Infineon T1851N Data Sheet

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Kenndaten

repetitive peak forward off-state and reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Durchlaßkennlinie 300A ≤ iF ≤ 3500A
on-state characteristic

Zündstrom
gate trigger current

Zündspannung
gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage

Haltestrom
holding current

Einraststrom
latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current

Zündverzug
gate controlled delay time

prepared by:

C. Schneider

approved by: J. Przybilla

Elektrische Eigenschaften

TTT

T 1851N

T

= -40°C... T

vj

I

TC = 85 °C
T

= 60 °C

C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i

Tvj = T

5.Kennbuchstabe / 5

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

T

= T

vj

iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

T

Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT max.

Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max.

Tvj = T
T

= T

vj

Tvj = T

Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA

Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
i

= 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs

GM

Tvj = T
v

= V

D

DIN IEC 60747-6
T

= 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs

vj

date of publication: 2006-05-05

V

vj max

DRM,VRRM

6000
7000

TRMSM

I

TAVM

I

, tP = 10 ms

vj max

TSM

I²t

, tP = 10 ms

vj max

(di

/dt)cr

(dv

vT

(TO)

T

typ.

T

D

/dt)cr

typ.

max.

typ.

max.

typ.

max.

A 0,774

= 3 A, diG/dt = 6 A/µs

GM

, vD = 0,67 V

vj max

, iT = 3000A

vj max

V

vj max

r

vj max

vj max

DRM

th

letter H

B 0,000186
C -0,0199
D 0,0235

max.

A 0,623
B 0,000271
C 0,0346
D 0,0173

, vD = 12 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

vj max

, vR = V

DRM

RRM

DRM

V

DRM

max.

I

GD

max. 2010

max. 0,4 V

GD

max. 3 A

I

L

, iR max. 500 mA

i

D

max. 2 µs

t

gd

revision: 5

6500 V

V

3940 A

1850
2510A A

50000

A

48000

A

12500

10³ A²s

11500

10³ A²s

300 A/µs

2000 V/µs

2,45
2,65V V

1,2

1,22V V

0,417

mΩ

0,477

mΩ

350

mA

2,5

V

mA
mA

BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller

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N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Rückstromspitze
peak reverse recovery current

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

T 1851N

th

letter O

DRM

RRM

RRM

t

q

Qr

IRM

R

thJC

R

thCH

vj max

-40...+125 °C

c op

-40...+150 °C

stg

T

= T

vj

vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dv

4.Kennbuchstabe / 4
Tvj = T
iTM = I
V

R

Tvj = T
iTM = I
V

R

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided

T

T

T

, iTM = I

vj max

/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

D

vj max

TAVM

= 0,5V

vj max

TAVM

= 0,5V

TAVM

, -diT/dt = 10 A/µs

, VRM = 0,8V

RRM

, -diT/dt = 10 A/µs

, VRM = 0,8V

RRM

typ. 600 µs

max. 12 mAs

max. 280 A

max.

0,0065

max.

0,006

max.

0,011

max.

0,013

0,002

max.

0,004

max.

125 °C

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft
clamping force

Steueranschlüsse
control terminals

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

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F 45...65 kN

DIN 46244 Gate
Kathode /Cathode

G typ. 1500 g

33 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

A 4,8x0,8

A 6,3x0,8

BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Maßbild

T 1851N

12

BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller

4 5

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

4: Gate

5: Hilfskathode/

Cathode (control terminal)

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