Technische Information / Technical Information
max.
max.
m
Ω
Durchlaßkennlinie
Tvj = T
A
1,8186
on-state voltage
B
2,508E-05
vT = A + B x i
+ C x ln (i
+ 1) + D x
√
iTC
-0,22082
max.
max.
max.
max.
max.
Ω
max.
Ω
max.
max.
max.
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
A121/ 98
Seite/page 1
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1589 N 22...28
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
2200, 2400 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 2600, 2800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
DSM
2200, 2400 V
non-repetitive peak foward off-state voltage 2600, 2800 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...T
vj max
V
RSM
2300, 2500 V
non-repetitive peak reverse voltage 2700, 2900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
TRSMSM
3200 A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
TC = 85 °C
TC = 67 °C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs
Tvj = T
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
I
TAVM
1589 A
2040 A
I
TSM
32000 A
28000 A
I²t 5120 A²s*10³
3920 A²s*10³
150 A/µs
(dvD/dt)
cr
cr
critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter C 500 V/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter F 1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, iT = 5000 A
vj max
, iT = 1000 A
vj max
vj max
v
V
T
T(TO)
2,45 V
1,38 V
1,1 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
r
T
0,237
slope resistance
vj max
T
Zündstrom
T
Tvj = 25°C, vD = 6 V
gate trigger current
Zündspannung
Tvj = 25°C, vD = 6V
gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, vD = 6 V
vj max
vj max,vD
vj max,vD
= 0,5 V
= 0,5 V
DRM
DRM
gate non-trigger voltage
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>=10
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs
Tvj = T
vj max
vD = V
, vR = V
DRM
RRM
Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time
Tvj = 25°C
iGM = 1,6 A, diG/dt = 1,6 A/µs
D 3,3705E-02
I
GT
V
GT
I
GD
300 mA
3,0 V
10 mA
5 mA
V
I
H
I
L
iD, i
gd
GD
R
0,25 mV
300 mA
1500 mA
250 mA
3 µs
Technische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1589 N 22...28
N
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time
Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 400 µs
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided, Θ =180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,0116 °C/W
Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
vj max
, iTM=I
TAVM
DRM
t
q
thJC
max. 0,0124 °C/W
thJK
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0030 °C/W
einseitig / single-sided max. 0,0060 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
vj max
125 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
c op
-40...125 °C
operating temperature
Lagertemperatur T
stg
-40...150 °C
storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
Anpreßkraft F 30 ...65 kN
clamping force
Gewicht G typ. 900 g
weight
Kriechstrecke 30 mm
creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther A121/ 98 Seite/page 2
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1589 N 22 ... 28
N
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
A121/ 98
Zn. Nr.: 1 Seite/page 3
Technische Information / Technical Information
τ
τ
τ
n
Σ
τ
n=1
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Seite/page 4
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Kühlung
cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
thJC
N
für DC
T 1589 N 22...28
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
R
R
R
thn
n [s]
thn
n [s]
thn
n [s]
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
0,000036 0,0006 0,00097 0,00266 0,00412 0,0032
0,000287 0,00298 0,0135 0,134 0,449 2,05
thJC
for DC
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
max
R
( 1 - EXP ( - t /
thn
))
n
A121/ 98
Technische Information / Technical Information
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
= f(v
)
Tvj = Tvj max
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
A121/ 98
Zn. Nr.: 2
Seite/page 5
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
8.000
7.000
6.000
5.000
T 1589 N 22...28
N
4.000
[A]
T
i
3.000
2.000
1.000
0
0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
vT [V]
T
T
Technische Information / Technical Information
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
= f(I
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
Θ
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
5000
4000
3000
T 1589 N 22... 28
90°
60°
Θ = 30°
N
180°
120°
[W]
TAV
P
2000
1000
0
0 500 1000 1500 2000 2500
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther A121/ 98 Z.Nr.: 3 Seite/page 6
I
[A]
TAV
TAV
TAV
Technische Information / Technical Information
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
= f(I
)
Berechnungsgrundlage P
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base P
(switching losses should be considered separately).
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
140
120
100
T 1589 N 22... 28
N
80
[°C]
C
T
60
40
Θ = 30°
60°
90°
120° 180°
20
0 500 1000 1500 2000 2500
I
[A]
TAVM
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ
TAV
TAV
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
A121/ 98
C
TAVM
Z.Nr.: 4 Seite/page 7
Technische Information / Technical Information
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
= f(I
)
Parameter: Stromflußwinkel
Θ
/ current conduction angle
Θ
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
6000
5000
4000
T 1589 N 22 ... 28
120°
90°
60°
Θ = 30°
N
DC
180°
[W]
TAV
P
3000
2000
1000
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
A121/ 98
I
TAV
[A]
TAV
TAV
Z.Nr.: 5 Seite/page 8
Technische Information / Technical Information
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
= f(I
)
Θ
Berechnungsgrundlage P
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base P
(switching losses should be considered separately).
