Infineon T218N Data Sheet

Marketing Information
T 218 N

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

ø3,5 x 2 deep
on both sides

ø23

C

A

ø23

HK

plug

G

2,8 x 0,8

VWK Aug. 1996

T 218 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

600 800 1000 1200

600 800 1000 1200

700 900 1100 1300

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

1400 1600 1800

V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 75°C 255 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 3400 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms 58000

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

vL=10 V, iGM= 0,75 A, diG/dt =0,75 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 800 A v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM =0,75 A, diG /dt =0,75 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM =0,75 A,diG/dt =0,75 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

I2 t

(diT/dt)

(dv/dt)

T

V

T(TO)

r

T

GT

GT

GD

V

GD

I

H

I

L

iD, i

R

gd

q

= V

= V

DRM

RRM

1400 1600 1800

1500 1700 1900

V

V

400 A
218 A

3800 A

72000

A2s
A2s

cr

cr

150 A/µs

1000 V/µs

max. 2,2 V

0,9 V

1,35

mΩ

max. 150 mA

max. 2 V

max. 10 mA

max. 0,25 V

max. 200 mA
max. 800 mA

max. 30 mA

max. 4,5 µs

typ. 200 µs

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,111 °C/W

DC max. 0,103 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(A)

max. 0,174 °C/W

DC max. 0,166 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(K)

max. 0,274 °C/W

DC max. 0,266 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided max. 0,015 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,030 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

125 °C

-40...+125 °C

-40...+140 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 2,5...5 kN
Gewicht weight G typ. 70 g
Kriechstrecke creepage distance 17 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outlines, attached DIN 41814-151A4

T 218 N

2000

i

T

[A]

1500

tvj=25°C tvj=125°C

1000

500

a

0

0

T 218 N / 1

1 2 3 4

Bild / Fig. 1
Durchlaßkennlin ie / On-sta te characteristic iT = f(vT)
a -Typis che Kennlin ien / typical characteris tics
b -Grenzkennl inien / limiting c haracteris tics

120

100

t

C

[°C]

80

500

180°

120°

90°

P
[W]

TAV

400

0 Θ

60°

Θ = 30°

300

200

b

vT [V]

100

0

0 200

T 218 N / 2

100

I

TAV

[A]

300

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustle istung / O n-state power los s P
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

TAV

= f(I

TAV

)

120

0 Θ 0 Θ

100

t

C

[°C]

80

60

40

20

0

T 218 N / 3

Θ = 30° 60° 9 0° 120° 180°

100 200 300

I

TAVM

Bild / Fig. 3
Höchstzuläs sige Gehä use tempe ratur / Max. allowable c ase temperature
tC = f(I
Bei dseitege Kühlung / Two-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflu ßwink el / Current conduction angle θ

120

100

t

A

[°C]

80

60

40

Θ = 3 0° 60° 90° 120° 180°

[A]

60

40

20

0 200

T 218 N / 4

Θ = 30° 60° 90° 1 20 ° 180°

100

I

TAVM

300

[A]

Bild / Fig. 4
Höchstz ulässi ge Gehäusetemperatur / Max. all owable case temperature
tC = f(I
Anodenseitige Kühlu ng / Anode-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

120

Θ

0

100

t

A

[°C]

Θ

0

80

60

40

Θ = 30°

60°

90°

120° 180°

20

0

20 40 80 120 140

T 218 N / 5

60 100 160

I

TAVM

Bild / Fig. 5
Höchzuläs sig e Kühlmittel temperatur / Max. allowable c ooling mediu m
temperatur tA = f(I
Luftselbstk ühlung / Natural ai r-cooling

TAVM

)

Kühlkö rper / Heatsi nk: K0. 36S
Parameter: Stromflu ßwink el / Current conduction angle θ

[A]

20

0

T 218 N / 6

100 200 300

I

TAVM

Bild / Fig. 6
Höchzuläs sige Kühlmitteltemperatur / Max. all owable co oling medium
temperatur tA = f(I
Verstärkte Luftkühlu ng / Forced air cool ing

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.12F, VL = 50 l/s
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

[A]