Infineon T1329N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

max.

m

Ω

vT = A + B x i

+ C x ln (i

+ 1) + D x

√

iTC

-2,256E-2

max.

Ω

max.

Ω

max.

SZ-M / 21.09.98, K.-A.Rüther

A114/ 98

Seite/page 1 (29)

Phase Control Thyristor

T 1329 N 18...22

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties Vorläufige Daten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Preliminary Data

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

RRM

1800, 2000 V

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 2200 V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

1800, 2000 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 2200 V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

1900, 2100 V

non-repetitive peak reverse voltage 2300 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

2600 A

RMSM on-state current Dauergrenzstrom

average on-state current Stoßstrom-Grenzwert

surge current Grenzlastintegral

I²t-value Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

TC = 85 °C TC = 70 °C

Tvj = 25°C, tp = 10 ms Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = T

f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A diG/dt = 1 A/µs

Tvj = T

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

I

TAVM

1329 A 1655 A

I

TSM

26500 A 23000 A

I²t 3510 A²s*10³

2645 A²s*10³ 200 A/µs

1000 V/µs

(dvD/dt)

cr

critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung

on-state voltage Schleusenspannung

Tvj = T Tvj = T

Tvj = T

, iT = 3000 A

vj max

, iT = 1000 A

vj max

v

V

T

T(TO)

1,65 V 1,13 V

threshold voltage Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

r

T

0,234

slope resistance

Durchlaßkennlinie

Tvj = T

vj max

A 0,9012

on-state voltage B 1,89E-4

T

D 0,006587

Zündstrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V

I

GT

250 mA

gate trigger current Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

V

GT

gate trigger voltage Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max

vj max,vD

= 0,5 V

DRM

I

GD

V

GD

0,25 mV

gate non-trigger voltage Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5

I

H

300 mA

holding current Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents

Zündverzug DIN IEC 747-6 t gate controlled delay time

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>=10 iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs tg = 20 µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

Tvj = 25°C iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

RRM

I

L

iD, i

gd

1200 mA

R

150 mA

0,9 V

2,2 V

10 mA

5 mA

4 µs

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Phase Control Thyristor

T 1329 N 18...22

N

Vorläufige Daten

Charakteristische Werte / Characteristic values Preliminary Data

Freiwerdezeit circuit commutatet turn-off time

Tvj = T vRM =100V, vDM = 0,67 V dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 300 µs

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

thJC

thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, Ž=180°sin max. 0,0184 °C/W

beidseitig / two-sided, DC max. 0,0170 °C/W Anode / anode, Ž=180°sin max. 0,0344 °C/W Anode / anode, DC max. 0,0330 °C/W Kathode / cathode, Ž=180°sin max. 0,0364 °C/W Kathode / cathode, DC max. 0,0350 °C/W

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R

thJK

thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0025 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0050 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T

vj max

125 °C

max. junction temperature Betriebstemperatur T

c op

-40...125 °C

operating temperature Lagertemperatur T

stg

-40...150 °C

storage temperature

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt, Ampilying-Gate Si-pellet with pressure contact, amlifying gate

Anpreßkraft F 20 ...45 kN clamping force

Gewicht G typ. 540 g weight

Kriechstrecke 32 mm creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s² vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1329 N 18 ... 22

N

SZ-M / 21.09.98, K.-A.Rüther

A114/ 98

Zn. Nr.: 1 Seite/page 3(29 )

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Σ

τ

n=1

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Seite/page 4(29)

Phase Control Thyristor

Kühlung

cooling

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical ementes of transient thermal impedanceZ

T 1329 N 18...22

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7

R

τ

R

τ

R

τ

thn

[°C/W]

[s]

n

[°C/W]

[s]

n

[°C/W]

[s]

n

0,00022 0,0011 0,00102 0,00283 0,00608 0,00575

0,00136 0,00306 0,0139 0,0662 0,512 1,49

0,00065 0,0019 0,00239 0,00381 0,00425 0,02

0,0016 0,0091 0,0791 0,26 1,736 7,21

0,00055 0,00206 0,00604 0,00551 0,02084

0,0014 0,00857 0,154 2,58 7,007

beidseitig

two-sided

anodenseitig

anode-sided

kathodenseitig

cathode-sided

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

n

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

thJC

for DC

))

n

thJC

N

für DC

A114/ 98

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Durchlaßkennlinie / 0n-state characteristic i

=f(vT)

SZ-M / 21.09.98, K.-A.Rüther

Seite/page 5(29)

Phase Control Thyristor

6500

6000

5500

5000

4500

4000

T 1329 N 18 ... 22

N

[A]

T

i

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

0

0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6

Tvj = T

vj max

A114/ 98

vT [V]

T

Zn. Nr.: 2

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Parameter: Stromflußwinkel

Θ

/ current conduction angle

Θ

Phase Control Thyristor

3500

3000

2500

2000

T 1329 N 18...22

90°

60°

Θ = 30°

N

180°

120

[W]

TAV

P

1500

1000

500

0

0 500 1000 1500 2000

I

[A]

TAV

SZ-M / 21.09.98, K.-A.Rüther A114/ 98 Z.Nr.: 3 Seite/page 6(29)

TAV

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Phase Control Thyristor

140

120

100

T 1329 N 18...22

N

80

[°C]

C

T

Θ = 30°

60°

90°

120°

180°

60

40

20

0 500 1000 1500 2000

I

[A]

TAVM

Beidseitige Kühlung / two sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-M / 21.09.98, K.-A.Rüther

A114/ 98

C

TAVM

Z.Nr.: 4 Seite/page 7(29)

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

= 30°

Phase Control Thyristor

140

120

100

T 1329 N 18...22

N

80

[°C]

C

T

60

40

60°

90°

120°

180°

20

0 500 1000 1500 2000

I

[A]

TAVM

Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-M / 21.09.98, K.-A.Rüther

A114/ 98

C

TAVM

Z.Nr.: 5 Seite/page 8(29)

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Phase Control Thyristor

140

120

100

T 1329 N 18...22

N

80

[°C]

C

T

60

40

Θ = 30°

60°

90

120°

180°

20

0 500 1000 1500 2000

I

[A]

TAVM

Kathodenseitige Kühlung / cathode sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-M / 21.09.98, K.-A.Rüther

A114/ 98

C

TAVM

Z.Nr.: 6 Seite/page 9(29)