Infineon T1218N Data Sheet

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Grenzlastintegral I²t-value
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
Elektrische Eigenschaften
T1218N
DRM
th
letter F
DRM,VRRM
DSM
RSM
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
/dt)cr
T
(dv
D
T
= -40°C... T
vj
Tvj = -40°C... T
Tvj = +25°C... T
V
vj max
V
vj max
V
vj max
I
TC = 85 °C T
= 61 °C
C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
, tP = 10 ms
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
, tP = 10 ms
vj max
DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, i
Tvj = T
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
GM
, vD = 0,67 V
vj max
5.Kennbuchstabe / 5
/dt)cr
2000 2400
2000 2400
2100 2500
2200 2600 2800
2200 2600 2800
2300 2700 2900 2625 A
1222 1671A A
25000 22500
3125 2531
150 A/µs
1000 V/µs
V V V
V V V
V V V
A A
10³ A²s 10³ A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Durchlaßkennlinie on-state characteristic
TTT
Zündstrom gate trigger current
Zündspannung gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current
Zündverzug gate controlled delay time
Tvj = T T
= T
vj
Tvj = T
Tvj = T
T
= T
vj
, iTM = 3,5 kA
vj max
, iTM = 1,0 kA
vj max
V
vj max
r
vj max
A=
vj max
v
T
(TO)
T
max. max.
1,05 V
B=
iD)1i(LnCiBAv ++++=
T
C= D=
2,13
1,375V V
0,33 m
9,687E-01 2,165E-04
-9,652E-03 8,131E-03
Tvj = 25°C, vD = 6 V IGT max. 250 mA
Tvj = 25°C, vD = 6 V VGT max. 2 V
Tvj = T T
vj
Tvj = T
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω I
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK 10 i
GM
Tvj = T v
D
DIN IEC 60747-6 T
vj
, vD = 6 V
vj max
= T
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
V
DRM
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
vj max
= V
DRM
, vR = V
RRM
= 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
max.
I
GD
max.
max. 0,25 V
GD
max. 500 mA
H
max. 2500 mA
I
L
, iR max. 200 mA
i
D
max. 4,5 µs
t
gd
105mA
mA
prepared by:
approved by: M.Leifeld
M.Droldner date of publication: 01.01.04
revision: 1
BIP AC / 20.03.03, M.Droldner A01/03 1/12 Seite/page
N
g
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
T1218N
th
letter O
DRM
t
q
typ. 350 µs
R
thJC
R
thCH
vj max
-40...+125 °C
c op
-40...+150 °C
stg
max. max. max. max. max. max.
max. max.
0,016 0,0146 0,0315 0,0288 0,0325 0,0296
0,0035
0,007
125 °C
T
= T
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V dv
4.Kennbuchstabe / 4
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sides einseiti
T
T
T
, iTM = I
vj max
/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
D
/ single-sides
TAVM
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
°C/W °C/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft clamping force
Steueranschlüsse control terminals
Gewicht weight
Kriechstrecke creepage distance
Schwingfestigkeit vibration resistance
Seite 3
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F 20...45 kN
DIN 46244 Gate Kathode /Cathode
G typ. 330 g
26 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AC / 20.03.03, M.Droldner A01/03 2/12 Seite/page
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Maßbild
T1218N
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
4 5
12
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
3: Gate
4: Hilfskathode/
BIP AC / 20.03.03, M.Droldner A01/03 3/12 Seite/page
Cathode
(control terminal)
N
=
τ
=
=
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
R,t – Werte R,T-Werte
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
beidseitig two-sided
anodenseitg anode-sided
kathodenseitig cathode-sided
Analytische Funktion / Analytical function:
Analytical elements of transient thermal impedance Z
R
[°C/W] 0,00022 0,0011 0,00102 0,00283 0,00488 0,00455
thn
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,00065 0,0019 0,00235 0,0037 0,0022 0,018
thn
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,00055 0,00231 0,006 0,0032 0,01754
thn
τ
[s]
n
0,00136 0,00306 0,0115 0,0662 0,512 1,49
0,0016 0,004 0,008 0,26 1,736 7,21
0,0014 0,00589 0,211 2,58 7,007
T1218N
n
max
thnthJC
Σ
n=1
für DC
n
max
Σ
n=1
thJC
thJC
for DC
thnthJC
e1RZ
-t
n
e1RZ
-t
τ
n
Kühler /Heatsink type: K0.05F 300W
natürliche Kühlung / Natural cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Analytische Funktion / Analytical function:
R
[°C/W] 0,00136 0,02464 0,204
thn
τ
[s]
n
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,00164 0,02496 0,0284
thn
τ
[s]
n
1,91 11,5 1221
Kühler / Heatsink type: K0.05F 120l/s
verstärkte Kühlung / Forced cooling
2,11 12 198
thCA
thCA
thCA
thCA
n
max
Σ
n=1
thnthCA
-t
τ
n
e1RZ
BIP AC / 20.03.03, M.Droldner A01/03 4/12 Seite/page
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