Technische Information / Technical Information
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem Überspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
Features:
Lichtgezündeter Netz Thyristor Phase Control Thyristor, light triggered
mit integriertem Überspannungsschutz with integrated overvoltage protection
Volle Sperrfähigkeit bei 120° mit 50 Hz Full blocking capability at 120°C with 50 Hz
Hohe Stoßströme und niedrige Wärme- High surge currents and low thermal resistance
widerstände durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. between silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H
T 1503 N 75...80 TOH
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
2
t-value
I
Kritische Stromsteilheit, periodisch
critical rate of rise of on-state current, repetitive
Kritische Stromsteilheit, nicht-periodisch
critical rate of rise of on-state current, non-repetitive
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
f = 50 Hz
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz
tvj = 25°C, tp = 10ms
t
= t
, tp = 10ms
vj
vj max
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = t
, tp = 10ms
vj max
DIN IEC 747-6
VD ≤ VBO, f = 50Hz, PL = 40mW,
t
= 0,5µs
rise
DIN IEC 747-6
VD ≤ VBO, PL = 40mW, t
tvj = t
, vDM = 5kV
vj max
= 0,5µs
rise
V
RRM
t
vj min
= -40°C t
vj min
= 0°C
7500 7700
8000 8200VV
I
TRMSM
I
TAVM
3800 A
1760
2440AA
I
TSM
I2t 10,1·10
8,0·10
(di/dt)
(di/dt)
(dv/dt)
cr
cr
cr
300 A/µs
1000 A/µs
2000 V/µs
4540kA
kA
6
A2s
6
A
2
s
BIP AM / SM PB, 2001-04-06, Przybilla J. / Keller Release 2 Seite/pageN1
Technische Information / Technical Information
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem Überspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Schutzündspannung (statisch)
protective break over voltage
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
Durchlaßrechenkennlinie
on-state characteristics for calculations 500 A ≤ i
VABiCi Di
=+⋅+⋅ ++⋅ln 1
TTT T
erforderliche Zündlichtleistung
required gate trigger light power
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug
gate controlled delay time
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
()
T 1503 N 75...80 TOH
≤ 5000 A
T
tvj = 0°C ... t
tvj = t
tvj = t
tvj = t
tvj = 25°C, vD = 50V
tvj = 25°C
tvj = 25°C, vD = 100V,
PLM = 40mW, tan = 0,5µs
tvj = t
vD = vR = 7500V
vD = 1000V, tvj = 25°C,
PLM = 40mW, tan = 0,5µs
tvj = t
vRM = 100V, v
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
, iT = 4kA
, iTM = I
DM
TAVM
= 0,67⋅v
DRM
V
v
V
r
T
A
B
C
D
P
I
H
I
L
iD, i
t
gd
t
q
BO
T
TO
LM
R
min. 7500 V
typ. max.
2,8 3,0
typ. max.
1,20 1,24
0,40 0,44
typ. max.
0,616 -0,0864
0,000219 0,000343
0,0342 0,2021
0,0161 0,000614
min. 40 mW
350 mA
1A
500 mA
typ. 5µs
typ. 550 µs
V
V
mΩ
tvj = t
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
vj max
ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/µs
VR = 0,5⋅V
tvj = t
ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/µs
VR = 0,5⋅V
vj max
, VRM = 0,8⋅V
RRM
, VRM = 0,8⋅V
RRM
RRM
RRM
Q
r
I
RM
15 mAs
350 A
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Technische Information / Technical Information
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem Überspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
T 1503 N 75...80 TOH
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt, Lichtzündung
Si-pellet with pressure contact, ligt triggered
Anpreßkraft
clampig force
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode DC
Kathode / cathode DC
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Silizium Tablette
silicon wafer
R
R
t
vj max
t
c op
t
stg
thJC
thCK
0,0063
0,0060
0,0106
0,0138
0,0015
0,003
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
+120 °C
-40...+120 °C
-40...+150 °C
Seite 4
101LTN80
F 63...91 kN
Gewicht
G
typ.
3200 g
weight
Kriechstrecke
49 mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50 m/s
2
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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