Infineon T130N Data Sheet

Marketing Information
T 130 N

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

C

E-Cu-cable 25mm²

Silicon tube red

A

8,4

M12

E-Cu-rope 0,5mm²

E-Cu-rope 0,5mm²

Siliconcoat yellow

SW27

Siliconcoat red

Plug

6,3 x 0,8

hole for temperature­measurement
3,2 x 1,5 deep

8,4

C

E-Cu-rope 25mm²

Silicontube red

ø36

VWK Aug. 1996

T 130 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

600 800 1000 1200

600 800 1000 1200

700 900 1100 1300

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

1400 1600 1800

V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 56°C 190 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 3000 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms 45000

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

vL=10 V, iGM= 0,75 A, diG/dt =0,75 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 600 A v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, R

GK

≥ 10 Ω

iGM =0,75 A, diG /dt =0,75 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM =0,75 A,diG/dt =0,75 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

I2 t

(diT/dt)

(dv/dt)

T

V

T(TO)

r

T

GT

GT

GD

V

GD

I

H

I

L

iD, i

R

gd

q

= V

= V

DRM

RRM

1400 1600 1800

1500 1700 1900

V

V

300 A
130 A

3500 A

61000

A2s
A2s

cr

cr

150 A/µs

1000 V/µs

max. 1,96 V

1,08 V
1,53

mΩ

max. 150 mA

max. 1,4 V

max. 5 mA

max. 0,2 V
max. 200 mA
max. 620 mA

max. 30 mA

max. 4,5 µs

typ. 180 µs

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,2 °C/W

DC max. 0,19 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

125 °C

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anzugsdrehmoment tightening torque Gehäuseform/case design B M 20 Nm
Anpreßkraft clamping force Gehäuseform/case design E F 3,5 kN
Gewicht, Bauform E weight, case design E G typ. 190 g
Kriechstrecke creepage distance 8 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41 894-222A4/DIN 41892-204B3

T 130 N

1000

tvj = +25°C

a

tvj = +125°C

b

i
[A]

800

T

600

400

200

0

0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2 ,6 2,8

T 130 N / 1

vT [V]

Bild / Fig. 1
Durchlaßkennlin ien / On-state characteristics iT = f(vT)
a -Typis che Kennlin ien / typical characteris tic s
b -Grenzkennl inien / limiting c haracteristic s

120

100

t

C

[°C]

80

400

180°

P
[W]

TAV

300

0 Θ

60°

Θ = 30°

90°

120°

DC

200

100

0 50 100 150 200 250 300

I

T 130 N / 2

TAV

[A]

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustle istung / O n-state power loss P
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

TAV

= f(I

TAV

)

120

0 Θ 0 Θ

100

t

A

[°C]

80

60

40

Θ = 30° 60° 90° 120° 180°

20

0

T 130 N / 3

50 100 150 200

I

Bild / Fig. 3
Höchstzuläs sige Gehä use tempe ratur / Max. allowable c ase temperature
tC = f(I
Parameter: Stromflu ßwink el / Current conduction angle θ

TAVM

)

120

100

t

A

[°C]

80

60

40

20

0 40 80 120

T 130 N / 5

Θ = 30° 6 0° 90°

120°

I

TAVM

180°

TAVM

[A]

[A]

60

40

20

0 20 40 60

T 130 N / 4

Θ = 3 0° 60° 90°

120°

180°

I

TAVM

80

[A]

Bild / Fig. 4
Höchstz ulässig e Kühlmitteltem peratur / Max. all owable co oling medium
temperature tA = f(I
Luftseb stkü hlung / Natural air-cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K1.1-M12-A
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

Θ

0

Bild / Fig. 5
Höchzulä ssige Küh lmitteltemperatur / Max . allowable cooling medium
temperatur tA = f(I
Verstärkte Luftkühlung / forced air cooling

TAVM

)

Kühlk örper / Heatsink : K1.1-M12-A, VL = 30 l/s
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction an gle θ

160