Infineon T1219N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

T 1219 N 20...28

m

Ω

vj max

on-state voltage

2,17E-04

Ω

Ω

BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rüther

A 07/00

Seite/page 1

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

2000 2200 V

RRM

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 2400 2600 V

2800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

2000 2200 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 2400 2600 V

2800 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

2100 2300 V

non-repetitive peak reverse voltage 2500 2700 V

2900 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

2625 A

RMSM on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85 °C I

TAVM

1220 A

average on-state current TC = 61 °C 1670,9 A
Stoßstrom-Grenzwert

surge current
Grenzlastintegral

I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs

Tvj = T

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

I

TSM

25000 A
22500 A

I²t 3125 A²s*10³

2531 A²s*10³

150 A/µs

1000 V/µs

(dvD/dt)

cr

cr

critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung Tvj = Tvj max, iT = 3,50 kA v
on-state voltage Tvj = Tvj max, iT = 1 kA v

Schleusenspannung Tvj = T

vj max

threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = T

vj max

slope resistance
Durchlaßkennlinie Tvj = T

vT = A + B x iT + C x ln (iT + 1) + D x √ i

Zündstrom

T

Tvj = 25°C, vD = 6 V

A= 0,9686992
B=

C= -0,0096522
D= 8,13E-03

gate trigger current
Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max
vj max,vD

vj max,vD

= 0,5 V
= 0,5 V

DRM

DRM

gate non-trigger voltage
Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5

holding current
Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>= 10
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

RRM

Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time

Tvj = 25°C
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

V

r

T

I

GT

V

I

GD

V

I

H

I

L

iD, i

gd

T
T

T(TO)

GT

GD

max. 2,13 V
max. 1,38 V

1 V

0,2750

max. 250 mA

max. 2 V

max. 10 mA
max. 5 mA

max. 0,25 mV

max. 500 mA

max. 2500 mA

R

max. 200 mA

max. 4,5 µs

Technische Information / Technical Information

T 1219 N 20...28

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rüther

A 07/00

Seite/page 2

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit

circuit commutatet turn-off time

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, ?=180°sin max. 0,0184 °C/W

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0035 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature

Betriebstemperatur T
operating temperature

Lagertemperatur T
storage temperature

Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 350 µs

beidseitig / two-sided, DC max. 0,0170 °C/W
Anode / anode, ?=180°sin max. 0,0344 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,0330 °C/W
Kathode / cathode, ?=180°sin max. 0,0364 °C/W
Kathode / cathode, DC max. 0,0350 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0070 °C/W

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

thJC

thJK

vj max

c op

stg

N

125 °C

-40,,,+125 °C

-40,,,+150 °C

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft F 20...45 kN
clamping force

Gewicht G typ. 540 g
weight

Kriechstrecke 32 mm
creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

Technische Information / Technical Information

BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rüther

Zn. Nr.: 1

Seite/page 3

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 1219 N 20...28

N

A 07/00

Technische Information / Technical Information

τ

τ

τ

n

Σ

τ

n=1

BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rüther

Seite/page 4

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

Kühlung
cooling

beidseitig
two-sided

anodenseitig
anode-sided

kathodenseitig
cathode-sided

T 1219 N 20...28

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedance Z

thJC

for DC

thJC

N

für DC

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
R

R

R

thn

n [s]

thn

n [s]

thn

n [s]

[°C/W]

[°C/W]

[°C/W]

0,000220 0,000000 0,001020 0,002830 0,006080 0,00575
0,001360 0,003060 0,013900 0,066200 0,512000 1,490

0,000650 0,001900 0,002390 0,003810 0,004250 0,02000
0,001600 0,009100 0,079100 0,260000 1,736000 7,210

0,000550 0,002060 0,006040 0,005510 0,020840
0,001400 0,008570 0,154000 2,580000 7,0070

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

))

n

A 07/00

Technische Information / Technical Information

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i

= f(v

)

Tvj = Tvj max

BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rüther

Seite/page 5

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

6.000

5.000

4.000

T 1219 N 20...28

N

3.000

[A]

T

i

2.000

1.000

0

0,5 1 1,5 2 2,5 3

A 07/00

vT [V]

Z. Nr.: 2

T

T

Technische Information / Technical Information

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Parameter: Stromflußwinkel

Θ

/ current conduction angle

Θ

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

4.000

3.500

3.000

2.500

T 1219 N 20...28

90°

60°

Θ = 30°

N

180°

120°

[A]

2.000

TAV

P

1.500

1.000

500

0

0 500 1000 1500 2000

BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rüther

A 07/00

I

[A]

TAV

TAV

TAV

Z.Nr.: 2 Seite/page 5

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Θ

= 30°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 1219 N 20...28

N

[°C]

80

C

T

60

40

60°

20

0 500 1000 1500 2000

90°

120° 180°

I

[A]

TAVM

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rüther

A 07/00

Z.Nr.: 4 Seite/page 7

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Θ

= 30°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 1219 N 20...28

N

80

[°C]

C

T

60

40

60° 90° 120°

180°

20

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

I

[A]

TAVM

Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rüther

A 07/00

Z.Nr.: 5 Seite/page 8

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 1219 N 20...28

N

80

[°C]

C

T

60

40

Θ = 30° 60°

90°

120°

180°

20

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

I

[A]

TAVM

Kathodenseitige Kühlung / cathode sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rüther

A 07/00

Z.Nr.: 6 Seite/page 9

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T

= f (I

)

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 1219 N 20...28

N

80

[°C]

A

T

60

90°

120

40

Θ =

60°

20

0 50 100 150 200 250 300 350

180°

I

[A]

TAVM

Luftselbstkühlung / Natural air-cooling
Kühlkörper/Heatsink. K0.05F

Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ

BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rüther

A 07/00

Z.Nr.: 7 Seite/page 10

A

TAVM