6 V I

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM DRM

iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse

tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

= V

DSM

DRM

= V

RSM

RRM

TRMSM TAVM

TSM

5300 A 2450 A

650001)

570001)

I2 t 21 . 106A2s

16 . 106A2s

(diT/dt)

(dv/dt)

T(TO)

T GT

50 A/µs

1000 V/µs

max. 3,05 V

1,17 V

0,176

mΩ

max. 300 mA

max. 2,5 V

max. 20 mA

max. 10 mA V I

iD, i

max. 0,4 V

max. 350 mA

max. 2000 mA

max. 430 mA

V V

A A

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

Innerer Wärmewiderstand für

thermal resistance, junction to case

Θ =180° el, sin

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t

Betriebstemperatur operating temperature t Lagertemperatur storage temperature t

gd q

vj max c op stg

thJC

thCK

max. 2,3 µs

typ. 370 µs

max. 0,0064 °C/W

max. 0,0015 °C/W

120 °C

-40...+120 °C

-40...+150 °C

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