Infineon T1589N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

max.

max.

m

Ω

Durchlaßkennlinie

Tvj = T

A

1,8186

on-state voltage

B

2,508E-05

vT = A + B x i

+ C x ln (i

+ 1) + D x

√

iTC

-0,22082

max.

max.

max.

max.

max.

Ω

max.

Ω

max.

max.

max.

SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther

A121/ 98

Seite/page 1

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 1589 N 22...28

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

RRM

2200, 2400 V

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 2600, 2800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

2200, 2400 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 2600, 2800 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

2300, 2500 V

non-repetitive peak reverse voltage 2700, 2900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

3200 A

RMSM on-state current
Dauergrenzstrom

average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert

surge current
Grenzlastintegral

I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

TC = 85 °C
TC = 67 °C

Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs

Tvj = T

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

I

TAVM

1589 A
2040 A

I

TSM

32000 A
28000 A

I²t 5120 A²s*10³

3920 A²s*10³
150 A/µs

(dvD/dt)

cr

cr

critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter C 500 V/µs

5.Kennbuchstabe / 5th letter F 1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung

on-state voltage
Schleusenspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, iT = 5000 A

vj max

, iT = 1000 A

vj max

vj max

v

V

T

T(TO)

2,45 V
1,38 V

1,1 V

threshold voltage
Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

r

T

0,237

slope resistance

vj max

T

Zündstrom

T

Tvj = 25°C, vD = 6 V

gate trigger current
Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max

vj max,vD

vj max,vD

= 0,5 V

= 0,5 V

DRM

DRM

gate non-trigger voltage
Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5

holding current
Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>=10
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

RRM

Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time

Tvj = 25°C
iGM = 1,6 A, diG/dt = 1,6 A/µs

D 3,3705E-02
I

GT

V

GT

I

GD

300 mA

3,0 V

10 mA

5 mA

V

I

H

I

L

iD, i

gd

GD

R

0,25 mV

300 mA

1500 mA

250 mA

3 µs

Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 1589 N 22...28

N

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time

Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 400 µs

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case

beidseitig / two-sided, Θ =180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,0116 °C/W

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

thJC

max. 0,0124 °C/W

thJK

thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0030 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0060 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T

vj max

125 °C

max. junction temperature
Betriebstemperatur T

c op

-40...125 °C

operating temperature
Lagertemperatur T

stg

-40...150 °C

storage temperature

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate

Anpreßkraft F 30 ...65 kN
clamping force

Gewicht G typ. 900 g
weight

Kriechstrecke 30 mm
creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther A121/ 98 Seite/page 2

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 1589 N 22 ... 28

N

SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther

A121/ 98

Zn. Nr.: 1 Seite/page 3

Technische Information / Technical Information

τ

τ

τ

n

Σ

τ

n=1

SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther

Seite/page 4

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

Kühlung

cooling

beidseitig

two-sided

anodenseitig

anode-sided

kathodenseitig

cathode-sided

thJC

N

für DC

T 1589 N 22...28

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical ementes of transient thermal impedance Z

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7

R

R

R

thn

n [s]

thn

n [s]

thn

n [s]

[°C/W]

[°C/W]

[°C/W]

0,000036 0,0006 0,00097 0,00266 0,00412 0,0032

0,000287 0,00298 0,0135 0,134 0,449 2,05

thJC

for DC

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

))

n

A121/ 98

Technische Information / Technical Information

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i

= f(v

)

Tvj = Tvj max

SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther

A121/ 98

Zn. Nr.: 2

Seite/page 5

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

8.000

7.000

6.000

5.000

T 1589 N 22...28

N

4.000

[A]

T

i

3.000

2.000

1.000

0

0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5

vT [V]

T

T

Technische Information / Technical Information

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle

Θ

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

5000

4000

3000

T 1589 N 22... 28

90°

60°

Θ = 30°

N

180°

120°

[W]

TAV

P

2000

1000

0

0 500 1000 1500 2000 2500

SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther A121/ 98 Z.Nr.: 3 Seite/page 6

I

[A]

TAV

TAV

TAV