Infineon T1590N Data Sheet

N

A

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

enndaten

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current

Stossstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage

Elektrische Eigenschaften

T1590N

= -40°C... T

vj

Tvj = -40°C... T

Tvj = +25°C... T

I

TC = 85 °C

TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I

I

T

= 25 °C °C, tP = 10 ms

vj

= T

T

vj

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

vj max

DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
di

/dt = 1,6 A/µs

G

Tvj = T

vj max

5.Kennbuchstabe / 5

V

vj max

V

vj max

V

vj max

TRMSM

I

TAVM

TAVM

TRMS

I

TSM

, tP = 10 ms

I²t

, tP = 10 ms

(di

= 1,6A,

GM

, vD = 0,67 V

DRM

th

letter F

(dv

DRM,VRRM

DSM

RSM

/dt)cr

T

D

T

/dt)cr

2200
2400

2200
2400

2300
2500

2600
2800V V

2600
2800V V

2700
2900V V

3200 A

1590 A

2290 A

3600 A

32000
28000

5120
3920

150 A/µs

1000 V/µs

A
A

10³ A²s
10³ A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Durchlasskennlinie 500 A ≤ iT ≤ 8000 A
on-state characteristic

TTT

Zündstrom
gate trigger current

Zündspannung
gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage

Haltestrom
holding current

Einraststrom
latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current

Zündverzug
gate controlled delay time

prepared by:

H.Sandmann date of publication: 2009-03-11

approved by: M.Leifeld

Tvj = T
T

= T

vj

Tvj = T

Tvj = T

= T

T

vj

, iT = 5 kA

vj max

, iT = 1 kA

vj max

V

vj max

r

vj max

A=

vj max

v

T

(TO)

T

max.
max.

1,10 V

B=

iD1)i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

T

C=
D=

2,45
1,38V V

0,237 mΩ

1,819E+00

2,508E-05

-2,208E-01
3,371E-02

Tvj = 25 °C, vD = 12V IGT max. 300 mA

Tvj = 25 °C, vD = 12V VGT max. 3 V

Tvj = T
T

vj

Tvj = T

= T

, vD = 12V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

max.

I

DRM

V

DRM

GD

max. 0,25 V

GD

max.

105mA

mA

Tvj = 25°C, vD = 12V IH max. 300 mA

Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
i

= 1,6 A, diG/dt = 1,6 A/µs,

GM

t

= 20 µs

g

Tvj = T
v

D

= V

vj max

DRM

, vR = V

RRM

DIN IEC 60747-6
T

= 25 °C, iGM = 1,6 A,

vj

di

/dt = 1,6 A/µs

G

I

max. 1500 mA

L

, iR max. 250 mA

i

D

t

max. 3 µs

gd

revision: 2.0

IFBIP D AEC / 2009-03-11, H.Sandmann

09/09

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N

A

g

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

T1590N

th

letter O

DRM

t

q

R

thJC

R

thCH

vj max

-40...+125 °C

c op

-40...+150 °C

stg

T

= T

vj

vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dv

4.Kennbuchstabe / 4

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseiti

T

T

T

, iTM = I

vj max

/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

D

/ single-sides

TAVM

typ. 400 µs

max.

0,0125

max.

0,0117

max.

0,0232

max.

0,0225

max.

0,0250

max.

0,0245

max.
max.

0,003
0,006

125 °C

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft
clamping force

Steueranschlüsse
control terminals

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

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F 30...65 kN

Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode

G typ. 900 g

25 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

A 2,8x0,5

A 4,8x0,5

Ø 1,5

mm
mm

mm

IFBIP D AEC / 2009-03-11, H.Sandmann

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