N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 200A ≤ iF ≤ 2500A
on-state characteristic
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
prepared by:
C. Schneider
approved by: J. Przybilla
Elektrische Eigenschaften
TTT
T 1451N
T
= -40°C... T
vj
I
TC = 85 °C
T
= 60 °C
C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
Tvj = T
5.Kennbuchstabe / 5
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
T
= T
vj
iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
T
Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT max.
Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max.
Tvj = T
T
= T
vj
Tvj = T
Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
i
= 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
GM
Tvj = T
v
= V
D
DIN IEC 60747-6
T
= 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
vj
V
vj max
DRM,VRRM
4800
5200
TRMSM
I
TAVM
I
, tP = 10 ms
vj max
TSM
I²t
, tP = 10 ms
vj max
(di
/dt)cr
(dv
vT
(TO)
T
typ.
T
D
/dt)cr
max.
max.
max.
A 0,497
= 3 A, diG/dt = 6 A/µs
GM
, vD = 0,67 V
vj max
, iT = 2000A
vj max
V
vj max
r
vj max
vj max
DRM
th
letter H
B 0,000137
C -0,0127
D 0,02
max.
A 0,539
B 0,000193
C 0,00534
D 0,0164
, vD = 12 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
vj max
, vR = V
DRM
RRM
DRM
V
DRM
max.
I
GD
max. 2010
max. 0,4 V
GD
max. 3 A
I
L
, iR max. 400 mA
i
D
max. 2 µs
t
gd
date of publication: 2006-05-04
revision: 7
typ.
typ.
typ.
5000 V
V
3610 A
1690
2300A A
44000
A
43000
A
9680
10³ A²s
9250
10³ A²s
300 A/µs
2000 V/µs
1,57
1,7V V
0,88
0,92V V
0,345
mΩ
0,39
mΩ
350
mA
2,5
V
mA
mA
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
T 1451N
th
letter O
DRM
RRM
RRM
t
q
Qr
IRM
R
thJC
R
thCH
vj max
-40...+125 °C
c op
-40...+150 °C
stg
T
= T
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dv
4.Kennbuchstabe / 4
Tvj = T
iTM = I
V
R
Tvj = T
iTM = I
V
R
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
T
T
T
, iTM = I
vj max
/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
D
vj max
TAVM
= 0,5V
vj max
TAVM
= 0,5V
TAVM
, -diT/dt = 10 A/µs
, VRM = 0,8V
RRM
, -diT/dt = 10 A/µs
, VRM = 0,8V
RRM
typ. 450 µs
max. 15 mAs
max. 320 A
max.
0,0097
max.
0,0090
max.
0,0170
max.
0,0195
0,0025
max.
0,005
max.
125 °C
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Seite 3
page 3
F 36...52 kN
DIN 46244 Gate
Kathode /Cathode
G typ. 1700 g
33 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Maßbild
T 1451N
12
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
4 5
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
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N
=
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
R,t – Werte
R
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Analytische Funktion / Analytical function:
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
R
thn
R
thn
R
thn
[°C/W]
τ
[s]
n
[°C/W]
τ
[s]
n
[°C/W]
τ
[s]
n
0,00223 0,0027 0,0028 0,0008 0,00047
2 0,44 0,11 0,015 0,0041
0,01023 0,0027 0,0028 0,0008 0,00047
9,2 0,44 0,11 0,015 0,0041
0,01273 0,0027 0,0028 0,0008 0,00047
11,4 0,44 0,11 0,015 0,0041
T 1451N
n
Σ
max
thJC
thJC
−
thnthJC
e1RZ
-t
τ
n
n=1
0,02
ci
ai
bi
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
0,015
0,01
0,005
0
[K/W]
Z
th JC
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
= f(t) for DC
thJC
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
3000
Diagramme
Diagramme
2500
2000
T 1451N
Durchlasskennlinie
typ.
max.
1500
[A]
T
i
1000
500
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5
v
[V]
T
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
T
= Tvj
vj
max
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
30
20
10
5
2
v
[V]
G
T 1451N
Durchlassverluste
c
b
a
-40°C
+25°C
+125°C
1
0,5
0,2
10
5020 100 200 500
1000
1000050002000
iG [mA]
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic v
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
= f (iG) with triggering area for VD = 12 V
G
= f (tg) :
GM
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
30
25
20
T 1451N
Tc beidseitig
15
[mAs]
r
Q
10
5
0
0 5 10 15 20 25 30 35
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
T
vj=Tvjmax
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
, vR=0,5 V
, VRM=0,8 V
RRM
RRM
Seite/page
7/9
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
800
700
600
500
[A]
400
RM
I
300
200
100
0
0 5 10 15 20 25 30 35
T 1451N
Ta bei Sinus
-di/dt [A/µs ]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
T
vj=Tvjmax
, vR=0,5 V
, VRM=0,8 V
RRM
RRM
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
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- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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T 1451N
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
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