Infineon T2009N Data Sheet
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2001N 30...36 TOF
T 2009N 30...36 TOF
Features:
Volle Sperrfähigkeit bei 125° mit 50 Hz Full blocking capability at 125°C with 50 Hz
Hohe Stoßströme und niedriger Wärme- High surge currents and low thermal resistance
widererstände durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
2
t-value
I
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
f = 50 Hz
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = t
, tp = 10ms
vj max
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = t
, tp = 10ms
vj max
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, vD = 0,67 V
diG/dt = 6A/µs
tvj = t
, vD = 0,67 V
vj max
5. Kennbuchstabe / 5 th letter F
, iGM = 3A,
DRM
DRM
V
DRM
V
RRM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I2t
(di/dt)
(dv/dt)
,
t
= -40°C t
vj min
3000 3100
3200 3300
3400 3500
3500 3600
3600 3700
cr
cr
vj min
9,0 . 10
7,4 . 10
= 0°C
V
V
V
V
4350 A
2050
2750AA
42,5
38,5kAkA
6
A2s
6
A
300 A/µs
1000 V/µs
2
s
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller Release 2 Seite/pageN1
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2001N 30...36 TOF
T 2009N 30...36 TOF
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
Durchlaßrechenkennlinie 400 A ≤ iT ≤ 6000 A
on - state characteristics for calculation
VABiCi Di
=+⋅+⋅ ++⋅ln 1
TTT T
()
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzugszeit
gate controlled delay time
tvj = t
, iT= 2kA
vj max
tvj = t
vj max
tvj = t
vj max
tvj = 25°C, vD = 6V
tvj = 25°C, vD = 6V
tvj = t
, vD = 6V
vj max
tvj = t
, vD = 0,5⋅V
vj max
tvj = t
vj max
tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 4,7Ω
tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 3A, diG/dt= 6 A/µs, tg = 20µs
tvj = t
vj max
vD = V
DRM
DIN IEC 747-6
= 25°C,
t
vj
iGM = 3A, diG/dt = 6A/µs
, vD = 0,5 V
, vR = V
RRM
DRM
DRM
v
V
r
T
A
B
C
D
I
GT
V
I
GD
V
I
H
I
L
iD, i
t
gd
T
(TO)
GT
GD
R
typ.
1,35
typ.
0,9
0,225
typ.
- 0,0978
0,000187
0,15
- 0,00173
max.
1,5 V
max.
1
0,25
max.
– 0,0981
0,000153
0,143
0,00466
350 mA
2,5 V
2010mA
0,4 V
350 mA
3A
300 mA
1,5 µs
V
mΩ
mA
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
, iTM = I
vj max
vj max
vj max
TAVM
= 0,67 V
DM
, VRM = 0,8 V
RRM
, VRM = 0,8⋅V
RRM
DRM
RRM
RRM
vRM = 100V, v
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
tvj = t
ITM = 2000A, di/dt = 10A/µs
VR = 0,5 V
tvj = t
ITM = 2000A, di/dt = 10 A/µs
VR = 0,5⋅V
t
q
Q
r
I
RM
typ.
300 µs
8,5 mAs
270 A
tvj = t
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller Release 2 Seite/pageN2
Loading...