= 30°
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
140
120
100
T 1589 N 22... 28
N
[°C]
C
T
80
60
40
Θ
60°
90°
120°
180° DC
20
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
I
[A]
TAVM
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle
TAV
TAV
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
A121/ 98
C
TAVM
Z.Nr.: 6 Seite/page 9
Technische Information / Technical Information
TA = 45°C
Parameter: Vorlaststrom / pre-load current I
A121/ 98
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
100.000
10.000
T 1589 N 22 ... 28
I
TAV (vor)
0 A
130 A
210 A
260 A
300 A
320 A
N
=
[A]
T (OV)
I
1.000
100
0,01 0,1 1 10 100 1000 10000
t [s]
Überstrom / Overload on-state current I
Beidseitige Luftselbstkühlung / Two-sided natural cooling K0.048F
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
= f(t)
T(OV)
TAV (vor)
Z. Nr.: 7 Seite/page 10
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
100.000
[A]
10.000
T (OV)
I
T 1589 N 22...28
I
TAV (vor)
=
0 A
350 A
550 A
670 A
780 A
850 A
N
1.000
0,01 0,1 1 10 100 1000
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
t [s]
Überstrom / Overload on-state current I
T(OV)
= f(t)
Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K0.048F
TA = 35°C, VL = 120 l/s
Parameter: Vorlaststrom / pre-load current I
A 121/98
Z. Nr.: 8 Seite/page 11
TAV(vor)
Technische Information / Technical Information
Grenzstrom / Max. overload on-state current I
= f(t), v
= 0,8 V
current I
A 121/98
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
35.000
30.000
a
25.000
20.000
[A]
b
T(OV)M
I
15.000
T 1589 N 22...28
TA = 35 °C
vL = 120l/s
N
TA = 45 °C
10.000
5.000
0
0,01 0,1 1 10
t [s]
T(OV)M
RM
RRM
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Kühlkörper / Heatsink: K 0.048F
Belastung aus / Surge current occurs:
a - Leerlauf / No-load conditions
b - Betrieb mit Dauergrenzstrom / During operation at max. average on-state
TAVM
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Z. Nr.: 9 Seite/page 12
Technische Information / Technical Information
Phase Control Thyristor
T 1589 N 22...28
Steuercharakteristik v
= f (i
) mit Zündbereichen für V
= 6 V
Gate characteristic v
= f (i
) with triggering area for V
= 6 V
peak gate power disspation P
= f (t
) :
Netz-Thyristor
N
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
G
G
G
G
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated
GM
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
A 121/ 98
g
Z.Nr.: 10 Seite/page 13
D
D
Technische Information / Technical Information
Zündverzug / Gate controlled delay time t
= f(i
)
Tvj = 25°C, di
/dt = i
/1µs
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1589 N 22...28
N
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
gd
G
a - maximaler Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
A121/ 98
GM
Z.Nr.: 11 Seite/page 14
GM
Technische Information / Technical Information
iTM[A]
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
100.000
[µAs]
r
Q
10.000
T 1589 N 22...28
N
4000
2000
1000
1.000
1 10 100
- diT/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj = Tvj max, vR = 0,5 V
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
, vRM = 0,8 V
RRM
RRM
TM
500
200
100
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
A 121/98
Zn. Nr.:12 Seite/page15
Technische Information / Technical Information
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z
= f(t)
90°
120°
Θ
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
0,018
0,016
0,014
0,012
0,010
T 1589 N 22 ... 28
N
=
30°
60°
180°
[°C/W]
(thJC)
Z
0,008
0,006
0,004
0,002
0,000
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Beidseitige Kühlung /Ttwo-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
A121/ 98
t [s]
(th)JC
Z.Nr.: 13 Seite/page 16
Technische Information / Technical Information
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z
= f(t)
DC
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
0,018
0,016
0,014
0,012
0,010
T 1589 N 22 ... 28
N
Θ =
30°
60°
90°
120°
180°
[°C/W]
(thJC)
Z
0,008
0,006
0,004
0,002
0,000
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
A121/ 98
t [s]
(th)JC
Z.Nr.: 14 Seite/page 17
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