Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2001N 30...36 TOF
T 2009N 30...36 TOF
Features:
Volle Sperrfähigkeit bei 125° mit 50 Hz Full blocking capability at 125°C with 50 Hz
Hohe Stoßströme und niedriger Wärme- High surge currents and low thermal resistance
widererstände durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
2
t-value
I
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
f = 50 Hz
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = t
, tp = 10ms
vj max
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = t
, tp = 10ms
vj max
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, vD = 0,67 V
diG/dt = 6A/µs
tvj = t
, vD = 0,67 V
vj max
5. Kennbuchstabe / 5 th letter F
, iGM = 3A,
DRM
DRM
V
DRM
V
RRM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I2t
(di/dt)
(dv/dt)
,
t
= -40°C t
vj min
3000 3100
3200 3300
3400 3500
3500 3600
3600 3700
cr
cr
vj min
9,0 . 10
7,4 . 10
= 0°C
V
V
V
V
4350 A
2050
2750AA
42,5
38,5kAkA
6
A2s
6
A
300 A/µs
1000 V/µs
2
s
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2001N 30...36 TOF
T 2009N 30...36 TOF
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
Durchlaßrechenkennlinie 400 A ≤ iT ≤ 6000 A
on - state characteristics for calculation
VABiCi Di
=+⋅+⋅ ++⋅ln 1
TTT T
()
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzugszeit
gate controlled delay time
tvj = t
, iT= 2kA
vj max
tvj = t
vj max
tvj = t
vj max
tvj = 25°C, vD = 6V
tvj = 25°C, vD = 6V
tvj = t
, vD = 6V
vj max
tvj = t
, vD = 0,5⋅V
vj max
tvj = t
vj max
tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 4,7Ω
tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 3A, diG/dt= 6 A/µs, tg = 20µs
tvj = t
vj max
vD = V
DRM
DIN IEC 747-6
= 25°C,
t
vj
iGM = 3A, diG/dt = 6A/µs
, vD = 0,5 V
, vR = V
RRM
DRM
DRM
v
V
r
T
A
B
C
D
I
GT
V
I
GD
V
I
H
I
L
iD, i
t
gd
T
(TO)
GT
GD
R
typ.
1,35
typ.
0,9
0,225
typ.
- 0,0978
0,000187
0,15
- 0,00173
max.
1,5 V
max.
1
0,25
max.
– 0,0981
0,000153
0,143
0,00466
350 mA
2,5 V
2010mA
0,4 V
350 mA
3A
300 mA
1,5 µs
V
mΩ
mA
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
, iTM = I
vj max
vj max
vj max
TAVM
= 0,67 V
DM
, VRM = 0,8 V
RRM
, VRM = 0,8⋅V
RRM
DRM
RRM
RRM
vRM = 100V, v
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
tvj = t
ITM = 2000A, di/dt = 10A/µs
VR = 0,5 V
tvj = t
ITM = 2000A, di/dt = 10 A/µs
VR = 0,5⋅V
t
q
Q
r
I
RM
typ.
300 µs
8,5 mAs
270 A
tvj = t
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Phase Control Thyristor
T 2001N 30...36 TOF
T 2009N 30...36 TOF
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si - Element mit Druckkontakt, Amplifying gate
Si - pellet with pressure contact, amplifying gate
Anpreßkraft
clampig force
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode DC
Kathode / cathode DC
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Silizium Tablette
silicon wafer
R
thJC
R
thCH
t
vj max
t
c op
t
stg
F 36...52 kN
0,0087
0,0080
0,0150
0.0170
0,0025
0,0050
-40...+125 °C
-40...+150 °C
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76TN36
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
125 °C
Gewicht
weight
Kriechstrecke
surface creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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T2001N
T2009N
T2001N
T2009N
DIN 40040
f = 50Hz
G
typ.
typ.
1700
1200gg
3325mm
C
50 m/s
mm
2
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Phase Control Thyristor
T 2001N 30...36 TOF
T 2009N 30...36 TOF
Maßbild / Outline T2001N
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T 2001N 30...36 TOF
T 2009N 30...36 TOF
Maßbild / Outline T2009N
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