Infineon T201N Data Sheet
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
prepared by:
J. Przybilla
approved by: R. Keller
Elektrische Eigenschaften
TTT
T 201N
T
Tvj = 0°C... T
I
TC = 85 °C
T
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
Tvj = T
5.Kennbuchstabe / 5
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
T
iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
T
Tvj = 25°C, vD = 6 V IGT max.
Tvj = 25°C, vD = 6 V VGT max.
Tvj = T
T
Tvj = T
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω I
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
i
Tvj = T
v
DIN IEC 60747-6
T
= -40°C... T
vj
= 60 °C
C
= T
vj
vj max
= T
vj
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
= T
vj
vj max
vj max
= T
vj
vj max
vj max
= 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
GM
vj max
= V
, vR = V
D
DRM
= 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
vj
V
vj max
V
vj max
, tP = 10 ms
, tP = 10 ms
= 3 A, diG/dt = 6 A/µs
GM
, vD = 0,67 V
, iT = 500A
V
r
, vD = 6 V
, vD = 0,5 V
, vD = 0,5 V
RRM
DRM
th
letter H
DRM
V
DRM
date of publication: 15.05.03
revision: 3
6000
DRM,VRRM
7000
6200
DRM,VRRM
7200
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
/dt)cr
T
/dt)cr
(dv
D
vT
(TO)
T
typ.
A 0,02009
B 0,002673
C 0,2013
D 0,02847
max.
A -0,457
B 0,003951
C 0,4384
D -0,03762
max.
I
GD
max. 0,4 V
GD
max. 350 mA
H
max. 3 A
I
L
, iR max. 100 mA
i
D
max. 2,5 µs
t
gd
6500 V
6700 V
510 A
245
325A A
4700
4200
110,5
88,2
300 A/µs
2000 V/µs
typ.
typ.
typ.
3,25
3,4V V
1,24
1,29V V
3,97
4,18
max.
max.
max.
350
2,5
max. 2010
V
V
A
A
10³ A²s
10³ A²s
mΩ
mΩ
mA
V
mA
mA
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
T 201N
th
letter O
DRM
RRM
RRM
t
q
typ. 600 µs
Qr
max. 3,5 mAs
IRM
max. 130 A
R
thJC
R
thCH
vj max
-40...+125 °C
c op
-40...+125 °C
stg
max.
0,043
max.
0,04
max.
0,072
max.
0,0900
0,006
max.
0,012
max.
125 °C
T
= T
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dv
4.Kennbuchstabe / 4
Tvj = T
iTM = I
V
R
Tvj = T
iTM = I
V
R
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
T
T
T
, iTM = I
vj max
/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
D
vj max
TAVM
= 0,5V
vj max
TAVM
= 0,5V
TAVM
, -diT/dt = 10 A/µs
, VRM = 0,8V
RRM
, -diT/dt = 10 A/µs
, VRM = 0,8V
RRM
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
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F 7...12 kN
DIN 46244 Gate
Kathode /Cathode
G typ. 250 g
25 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Maßbild
T 201N
12
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
4 5
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
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