Infineon T2101N Data Sheet

Marketing Information
T 2101 N

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

C

HK

G

+0,1

ø 3,5

x 4,5

2 centerholes

120

A

HK
A 6,3 x 0,8

max. 5

G
A 4,8 x 0,8

75

-0,3

26.06.1997

Netz Thyristor

T 2101 N

vj maxVDRM

RRM

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften Electrical properties

Höchstzulässige Werte Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts- repetitive peak forward off-state and tvj = -40°C...t
Spitzensperrspannung reverse voltages f = 50 Hz 2500 2600 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C, f = 50 Hz I

tc = 60°C, f = 50 Hz 3100 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 45 kA

Grenzlastintegral

I2 t-value

vj max

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms

vj max

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 (diT/dt)

f = 50 Hz, iGM= 2 A, diG/dt = 4 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

5. Kennbuchstabe / 5th letter F

, V

TRMSM

TAVM

TSM

2000 2200 2400 V

5000 A
2200 A

48 kA

I2 t 11,5 · 106A2s

10,1 · 106A2s

150 A/µs

1000 V/µs

(dv/dt)

cr

cr

Charakteristische Werte Characteristic values typ. max.

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
Durchlaßrechenkennlinien on-state characteristics for calculation tvj = t
VT = A + B · iT + C · ln(iT + 1) + D · i

T

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t
Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 t

Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj = t

Sperrverzögerungsladung recovered charge tvj = t

Rückstromspitze peak reverse recovery current tvj = t

, iT = 2 kA v

vj max

vj max

vj max

vj max

T

V

T(TO)

r

T

A 0,71 0,712

1,08 1,2 V
0,85 0,92 V

0,115 0,139

B 0,0000604 0,0000706
C -0,0169 -0,004
D 0,00848 0,00856

max. 300 mA

max. 2,5 V

20 mA
10 mA

0,4 V

350 mA

max. 2 A

, vD = 6 V I

vj max

tvj = t

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

DRM

tvj = 25 °C, vD = 12 V, RA = 4,7 Ω
tvj = 25 °C,vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω

GT

GT

GD

V

GD

I

H

I

L

iGM = 2 A, diG /dt = 4 A/µs, tg = 20 µs

= V

vj max, vD

DRM

, vR = V

RRM

iD, i

gd

R

200 mA

2 µs

tvj=25°C, iGM = 2 A, diG/dt = 4 A/µs

, iTM = I

vj max

TAVM

vRM = 100 V, vDM = 0,67 V

DRM

t

q

typ. 250 µs

dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O
Sodertyp / specisl type S 25 max. 250 µs

vj max

Q

r

max. 8 mAs
ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/µs
VR = 0,5 V

vj max

, VRM = 0,8 V

RRM

RRM

I

RM

280 A
ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/µs
VR = 0,5 V

, VRM = 0,8 V

RRM

RRM

mΩ

Thermische Eigenschaften Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand für thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

beidseitige Kühlung two-sided cooling DC max. 0,0100 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided R
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

R

vj max

c op

stg

thJC

thCK

max. 0,0107 °C/W

max. 0,0025 °C/W

125 °C

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Mechanische Eigenschaften Mechanical properties

Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 36...52 kN
Gewicht weight G typ. 1700 g
Kriechstrecke creepage distance 33 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.