Infineon T1451N Data Sheet
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 200A ≤ iF ≤ 2500A
on-state characteristic
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
prepared by:
C. Schneider
approved by: J. Przybilla
Elektrische Eigenschaften
TTT
T 1451N
T
= -40°C... T
vj
I
TC = 85 °C
T
= 60 °C
C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
Tvj = T
5.Kennbuchstabe / 5
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
T
= T
vj
iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
T
Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT max.
Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max.
Tvj = T
T
= T
vj
Tvj = T
Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
i
= 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
GM
Tvj = T
v
= V
D
DIN IEC 60747-6
T
= 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
vj
V
vj max
DRM,VRRM
4800
5200
TRMSM
I
TAVM
I
, tP = 10 ms
vj max
TSM
I²t
, tP = 10 ms
vj max
(di
/dt)cr
(dv
vT
(TO)
T
typ.
T
D
/dt)cr
max.
max.
max.
A 0,497
= 3 A, diG/dt = 6 A/µs
GM
, vD = 0,67 V
vj max
, iT = 2000A
vj max
V
vj max
r
vj max
vj max
DRM
th
letter H
B 0,000137
C -0,0127
D 0,02
max.
A 0,539
B 0,000193
C 0,00534
D 0,0164
, vD = 12 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
vj max
, vR = V
DRM
RRM
DRM
V
DRM
max.
I
GD
max. 2010
max. 0,4 V
GD
max. 3 A
I
L
, iR max. 400 mA
i
D
max. 2 µs
t
gd
date of publication: 2006-05-04
revision: 7
typ.
typ.
typ.
5000 V
V
3610 A
1690
2300A A
44000
A
43000
A
9680
10³ A²s
9250
10³ A²s
300 A/µs
2000 V/µs
1,57
1,7V V
0,88
0,92V V
0,345
mΩ
0,39
mΩ
350
mA
2,5
V
mA
mA
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
T 1451N
th
letter O
DRM
RRM
RRM
t
q
Qr
IRM
R
thJC
R
thCH
vj max
-40...+125 °C
c op
-40...+150 °C
stg
T
= T
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dv
4.Kennbuchstabe / 4
Tvj = T
iTM = I
V
R
Tvj = T
iTM = I
V
R
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
T
T
T
, iTM = I
vj max
/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
D
vj max
TAVM
= 0,5V
vj max
TAVM
= 0,5V
TAVM
, -diT/dt = 10 A/µs
, VRM = 0,8V
RRM
, -diT/dt = 10 A/µs
, VRM = 0,8V
RRM
typ. 450 µs
max. 15 mAs
max. 320 A
max.
0,0097
max.
0,0090
max.
0,0170
max.
0,0195
0,0025
max.
0,005
max.
125 °C
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
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F 36...52 kN
DIN 46244 Gate
Kathode /Cathode
G typ. 1700 g
33 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Maßbild
T 1451N
12
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
4 5
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
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