Infineon T 2156 N, T 2159 N Data Sheet
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
VWK Nov. 1996
Marketing Information
T 2156 N / T 2159 N
3
Anode
ø75
ø75
Cathode
G
plug 2,8 x 0,8
HK
plug 4,8 x 0,8
ø3,5
+0,1
x 3,5 deep
on both sides
3
Anode
ø75
ø75
Cathode
G
plug 2,8 x 0,8
HK
plug 4,8 x 0,8
ø3,5
+0,1
x 3,5 deep
on both sides
T 2159 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
repetitive peak forward off-state and
tvj = -40°C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
2000 2200 2400
V
1)
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
tvj = -40°C...t
vj max
V
DSM
2000 2200 2400
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t
vj max
V
RSM
2100 2300 2500
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
TRMSM
4600 A
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I
TAVM
2159 A
tc = 64°C 2930 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I
TSM
44000
A
1)
tvj = t
vj max
, tp = 10 ms 40000 A
Grenzlastintegral
I2 t-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
I2 t 9,68 · 106A2s
tvj = t
vj max
, tp = 10 ms
8 · 106A2s
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6, f= 50 Hz, (diT/dt)
cr
150 A/µs
vL=10 V, iGM= 1,6 A, diG/dt = 1,6 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t
vj max
, vD =0,67 V
DRM
(dvD/dt)cr
5.Kennbuchstabe/5th letter C 500 V/µs
5.Kennbuchstabe/5th letter F 1000 V/µs
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
vj max
, iT = 8800 A v
T
max. 2,65 V
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
vj max
V
T(TO)
1,05 V
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
vj max
r
T
0,154
mΩ
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
GT
max. 300 mA
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
GT
max. 300 V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
vj max
, vD = 6 V I
GD
max. 10 mA
tvj = t
vj max
, vD = 0,5 V
DRM
max. 5 mA
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
vj max
, vD = 0,5 V
DRM
V
GD
max. 0,25 V
Haltestrom holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
I
H
max. 300 mA
Einraststrom latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, R
GK
≥ 10 Ω
I
L
max. 1500 mA
iGM = 1,6 A, diG /dt = 1,6 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t
vj max, vD
= V
DRM
, vR = V
RRM
iD, i
R
max. 250 mA
Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6, tvj=25°C, iGM=1,6 A,
diG/dt=1,6 A/µs
t
gd
max. 300 µs
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj=t
vj max
, iTM=i
TAVM
, vRM=100 V,
vDM=0,67v
DRM
, dvD/dt=20V/µs,-
diT/dt=10A/µs, 4.Kennbuchstabe/4th
t
q
typ. 250 µs
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche/cooling surface R
thJC
beidseitig/two-sided, Θ =180° sin
0,0099 °C/W
beidseitig/two-sided, DC 0,0092 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche/cooling surface R
thCK
beidseitig/two-sided 0,0025 °C/W
einseitig/single-sided 0,005 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
vj max
125 °C
Betriebstemperatur operating temperature t
c op
-40...+125 °C
Lagertemperatur storage temperature t
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-
Si-pellet with pressure contact, amplifying
Anpreßkraft clamping force F 42...95 kN
Gewicht weight G typ. 1200 g
Kriechstrecke creepage distance 25 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Gehäuse case Titelseite / front page
1)
Gehäusegrenzstrom 36 kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 36 kA (50Hz sinusoidal half-wave).
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