Infineon T1503N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Lichtgezündeter Netz Thyristor mit integriertem Überspannungsschutz

Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection

Features:

Lichtgezündeter Netz Thyristor Phase Control Thyristor, light triggered mit integriertem Überspannungsschutz with integrated overvoltage protection

Volle Sperrfähigkeit bei 120° mit 50 Hz Full blocking capability at 120°C with 50 Hz

Hohe Stoßströme und niedrige Wärme- High surge currents and low thermal resistance widerstände durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. between silicon wafer and molybdenum.

Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H

T 1503 N 75...80 TOH

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current

Dauergrenzstrom mean forward current

Stoßstrom-Grenzwert surge forward current

Grenzlastintegral

t-value

Kritische Stromsteilheit, periodisch critical rate of rise of on-state current, repetitive

Kritische Stromsteilheit, nicht-periodisch critical rate of rise of on-state current, non-repetitive

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state current

f = 50 Hz

tC = 85°C, f = 50Hz tC = 60°C, f = 50Hz

tvj = 25°C, tp = 10ms t

= t

, tp = 10ms

vj max

tvj = 25°C, tp = 10ms tvj = t

, tp = 10ms

vj max

DIN IEC 747-6 VD ≤ VBO, f = 50Hz, PL = 40mW, t

= 0,5µs

rise

DIN IEC 747-6 VD ≤ VBO, PL = 40mW, t

tvj = t

, vDM = 5kV

vj max

= 0,5µs

rise

RRM

vj min

= -40°C t

vj min

= 0°C 7500 7700 8000 8200VV

TRMSM

TAVM

3800 A

1760 2440AA

TSM

I2t 10,1·10

8,0·10

(di/dt)

(dv/dt)

300 A/µs

1000 A/µs

2000 V/µs

4540kA

A2s

BIP AM / SM PB, 2001-04-06, Przybilla J. / Keller Release 2 Seite/pageN1

Technische Information / Technical Information

Lichtgezündeter Netz Thyristor mit integriertem Überspannungsschutz

Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Schutzündspannung (statisch) protective break over voltage

Durchlaßspannung on-state voltage

Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / slope resistance

Durchlaßrechenkennlinie on-state characteristics for calculations 500 A ≤ i

VABiCi Di

=+⋅+⋅ ++⋅ln 1

TTT T

erforderliche Zündlichtleistung required gate trigger light power

Haltestrom holding current

Einraststrom latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents

Zündverzug gate controlled delay time

Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time

()

T 1503 N 75...80 TOH

≤ 5000 A

tvj = 0°C ... t

tvj = t

tvj = 25°C, vD = 50V

tvj = 25°C

tvj = 25°C, vD = 100V, PLM = 40mW, tan = 0,5µs

tvj = t vD = vR = 7500V

vD = 1000V, tvj = 25°C, PLM = 40mW, tan = 0,5µs

tvj = t vRM = 100V, v dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O

vj max

, iT = 4kA

, iTM = I

TAVM

= 0,67⋅v

DRM

V r

A B C D

iD, i

min. 7500 V

typ. max.

2,8 3,0

typ. max. 1,20 1,24

0,40 0,44

typ. max.

0,616 -0,0864 0,000219 0,000343 0,0342 0,2021 0,0161 0,000614

min. 40 mW

350 mA

500 mA

typ. 5µs

typ. 550 µs

V mΩ

tvj = t

Sperrverzögerungsladung recovered charge

Rückstromspitze peak reverse recovery current

vj max

ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/µs VR = 0,5⋅V

tvj = t ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/µs VR = 0,5⋅V

vj max

, VRM = 0,8⋅V

RRM

, VRM = 0,8⋅V

RRM

15 mAs

350 A

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Technische Information / Technical Information

Lichtgezündeter Netz Thyristor mit integriertem Überspannungsschutz

Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

T 1503 N 75...80 TOH

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature

Betriebstemperatur operating temperature

Lagertemperatur storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix

Si-Element mit Druckkontakt, Lichtzündung Si-pellet with pressure contact, ligt triggered

Anpreßkraft clampig force

beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin beidseitig / two-sided , DC Anode / anode DC Kathode / cathode DC

beidseitig / two-sided einseitig / single-sided

Silizium Tablette silicon wafer

vj max

c op

stg

thJC

thCK

0,0063 0,0060 0,0106 0,0138

0,0015 0,003

°C/W °C/W °C/W °C/W

°C/W °C/W

+120 °C

-40...+120 °C

-40...+150 °C

Seite 4

101LTN80

F 63...91 kN

Gewicht

typ.

3200 g

weight

Kriechstrecke

49 mm

creepage distance

Feuchteklasse

DIN 40040

humidity classification

Schwingfestigkeit

f = 50Hz

50 m/s

vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

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