Infineon T2401N Data Sheet
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elekt ri sch e Eig ens chaft en / Electric al prop erti es
Höchstzul ässige Werte / Maximum rated val ues
Periodisch e V orw är ts- un d Rüc kwärts- Spi tz e nsperrspannu ng
Kenndaten
repetiti ve p eak f or ward off-sta te an d r evers e volt ages
Periodisch e V orw är ts- un d Rüc kwärts- Spi tz e nsperrspannu ng
repetiti ve p eak f or ward off-sta te an d r evers e volt ages
Durchlaßstrom-Grenzeffekti vwert
ma xi mu m R MS o n- stat e cur r ent
Dauergr enzstr om
aver ag e on-sta te cur r ent
Stoßstro m- Grenz wert
sur g e current
Grenzlastin teg r al
I²t- value
Kritische Str omst eilheit
critical rate of rise o f o n-stat e curre nt
Kritische S pannu ngs steilh ei t
cr i tical r ate of r i se o f of f-stat e volt age
Charakteristisch e Werte / Ch ar acteristic values
Durchl aßspa nnung
on-stat e voltag e
Schl eusens pann ung
threshold voltag e
Ersatzwi dersta nd
sl ope r esist anc e
Durchlaßkennlinie
on-stat e c haract eri sti c
Zündstr om
gate trig ger current
Zünds pa nnung
gate trig ger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate n on-tr i g ger volt ag e
Haltestrom
holding curre nt
Einraststro m
latchi ng curren t
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward o ff-stat e and r e verse c urrent
Zünd verzug
gate controlled delay time
prepar ed b y:
C. Schneid er dat e of publicati o n: 2005- 04- 1 5
appro ved b y: J. Przybilla
Elektrische Eigenschaften
TTT
T 2401N
Tvj = - 40°C... T
Tvj = 0°C... T
I
TC = 85 °C
TC = 60 °C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
DIN IEC 60 747- 6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
Tvj = T
5.Ke nn buc hsta be / 5
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
T
Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT max. 350 mA
Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max. 2,5 V
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA
Tvj = 25°C, vD = 1 2 V , RGK ≥ 10 Ω
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µ s, tg = 20 µ s
Tvj = T
vD = V
DIN IEC 60 747- 6
T
= 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µ s
vj
V
vj max
DRM,VRRM
4800
5200
V
vj max
DRM,VRRM
4950
5350
5970 A
TRMSM
I
2750
TAVM
I
70000
, tP = 10 ms
vj max
TSM
I²t 245 00
, tP = 10 ms
vj max
(diT/dt)cr 300 A/µ s
, vD = 0,67 V
vj max
, iT = 4000A
vj max
V
vj max
DRM
th
let ter H
(dvD/dt)cr
vT
typ.
(TO)
ma x.
ma x.
r
vj max
typ.
T
ma x.
vj max
typ.
A 0,6 006
B 0,0 000 65 2
C -0,00632
D 0,0 181
ma x.
A 0,6 59
B 0,0 000 69 4
C -0,00642
D 0,0 199 2
, vD = 12 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
V
DRM
IGD ma x.
ma x.
max. 0,4 V
GD
IL ma x. 3 A
vj max
DRM
, vR = V
RRM
iD, iR max. 600 mA
tgd ma x. 2 µs
revision: 7
typ.
5000
V
V
5150
V
V
3800 A A
A
67000
A
10³ A²s
22000
10³ A²s
2000 V/µs
1,9 5
2,1 V V
1,0 3
1,0 9 V V
0,2 30
mΩ
0,2 53
mΩ
20
mA
10
mA
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elekt ri sch e Eig ens chaft en / Electric al prop erti es
Charakteristisch e Werte / Ch ar acteristic values
Fr eiwerdezeit
circuit commutated turn-off ti me
Sperr verzög eru ngsladu ng
recovere d charge
Rückstr omspitze
peak re vers e r eco ver y cur r ent
Thermische E igenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junc tion to c ase
Übergang s-Wärmewi dersta nd
thermal resistance, case to heatsin k
Höchstzul ässige Sp errschichttemperatur
maxi mu m ju ncti on temperat ure
Betr iebs temper atur
opera ti ng temperat ure
Lager te mper atur
storage t emper at ure
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
T 2401N
DRM
RRM
RRM
tq
max 350 µs
Qr
ma x. 13 mAs
IRM
max. 280 A
R
thJ C
R
thC H
125 °C
vj max
-40...+1 25 °C
c op
-40...+1 50 °C
stg
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
0,0 054
0,0 05
0,0 09
0,0 112
0,0 015
0,0 03
Tvj = T
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 1 0 A/µs
4.Ke nn buc hsta be / 4th lett er O
Tvj = T
iTM = I
VR = 0,5V
Tvj = T
iTM = I
VR = 0,5V
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided, θ = 1 80°sin
beids eitig / two-sided, D C
Ano de / ano de, DC
Kath ode / c at hod e, DC
Kühlfläc he / cooling surface
beids eitig / two-sided
einsei ti g / sing l e- side d
T
T
T
, iTM = I
vj max
vj max
TAVM
vj max
TAVM
TAVM
, -diT/dt = 1 0 A/µs
, VRM = 0, 8V
RRM
, -diT/dt = 1 0 A/µs
, VRM = 0, 8V
RRM
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Mechan is che Eig en sch af t en / Mech an ic al p rop e rt ies
Geh äuse , si e he Anl ag e
case, s ee an ne x
Si-Element mit Druc kkont a kt
Si-pellet with press ure co ntac t
Anpress kra ft
cl ampi ng for ce
Steu eransc hlüss e
control t er min als
Gewic ht
wei g ht
Kriechstrecke
cr eepag e di sta nce
Schwingfestigkeit
vibra tion r esistanc e
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F 63.. .91 kN
DIN 46244 G ate
Kathode /Cat hode
G typ. 3000 g
49 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
A 4, 8 x0,8
A 6, 3x0,8
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Maßbild
T 2401N
12
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
4 5
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
Cathode
(control terminal)
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