Infineon T178N Data Sheet

Marketing Information
T 178 N

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

ø3,5 x 2 deep
on both sides

ø23

C

A

ø23

HK

plug

G

2,8 x 0,8

VWK Aug. 1996

T 178 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

600 800 1000 1200

600 800 1000 1200

700 900 1100 1300

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

1400 1600 1800

V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 81°C 190 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 2600 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms 34000

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

vL=10 V, iGM= 0,75 A, diG/dt =0,75 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 600 A v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM =0,75 A, diG /dt =0,75 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM =0,75 A,diG/dt =0,75 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

I2 t

(diT/dt)

(dv/dt)

T

V

T(TO)

r

T

GT

GT

GD

V

GD

I

H

I

L

iD, i

R

gd

q

= V

= V

DRM

RRM

1400 1600 1800

1500 1700 1900

V

V

300 A
178 A

3000 A

45000

A2s
A2s

cr

cr

150 A/µs

1000 V/µs

max. 1,9 V

0,92 V

1,5

mΩ

max. 150 mA

max. 2 V

max. 10 mA

max. 0,25 V

max. 200 mA
max. 800 mA

max. 25 mA

max. 4,5 µs

typ. 180 µs

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,141 °C/W

DC max. 0,133 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(A)

max. 0,224 °C/W

DC max. 0,216 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(K)

max. 0,344 °C/W

DC max. 0,336 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided max. 0,015 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,030 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

125 °C

-40...+125 °C

-40...+140 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 2,5...5 kN
Gewicht weight G typ. 70 g
Kriechstrecke creepage distance 17 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outlines, attached DIN 41814-151A4

T 178 N

i
[A]

T

1500

tvj = +25°C

1000

500

0

T 178 N / 1

a

b

1 2 3 4

Bild / Fig. 1
Durchlaßkennlin ien / On-state characteristics iT = f(vT)
a -Typis che Kennlin ien / typical characteris tic s
b -Grenzkennl inien / limiting c haracteristic s

120

100

t

C

[°C]

80

300

90°

tvj = +125°C

P
[W]

TAV

250

0 Θ

60°

Θ = 3 0°

200

150

100

50

0

vT [V]

0

T 178 N / 2

50 100 150 200

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustle istung / O n-state power loss P
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

TAV

= f(I

120

0 Θ 0 Θ

100

t

C

[°C]

80

I

TAV

TAV

180°

120°

[A]

)

60

40

20

0

T 178 N / 3

Θ = 3 0° 60° 90° 120° 180°

50 100 150 200

I

Bild / Fig. 3
Höchstzuläs sige Gehä use tempe ratur / Max. allowable c ase temperature
tC = f(I
Bei dseitege Kühlung / Two-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflu ßwink el / Current conduction angle θ

120

100

t

A

[°C]

80

60

40

Θ = 30° 60° 9 0° 120° 180°

TAVM

[A]

60

40

20

0

T 178 N / 4

Θ = 30° 60° 90° 120° 180°

50 100 150 200

I

[A]

TAVM

Bild / Fig. 4
Höchstz ulässi ge Gehäusetemperatur / Max. all owable case temperature
tC = f(I
Anodenseitige Kühlu ng / Anode-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

120

Θ

0

100

t

A

[°C]

Θ

0

80

60

40

Θ = 3 0° 60° 90° 120° 180°

20

0

T 178 N / 5

50 100 150

I

[A]

TAVM

Bild / Fig. 5
Höchstzuläs sige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable c ooling mediu m
temperatur tA = f(I
Luftselbstk ühlung / Natural ai r-cooling

TAVM

)

Kühlkö rper / Heatsi nk: K0. 36S
Parameter: Stromflu ßwink el / Current conduction angle θ

20

0

T 178 N / 6

50 100 150 200

I

[A]

TAVM

Bild / Fig. 6
Höchstz ulässi ge Kühlmitte ltempe ratur / Max. allowable cooling medi um
temperatur tA = f(I
Verstärkte Luftkühlu ng / Forced air cool ing

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.12F, VL = 50 l/s
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